此前我们曾报道过SSD将会在2011年迈进20nm工艺时代，而近日我们从Intel最新的SSD产品Roadmap中看到：该公司将会在明年第四季度开始推出采用2xnm MCL闪存芯片的产品，并且在储存容量方面也会得到大幅的增加。

　　目前Intel已经推出了采用34nm MLC闪存芯片的X25-M和X18-M系列产品，而该两个系列的50nm产品还将持续到明年第三季度才寿终正寝（EOL）。到明年第四季度，Intel将会推出代号为“Postville Refresh”的新产品，搭配2xnm的MLC闪存芯片，容量将具备160GB、300GB以及600GB。

　　另外，Intel面向入门级市场的X25-V系列亦会在明年第四季度升级至2xnm工艺，并且容量提升到80GB；而X25-E所对应的高端领域则会有代号为“Lyndonville”的新产品，采用34nm闪存芯片，具备400/200/100GB几种容量。