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关于 EUV光刻机 的消息

ASML将交付第二台High-NA EUV光刻机,导入英特尔位于美国俄勒冈州的厂房

2022年初,ASML宣布与英特尔的长期合作进入了新的阶段。英特尔也向ASML发出了购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统的订单,这是具有高数值孔径(High-NA)和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光(EUV)大批量生产系统,为双方长期的High-NA EUV技术合作搭建框架。去年末,ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机,并在今年4月完成组装工作,进入到校准步骤。

ASML或将Hyper-NA EUV光刻机定价翻倍,让台积电、三星和英特尔犹豫不决

ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机,业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究,寻找合适的解决方案,计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。

台积电今明两年将接收60台以上EUV光刻机,投入超过123亿美元

按照台积电(TSMC)的安排,将在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,同时制造过程仍依赖于极紫外(EUV)光刻技术,计划2025年进入大批量生产阶段,客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。

ASML每年大概生产5台High-NA EUV光刻机,其中2025H1前大部分送往英特尔

上个月英特尔晶圆代工(Intel Foundry)宣布,已在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤,为未来工艺路线图的生产做好准备。

ASML称High-NA EUV光刻机已印刷首批图案,并向新客户交付第二台同类设备

近日ASML(阿斯麦)表示,本月将向第二位客户交付High-NA EUV光刻机,安装工作也即将开始。不过ASML并没有透露,具体交付给哪一家公司。其提供0.55数值孔径,与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比,精度会有所提高,可以实现更高分辨率的图案化,以实现更小的晶体管特征。

英特尔宣布完成业界首台High-NA EUV光刻机组装工作,目前正在进行校准步骤

英特尔晶圆代工(Intel Foundry)宣布,在先进半导体制造领域取得了一个关键的里程碑,已在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。目前英特尔正在Fab D1X进行校准步骤,为未来工艺路线图的生产做好准备。

ASML已交付第三代EUV光刻机,可用于制造2nm芯片

最近ASML(阿斯麦)交付了第三代极紫外(EUV)光刻工具,新设备型号为Twinscan NXE:3800E,配备了0.33数值孔径透镜。相比于之前的Twinscan NXE:3600D,性能有了进一步的提高,可以支持未来几年3nm及2nm芯片的制造。

英特尔提交德国新建晶圆厂示意图:安装High-NA EUV光刻机,2027Q4投入使用

去年6月,英特尔与德国联邦政府达成了协议,双方宣布签署了一份修订的投资意向书,计划投资超过300亿欧元,在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。德国联邦政府已同意提供100亿欧元补贴,包含了来自《欧洲芯片法案》和来自政府的激励措施及补贴。

ASML探索Hyper-NA EUV光刻机可行性,将成为2030年之后的新愿景

近年来,ASML站到了世界半导体技术的中心位置,成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术,去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机价值3.8亿美元,ASML已收到10至20台订单

去年末,ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。新设备的体积非常巨大,需要使用13个集装箱和250个板条箱来进行运输,将从荷兰的费尔德霍芬运送到美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地,另外还需要250名工程师并花费6个月完成安装。

台积电或2030年才采用High-NA EUV光刻机,用于制造1nm芯片

去年末,ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。这是具有高数值孔径(High-NA)和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光(EUV)大批量生产系统,提供0.55数值孔径,与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比,精度会有所提高,可以实现更高分辨率的图案化,以实现更小的晶体管特征。

ASML向英特尔交付首台High-NA EUV光刻机,售价可能达到4亿美元

2022年初,ASML宣布与英特尔的长期合作进入了新的阶段,双方将携手推进半导体光刻前沿技术。英特尔也向ASML发出了购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统的订单,这是具有高数值孔径(High-NA)和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光(EUV)大批量生产系统,为双方长期的High-NA EUV技术合作搭建框架。

受3nm需求低迷影响,ASML明年EUV光刻机出货量或下跌30%

如果要推进到7nm以下的先进制程工艺,ASML(阿斯麦)的EUV(极紫外光)光刻机可以说是必不可少的制造工具。为此在过去几年里,与EUV相关的设备成为了众多半导体制造商争抢的对象,一直处于供不应求的状态,为此ASML还提高了产量。如果要购买一台EUV光刻机,往往还需要提前数月预订。

台积电将在2024年引入High-NA EUV光刻机,或用于2025年2nm芯片生产

台积电(TSMC)的目标是2025年量产其N2工艺,而现阶段主要是其他N3工艺的产量和良品率,这被认为是世界上最先进的芯片制造技术之一。随着英特尔Meteor Lake延期,以及N3工艺的效能未让苹果满意,台积电很可能放弃N3工艺,将重点转移到明年量产的N3E工艺,这属于第二版3nm制程。

台积电或斥资1万亿新台币新建2nm工厂,传三星将抢购更多EUV光刻机

近期台积电(TSMC)的2nm工艺开发似乎也逐渐走上了正规,有媒体报道指,台积电计划斥资1万亿新台币(约合人民币2261亿元),建造一座新的晶圆厂,专门负责2nm芯片的生产,地点位于中国台湾台中市。

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