SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶，三星也有同样的考虑

此前有报道称，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的DRAM产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产。相比于现有第五代10nm级别的1β (b) nm工艺，在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

据The Elec报道，SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶。

SK海力士采用1cnm工艺的DRAM有5层极紫外线（EUV）层，其中一层将采用MOR技术绘制。如果SK海力士最终决定这么做，那么将是MOR光刻胶首次应用于DRAM量产工艺。三星也有同样的考虑，计划在1cnm DRAM引入Inpria MOR光刻胶，不过SK海力士在量产时间表上领先于三星。

其实早在2022年，SK海力士就与三星进行了合作，研究MOR技术。在SK海力士看来，金属氧化物抗蚀剂将有助于提高未来DRAM性能的性能，而且还能降低成本。光刻胶在芯片生产的光刻过程中使用，会对光发生化学反应，这种特性被用来在晶圆上绘制电路图案。

据了解，SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。三星计划今年底量产1cnm DRAM产品，在12月之前获得客户验证。