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三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存,明年会有第10代430层产品
吕嘉俭 发布于2024-04-13 09:07 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
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三星准备推出第9代280层V-NAND闪存,将在ISSCC 2024做展示
吕嘉俭 发布于2024-01-30 11:43 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,此前大会已确认,三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。
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三星确认明年带来第9代V-NAND技术:沿用双堆栈架构,将超过300层
吕嘉俭 发布于2023-10-19 09:38 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
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三星西安工厂计划升级设备,为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备
吕嘉俭 发布于2023-10-16 12:18 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
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三星明年开始生产第9代V-NAND闪存:继续采用双堆栈架构,超过300层
吕嘉俭 发布于2023-08-18 09:08 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
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三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存:业界最高位密度,I/O速率达2.4Gbps
吕嘉俭 发布于2022-11-07 15:18 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4 Gbps,比上一代产品提高了1.2倍,这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示,第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石,不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。
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三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位
吕嘉俭 发布于2022-08-17 18:01 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
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三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备,未来将超过1000层
吕嘉俭 发布于2021-06-09 14:49 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始,逐渐积累了丰富的经验,近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示,未来V-NAND的层数可能会超过1000层。
据TomsHardware报道,三星计划开始生产采用第七代V-NAND技术的消费类固态硬盘,具有176层。三星表示,这是业界最小的NAND存储单元。这款新闪存将拥有2000 MT/s的数据传输速率,让三星可以构建PCI-E 4.0和PCI-E 5.0接口的超高速固态硬盘。这些存储设备将使用全新的主控芯片,会针对多任务、大工作量的负载进行优化。下一步三星会推出基于176层V-NAND闪存的数据中心级别固态硬盘,会有更强的性能和容量。
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三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术
Strike 发布于2020-04-20 10:23 / 关键字: 三星, 3D闪存, V-NAND
长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。
图片来源:三星官网
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三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品,下半年提供512Gb级别的颗粒
倪嘉声 发布于2019-08-06 12:30 / 关键字: 三星, TLC, V-NAND
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三星将推32TB的TLC闪存硬盘,QLC硬盘今年内问世
孟宪瑞 发布于2018-07-24 17:04 / 关键字: 三星, V-NAND, 闪存, QLC, TLC
最近一段时间来美光、英特尔、东芝、西数先后宣布了QLC闪存出样以及96层堆栈3D闪存上市的消息,作为全球第一大NAND供应商的三星在这方面倒是很低调,但是三星的行动一点也不慢,前几天宣布量产第五代V-NAND闪存,今年将推出32TB容量的TLC闪存硬盘,1Tb核心容量的QLC闪存硬盘今年内也会问世。
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三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈,QLC闪存在路上
孟宪瑞 发布于2018-07-10 13:16 / 关键字: 三星, V-NAND, Toggle DDR 4.0, 3D闪存, QLC闪存
2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存,以TLC闪存为主,下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Toggle DDR 4.0接口,速率达到了1.4Gbps,堆栈层数超过90层。此外,三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。
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三星970 EVO 500GB M.2 SSD评测:一个甜点级的SSD
Strike 发布于2018-05-02 19:10 / 关键字: 970EVO, 三星970, V-NAND, 三星SSD
早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到这货未来肯定和970 EVO跑不了关系,结果4月份的发布会上,三星拿出来的970 EVO根本就是PM981的翻版,主控、缓存、闪存都是一样的,采用Phoenix主控加三星64层堆叠V-NAND TLC闪存,而970 PRO则是换了MLC闪存的版本,性能自然更好。
今天要带来的是三星970 EVO 500GB的评测
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64层V-NAND试水作,三星推出T5系列移动固态硬盘
Strike 发布于2017-08-16 11:36 / 关键字: 三星T5, T5, 移动固态硬盘T5, V-NAND
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三星加速量产64层V-NAND闪存:提速50%,节能30%
bolvar 发布于2017-06-15 13:37 / 关键字: 三星, NAND, V-NAND, 闪存, 64层
从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了,今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题,大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键,堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的,现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产,性能比前代48层V-NAND提升50%,能耗也降低了30%,生产率也提升了30%。
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