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关于 GAA 的消息

联想YOGA Air 14 2024笔记本上市:2.8K OLED屏,首发价8499元

联想YOGA 14 Air 2024于近日开启线上预约,首发只有酷睿Ultra 7 155H+32GB+1TB一个配置,目前在国内电商平台可进行预约,购买晒单后可获赠AiPPT年卡,先锋用户还可享有价值1899元的5年无忧全程服务,详情可咨询客服。

传三星3nm GAA工艺良品率已提升两倍,但仍然不如台积电

三星在2022年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。不过在量产以后,三星的3nm GAA工艺的良品率一直都不是那么理想。

三星宣布与Arm合作,以最新2nm GAA工艺优化下一代Cortex-X CPU

三星宣布,将与Arm展开合作,提供基于最新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X CPU,进一步提高了性能和效率,将用户体验提升到一个新的水平。

三星考虑为2nm订单提供折扣,3nm GAA良品率仍然不稳定

三星和台积电(TSMC)都计划在2025年量产2nm工艺,而三星希望能抢先一步实现量产,以速度压倒对方,从而在新一代制程节点上获得竞争优势。尽管三星和英特尔最近都非常努力,采取了各种积极的措施,使得2nm代工的竞争加剧,但种种迹象表明,台积电仍将获得最多的订单,而且优势是巨大的。

英特尔和台积电披露下一代CFET晶体管进展,未来将取代GAA技术

据eeNewEurope报道,英特尔和台积电(TSMC)即将在IEDM 2023上公布下一代CFET晶体管的进展情况。未来堆叠式CFET架构将取代GAA(Gate-All-Round),成为新一代晶体管设计。

英伟达评估三星3nm GAA工艺,若顺利则预定2025年量产

三星在2022年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。不过在量产初期,三星3nm GAA工艺的良品率并不是那么理想,随着三星与合作伙伴的努力,传闻良品率已达到60%到70%之间,三星也尝试在芯片设计者中重新建立信心。

联想新款YOGA Air 14s笔电开卖:搭载定制R7 7840S,起售价7999元

近日,联想推出了新款YOGA Air 14s轻薄型笔记本电脑。目前新产品已登陆电商平台,并开启了预约抢购,晒单送联想YOGA M5鼠标,另外还会赠联想原厂上门服务90天,赠完即止。

英特尔介绍新的堆叠式CFET晶体管架构:下一代GAA技术

近日在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上,英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新发展,其中之一便是英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。这是英特尔首次向公开介绍这种新型晶体管设计,不过没有提及具体的量产日期或者时间表。

高通未来骁龙8平台或采用双代工厂策略,N3E和3nm GAA工艺双管齐下

高通近期放弃了三星代工高端骁龙8系列芯片,目前第二代骁龙8芯片采用的是台积电4nm工艺,即便今年即将到来的第三代骁龙8芯片,也会继续选择台积电代工,过去多款芯片证明,至少这个时期台积电的工艺更胜一筹。不过这并不代表高通完全弃用三星,有消息称,双方正在为未来骁龙8芯片是否重新合作进行探索。

三星Exynos 2500将搭配AMD定制GPU,或采用第二代3nm GAA工艺制造

几天前,三星和AMD宣布已经签署了一项为期多年的协议,将把多代高性能、低功耗的AMD Radeon图形解决方案带到三星Exynos SoC的扩展组合中,为更多移动设备带来游戏机级别的图形质量和优化功耗。

多个客户对三星3nm GAA工艺产生兴趣,或于2024年开始大批量供应

三星在今年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步,但实际生产上并非一帆风顺,低良品率及缺乏订单一直困扰着三星。

高通第三代骁龙8或转向三星3nm GAA工艺,与台积电推迟量产3nm工艺有关

高通(Qualcomm)在最近发布的第二代骁龙8移动平台(Snapdragon 8 Gen2)上,采用了台积电(TSMC)的4nm工艺制造。自从将旗下高端SoC转投回台积电以后,能效有了较为明显的提高,但这不代表高通不再考虑三星的代工服务。

三星3nm GAA良品率仅20%,或与新伙伴合作改进生产

三星在今年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。三星表示,与原来采用FinFET的5nm工艺相比,初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积(PPA)方面有不同程度的改进,其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片,面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。

三星第二代3nm GAA工艺将于2024年量产,或被更多移动SoC采用

前一段时间,三星在京畿道华城工厂V1生产线,举行了采用下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术的3nm代工产品发货仪式。三星表示,与原来采用FinFET的5nm工艺相比,初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积(PPA)方面有不同程度的改进,其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。

三星举行3nm GAA代工产品发货仪式,联席CEO及政府主管部门领导出席

三星今天在京畿道华城工厂V1生产线(仅EUV),举行了采用下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术的3nm代工产品发货仪式,包括三星电子联席CEO兼设备解决方案部门负责人庆桂显和韩国工业贸易资源部长李昌阳在内,共100多位高管、政府部门人员、供应商代表以及三星员工出席。

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