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三星已经开始批量生产64Gb的3bpc NAND颗粒，这些颗粒采用最新的20nm级别工艺制作，这些新的NAND颗粒可使公司生产成本较低的存储卡或容量更高的闪存驱动器。
3bps NAND又叫TLC NAND，每个存储单元能存储3bit的数据，SLC的每个存储单元能够存储1bit数据，MLC则是每个存储单元2bit，3bps的优势就是能够用更少的存储单元实现更大的容量，缺点就是其寿命较短，所以一般不会用来制作SSD产品。
三星的20nm工艺64Gb 3bpc NAND比旧的30nm级别32Gb 3bpc NAND产能高60%，而且由于Toggle DDR（Double Data Rate） 1.0技术的加入使得它比30nm级别SDR产品（Single Data Rate）拥有更好的性能。
三星希望这款新的颗粒能够取代旧的产品在市场上的地位，不过由于3bpc NAND的寿命问题，这款颗粒不太可能在SSD市场上有广泛应用，除非三星使用新的技术使得颗粒的写入次数能够达到10000次以上。
消息来源：[xbitlabs]
