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去年有报道称，三星正在准备自己的3D芯片封装技术，能够以更小的尺寸集成高性能芯片所需要的逻辑芯片和存储芯片。目前HBM产品主要采用2.5D封装技术，不过三星打算在2025年亮相的HBM4上引入3D封装技术。
据Trendforce报道，三星在本月举行的“三星代工论坛（SFF）”上确认，今年内将推出3D HBM封装服务。
据了解，三星的先进封装解决方案称为“SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology.）”，目标是与台积电的CoWoS封装竞争。目前三星提供三种封装技术，包括：
SAINT S - 用于垂直堆叠SRAM存储器芯片和CPU
SAINT D - 用于CPU、GPU、DRAM等核心IP的垂直封装
SAINT L - 用于堆叠应用处理器（AP）
在2.5D封装技术下，HBM芯片与硅中介层上的GPU水平连接，通过将HBM芯片垂直堆叠在GPU上，而3D封装技术可以不需要硅中介层（硅中介层是位于芯片之间的薄基板，允许芯片进行通信和协同工作）。
据了解，三星计划以“交钥匙”方式提供3D HBM封装服务。为了实现这一目标，三星的先进封装团队将垂直互连其存储业务部门生产的HBM芯片，以及由其代工部门为芯片设计公司制造的GPU。三星希望通过先进封装解决方案能够从竞争对手那里抢夺更多的场份额，并提高自己HBM产品的出货量，提升市场竞争力。