海力士日前宣布了基于54nm制程技术的第二代1Gb DDR3内存芯片,分为256Mb x4(H5TQ1G43TFR)和128Mb x8(H5TQ1G83TFR)两种规格,将于本月开始投入量产。
与前一代芯片一样,1Gb DDR3芯片的工作电压为1.5V,但是功耗在原先基础上降低了30%,据称这款是目前主流的1Gb DDR3市场上性能最高的内存芯片。根据iSuppli的统计数据,1Gb DDR3的市场份额已经达到了87%,而更高密度的内存芯片将在2011年成为市场的主力军。
据介绍,海力士第二代54nm 1Gb DDR3内存芯片将应用于数据中心、服务器、超级计算机及其它对电池续航要求较高的移动应用中,其设计理念还将被未来的40nm 2Gb DDR3芯片所采纳。
游客 2009-10-13 13:36
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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超能网友终极杀人王 2009-10-13 10:40 | 加入黑名单
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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