关于 制程工艺 的消息
台积电首次官宣A16制程工艺，还有N4C和NanoFlex等多项新技术
近日，台积电（TSMC）举办了2024年北美技术论坛，揭示了其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维立体电路（3D IC）技术，凭借这些先进的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。
英特尔详细介绍Intel 4制程工艺，称Foveros封装技术实现40年来重大架构变革
近日在英特尔马来西亚科技巡展上，英特尔逻辑技术开发副总裁Bill Grimn详细介绍了Intel 4制程工艺。根据IDM 2.0战略，英特尔计划在四年内实现五个制程节点，而Intel 4处于计划中的第二个节点，将用于即将到来的Meteor Lake，也就是新一代面向移动平台的酷睿Ultra第1代处理器。
台积电考虑扩大日本工厂规模，或引入更先进的制程工艺
目前台积电（TSMC）正在美国亚利桑那州建造新的晶圆厂Fab21，不过近期遇到了许多问题，比如缺乏安装设备所需要的专业人员，很可能迫使台积电将大规模生产的时间将延后。
台积电介绍3纳米和2纳米制程工艺，称新工艺将带来显著性能提升
近日，台积电在日本就最新的制程技术召开了一次新闻发布会，详细介绍了N3E工艺节点的进展及其所带来的性能提升。此外，台积电还展示了备受期待的下一代制程工艺的线路图，预计2纳米工艺将在2025年实现量产。
联发科发布Genio 700物联网平台：6nm制程工艺，八核心设计
随着智能家居市场的日益发展，越来越多的厂商推出相关终端产品，上游设计公司也加大相关芯片研发力度。在CES 2023前夕，联发科推出了Genio 700平台，专为智能家居、智能零售与工业物联网产品设计。
高通骁龙7 芯片曝光：4nm制程工艺，定位中端
目前高通已经发布了主打高端手机市场的骁龙 8移动平台，并且应用了全新的命名方式，该芯片名为骁龙8 Gen 1。如今，根据国内知名博主@数码闲聊站的爆料，高通还将推出新一代骁龙 7系列芯片，并曝光了该芯片的相关配置信息，包含了架构、制程工艺等信息。
台积电宣布推出N4X制程工艺：为HPC产品量身定制的N5增强型
台积电（TSMC）宣布，将推出N4X制程工艺。这是台积电专为高性能计算（HPC）产品苛刻工作负载而量身定制的，也是其首款专注于HPC的技术产品，有着N5系列制程工艺中最高的性能和频率。台积电表示，其“X”后缀代表Extreme，是为专注于HPC的技术而保留，也是首次在制程名称中使用。
超能课堂(283)：回顾CPU制程工艺发展
晶体管诞生于1947年12月16日，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组成功制作了第一个晶体管，改变了人类发展的历史。晶体管是20世纪最重要的发明之一，奠定了微电子革命的基础。相对于体积大、功率大的电子管，晶体管小巧而且功率低，为后来大规模集成电路的出现吹响了号角。经过70多年的发展，多次的技术更迭，随着制程工艺的不断进步，目前已经可以在指甲片大小的芯片上集成数以亿计的晶体管。
高通骁龙875将由三星代工，但似乎受到制程工艺良率不足的不利影响
高通近两年在旗舰级别移动SoC上面采用了半代升级的方案，也就是先出一款架构换新的SoC，过半年左右的时间推出它的频率加强版，然后再于当年年底推出下一代的旗舰SoC，从骁龙855、855 Plus再到865、865 Plus，高通都是这么走的，所以今年年底，我们很有可能会见到骁龙的下一代旗舰SoC，不出意外的话，型号应该是骁龙875，目前业界消息称高通将会把该SoC交由三星，使用他们的5nm EUV工艺进行代工。不过昨日又有不利消息传出，业内人士透露，因为良率并不理想，三星的5nm EUV工艺可能会影响到骁龙875的发布和上市时间。
英特尔提出“智能X效应”，将在计算、连接以及存储三个领域全面布局
英特尔公司以“智存高远，IN擎未来”为主题，通过线上直播的形式，面向全国媒体举行年度战略“纷享会”，并首次提出数据时代的“智能X效应”概念，通过解读智能化机遇，凝聚产业共识 并推动智能科技的创新与应用等多种方式，实现释放数据价值、创造智能增值、携手推进经济和社会的智能变革等多个目标。
骁龙865采用台积电N7P 7nm工艺，和苹果A13一样
现在，高通新的骁龙865、骁龙765以及骁龙765G三款新处理器已经悉数亮相。除了产品本身数据的差别之外，骁龙865以及骁龙765/765G所使用的工艺也是不同的，骁龙865处理器使用的是台积电的N7P 7nm制程工艺，和苹果的A13处理器一样。而骁龙765以及骁龙765G两款产品则是使用的三星7nm EUV工艺。
台积电宣布推出6nm工艺：基于7nm改进，2020年试产
自从台积电、三星在14/16nm节点超越英特尔之后，半导体届的制程工艺节点命名就乱了，除了英特尔还在老老实实按照业界标准命名工艺，14nm改进了三代都没改名什么12nm、11nm工艺，但三星、台积电两家就不同了，制程工艺命名随意多了，三星一口气从14nm、11nm、10nm、8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、3nm工艺都命名完了，台积电这边则有16nm、12nm、10nm、7nm、7nm+、5nm，不过昨晚开始他们也推出了6nm工艺（N6），听上去好像又先进了一代，不过它实际上是基于现有的7nm工艺改进的，设计方法与7nm工艺完全兼容，但逻辑密度提升18%，2020年Q1季度试产。
上海市政府工作报告称14nm工艺今年量产，总投资102亿美元
随着Globalfoundries及台联电推出7nm及14nm以下工艺，全球争夺7nm及以下先进工艺研发生产的只剩下台积电、三星及英特尔三家公司，其中台积电今年最快都要试产5nm EUV工艺了。基于半导体工艺的重要性，中国的中芯国际也不会放弃先进工艺研发，不过他们的技术水平与业界最高还差了两代，已量产的最先进工艺还是28nm，下一代则是14nm FinFET工艺。日前在上海市政府2019年的工作报告中，上海市长应勇也提到中芯国际的14nm工艺今年会量产。
三星7nm EUV工艺下半年量产，2021年推3nm GAA工艺
三星前不久发布的2018年Q4季度财报指引显示三星当季盈利会大幅下滑，同比跌减少9%，环比减少38.5%，而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手机业务低迷，还有最关键的存储芯片降价，这个趋势会一直持续到今年上半年。为了弥补存储芯片降价周期带来的影响，三星早就开始强化代工业务了，要赶超台积电，而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说，他们今年下半年会量产7nm EUV工艺，2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。
三星：明年推5/4nm EUV工艺，2020年上马3nm GAA工艺
随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资，全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了，不过英特尔可以排除在代工厂之外，其他无晶圆公司可选的只有三星以及台积电了，其中台积电在7nm节点可以说大获全胜，流片的7nm芯片有50+多款。三星近年来也把代工业务当作重点，此前豪言要争取25%的代工市场，今年三星公布了未来的制程工艺路线图，现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图，今年会推出7nm EUV工艺，明年有5/4nm EUV工艺，2020年则会推出3nm EUV工艺，同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。
