西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片：拥有业界最高密度

近日，西部数据在投资者活动上介绍了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术，非常地小巧，可以放在指尖上。

据TomsHardware报道，西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商使用16个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中提供4TB。如果能够实现大批量生产，那么足以重新定义大容量SSD的成本。

西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理Robert Soderbery表示，很高兴与大家分享这款芯片，设计的初衷是为了满足数据中心和人工智能（AI）存储的需求，西部数据将很快宣布这款产品，与大家分享世界上容量最大的内存芯片。

根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手高出15~19%，I/O接口速度比竞争对手快了50%，同时每GB数据所需要的程序能效比竞争对手低了13%。西部数据还介绍了制造方法，采用的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的Xtacking架构。