现在的BiCS 5并不是完全体，密度和性能都没有最初宣布提升那么大

西部数据和恺侠（原东芝存储）在1月30日宣布他们的第五代3D堆叠NAND闪存BiCS 5，将会用于TLC和QLC的生产，堆叠层数是112层，当我看到这层数时就觉得事情好像有点不对了，去年不是说BiCS 5有128层的吗？

其实在去年的ISSCC会议上东芝和西数就公布过他们的128层堆叠BiCS 5闪存的部分资料了，就存储密度而言东芝和西数的128层堆叠512Gb 128层3D TLC确实很高，不过更高端是他们的1.33Tb的96层堆叠3D QLC，不过现在公布出来的BiCS 5数据和当时的相比有所缩水，现在恺侠方面则是称BiCS 5存储单元阵列的密度相对于上一代技术有20％的提升，而当时宣布的是128层堆叠3D TLC和96层的3D TLC比起来存储密度提升了29.8%。

性能方面其实也有缩水的，去年公布时128层的闪存会采用单die采用4 Planes设计，而与2 Planes设计相比写入速度从66MB/s提升到132MB/s，而96层的2 Planes写入速度只有57MB/s，可见写入速度是番了一倍多的，而现在发布的BiCS 5只说在I/O性能上会比BiCS4高出50％。

当然我不是说现在的BiCS 5不好，因为它和BiCS 4相比在堆叠层数、性能、存储密度上都有明显提升，只不过没有当初预想值那么好而已，可能128层的在生产上遇到了问题，所以折中拿了现在的112层的出来，他们应该权衡过认为先量产还等更好的产品出来这个问题，说真的与其死等好的产品与工艺成熟，还不如先拿这种比较折中的方案出来抢市场实际些。