HBM供应短缺促使美光扩张产能，希望进一步提升市场占有率

此前有报道称，美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，投资金额在6000亿至8000亿日元之间，计划2026年初开工建设，目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装。其中将安装极紫外（EUV）光刻设备，以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片。

据TrendForce报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，产能的重点是HBM产品。未来工厂还会过渡到1-delta工艺，将增加极紫外光刻设备的数量，并升级洁净室设施。日本政府已经批准高达1920亿日元的建设补贴，以支持美光的广岛工厂生产下一代芯片，另外还会有88.7亿日元的生产成本补贴和250亿日元的研发成本补贴。

Fab 15是美光HBM产品的主要生产基地之一，负责前端晶圆生产和通硅孔（TSV）工艺的部分，而后端堆叠和测试工艺则由中国台湾台中的工厂负责。目前HBM市场增长势头强劲，但是面临较低的良品率、更大的芯片尺寸等问题，与DDR5相比，生产相同位元需要大约三倍的晶圆，将挤压传统DRAM的产能。由于美光急需提升HBM出货量，中国台湾的工厂明年开始也将加入到前端晶圆生产和通硅孔工艺的工作中，以进一步提升产能。

考虑到美光至2025年的HBM产能都已经被客户预定，建设新工厂变得势在必行。美光希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。