关于 1znm 的消息
美光正扩增1znm DDR4 DRAM的生产线，主要生产用于PC上的16Gb颗粒
目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺，其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺，该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点，三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存，美光随后在八月份宣布他们的1znm制程也开始量产了，并且是用于16Gb颗粒的生产，现在美光正在积极扩大其1znm DDR4 DRAM生产线。
SK海力士宣布采用1Znm制程工艺的16Gb DDR4颗粒：推动单面16GB内存普及
SK海力士于今天宣布推出使用1Znm制程工艺的16Gb DDR4内存颗粒，明年开始量产。SK海力士的1Znm制程已经是他们在10nm工艺节点中的第三代工艺技术了。
DRAM厂商正在评估采用EUV技术，主要是为了降低单位生产成本
半导体元件的制造，制程越小越困难，所面临的物理限制越来越高，现在能量产的工艺节点已经来到7nm，往后制程的升级越来越困难，所以催生出了EUV光刻技术，比如在同样是7nm制程的情况下，可将晶体管密度提升，同频率下功耗降低，不过EUV光刻技术还有一个优点就是有助于降低单位生产成本。现在，DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下，已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM，主要目的是为了降低成本。
三星首发1znm的8Gb DDR4 DRAM：生产效率提升20%，下半年量产
全球DRAM内存市场主要由三星、SK Hynix及美光三家统治，他们的产能占了全球市场份额95%以上，其中三星一家就能占据全球45%以上的份额，是绝对的王者。在技术上，不久前三星首发了12GB LPDDR4X内存，使用的是二代10nm级工艺也就是1ynm工艺制造，现在它基于第三代10nm级工艺也就是1znm工艺制造的DDR4 DRAM内存也来了。
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