针对超级本和平板电脑，美光量产DDR3L-RS内存芯片

　　在可移动设备市场份额不断增长的情况下，对于闪存芯片的需求也在进一步扩大，IHS iSuppli的调研报告指出，今年第二季度DRAM的销售情况，传统PC的市场份额正在不断下滑，而智能手机和平板电脑则一直上升。

　　三星和SK海力士都开始使用新工艺量产低功耗的闪存芯片，美光今天也宣布使用30nm工艺量产DDR3L-RS标准的DRAM，主要针对超级本、平板电脑等轻薄的移动计算设备。

　　DDR3L-RS标准此前被称之为DDR3Lm，通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗，电压为标准的1.35V，同时能提供与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性，运行频率有667/800MHz两种。

　　美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造，FBGA封装，容量暂时有2Gb(128Mb×16/256Mb×8)和4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)两种规格，已经通过Intel Ivy Bridge新平台的认证。

　　除了上面两种规格，美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS，运行频率800MHz，预计今年12月份量产。而下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS则可能在2013年年初推出。

　　美光官方对于DDR3L-RS的介绍链接：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram#ddr3l-rs