关于 工艺 的消息
三星目标2025年量产2nm工艺，期待获得显著的性能和效率提升
此前三星公布了到2027年的制程技术路线图，列出了2022年6月量产SF3E（3nm GAA，3GAE）以后的半导体工艺发展计划，包括SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星计划今年带来第二代3nm工艺，也就是SF3，传闻已经在试产。不过此前也有消息人士称，三星打算将第二代3nm工艺将改为2nm工艺。
AmpereOne-3处理器明年到来：256核心，3nm工艺制造，支持PCIe 6.0和DDR5
据The Next Platform报道，Ampere首席执行官Jeff Wittich透露，正准备在今年晚些时候推出新一代AmpereOne-2处理器，将采用升级的“A2”核心，支持12条内存通道。Ampere相信，随着内存控制器数量的增加，内存带宽将提高50%，从而实现性能的进一步提升。
台积电表示A16工艺不需要High-NA EUV参与，A14工艺研发进展顺利
近日台积电（TSMC）举办了2024年北美技术论坛，揭示了其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维立体电路（3D IC）技术，以驱动下一代人工智能（AI）的创新。其中台积电首次公布了A16制程工艺，将结合纳米片晶体管和背面供电解决方案，以提升逻辑密度和能效，预计2026年量产。
台积电首次官宣A16制程工艺，还有N4C和NanoFlex等多项新技术
近日，台积电（TSMC）举办了2024年北美技术论坛，揭示了其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维立体电路（3D IC）技术，凭借这些先进的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。
苹果将开发用于AI服务器的定制芯片：采用台积电3nm工艺，2025H2量产
苹果在2020年推出了首款用于Mac的定制芯片，称为M1。从那时候起，苹果就为不同定位的Mac设备打造了各种M系列芯片，最终在2023年6月推出搭载M2 Ultra芯片的新款Mac Pro，完全取代掉产品线里的英特尔x86处理器。
SK海力士将选择台积电7nm工艺，用于生产HBM4的基础裸片
近日，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
Exynos 2500能效或超第四代骁龙8，是三星首款采用第二代3nm工艺的SoC
此前有报道称，三星大概率在Galaxy S25系列上维持双平台的策略，分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本，不过暂时还不清楚定位最高的Galaxy S25 Ultra是否仅配备第四代骁龙8。传闻三星正在对Exynos 2500进行测试，有着不错的性能表现，CPU和GPU都能轻松战胜高通第三代骁龙8。
苹果A19 Pro将错过2nm制程节点，或采用增强型3nm工艺
去年苹果发布了多款3nm芯片，带动了台积电（TSMC）3nm产能的拉升，巨大收益很快便反映到台积电的季度财报上。为了进一步提高计算和图形性能，苹果已开始了下一代芯片的研发工作。此前有报道称，将成为台积电2nm工艺的首批客户，后者将会为iPhone、Mac、iPad和其他设备生产2nm芯片，预计2025年下半年量产，不少人猜测iPhone 17系列将首发搭载2nm芯片。
AMD今年或带来Instinct MI350系列：升级至4nm工艺，采用HBM3E
前一段时间，美国政府修订了最新的管制条例，针对人工智能（AI）和高性能计算（HPC）为主要用途的芯片，4月4日开始实施的APP禁令进一步加强管控的力度，采取了更为严格的控制措施。
SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产
去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。
2024年3nm工艺将占台积电收入20%以上，英特尔和AMD都会下单
今年1月，台积电（TSMC）公布了2023年第四季度业绩，显示3nm制程节点的产量大幅度攀升，收入占比已从上一个季度的6%提高至15%。毫无疑问，这都来自于苹果这一个客户，生产A17 Pro和M3系列等多款芯片。
AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺，或首先用于生产低端APU
自从出售了晶圆厂以后，AMD在过去的十多年里，基本都依赖台积电（TSMC）和GlobalFoundries（格罗方德）为其制造芯片。不过很早之前就有报道称，AMD或许会与三星建立新的合作关系，计划采用三星的4LPP工艺，制造Chromebook使用的APU。
传三星3nm GAA工艺良品率已提升两倍，但仍然不如台积电
三星在2022年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nm GAA工艺的良品率一直都不是那么理想。
英伟达RTX 50系列GPU或采用台积电4NP工艺，与Blackwell架构B100相同
在美国加州圣何塞会议中心举行的GTC 2024大会上，英伟达创始人兼CEO黄仁勋带来了Blackwell架构GPU，包括用于取代H100/H200的B200 GPU，另外还有与Grace CPU相结合的GB200。这些都属于数据中心产品，同样属于Blackwell架构的GeForce游戏显卡还要等上一些时日，最快也要到2024年底。
Cerebras发布WSE-3：采用5nm工艺，4万亿个晶体管，90万个AI核心
Cerebras宣布，推出Wafer Scale Engine 3（WSE-3），这是世界上尺寸最大的单颗裸片，几乎等于一块12英寸晶圆。其专为训练业界最大的AI模型而打造，在相同的功耗和价格下，性能是现有最快AI芯片WSE-2的两倍。WSE-3将用于Cerebras CS-3 AI超级计算机，通过2048个节点提供高达256 exaFLOPs的计算性能。
