关于 Samsung 的消息
三星目标2025年量产2nm工艺，期待获得显著的性能和效率提升
此前三星公布了到2027年的制程技术路线图，列出了2022年6月量产SF3E（3nm GAA，3GAE）以后的半导体工艺发展计划，包括SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星计划今年带来第二代3nm工艺，也就是SF3，传闻已经在试产。不过此前也有消息人士称，三星打算将第二代3nm工艺将改为2nm工艺。
三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM，以及1βnm 32Gb DDR5产品
近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利，带动了整个DS部门的营收和利润增长，让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。
三星推出128GB版本的Galaxy S24：针对个别市场的定制存储组合
今年1月，三星在美国加利福利亚州圣何塞的Galaxy Unpack 2024活动上，正式发布了新一代Galaxy S24系列智能手机，其中包括Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra三款机型。目前可以看到全球大多数市场上销售的Galaxy S24系列机型，存储空间最低也有256GB。
Galaxy Z Flip 6/Fold 6将提供Exynos 2400版，三星打算延续双平台战略
今年三星将带来新款折叠屏智能手机，包括Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6，预计会在7月推出。随着发布时间的临近，不断传出有关新机型的消息，包括机身设计和选择搭载的平台等。
三星电子会长访问蔡司总部，将扩大在EUV技术和先进半导体设备的合作
三星官方发布公告，德国当地时间26日，三星电子李在镕近期访问了位于巴登符堡州奥伯科亨市的蔡司总部，并与蔡司首席执行官Karl Lamprecht等高管就加强双方的合作进行了讨论。双方同意进一步扩大在EUV技术和先进半导体设备方面的合作，以加强晶圆代工和存储器业务的竞争力。
企业级QLC SSD出货位元快速增长：AI需求推动，Solidigm受益最多
据TrendForce报道，随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，加上北美客户扩大存储产品的订单，带动企业级QLC SSD的需求攀升。目前市场上仅Solidigm和三星有经过验证的企业级QLC产品，而更积极做推广的Solidigm受益最多。TrendForce预计2024年企业级QLC SSD出货位元相比2023年增长四倍，达到了30EB。
传三星与AMD签订价值30亿美元的新协议：将供应12层堆叠的HBM3E
去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，宣布推出代号为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。到了今年2月，三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠，容量为36GB，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。随后三星开始向客户提供了样品，计划下半年开始大规模量产。
Galaxy S24 FE仍在计划里，三星或今年晚些时候发布
三星在去年带来了Galaxy S23 FE，从市场的反应来看比较一般，并没有想象中受欢迎。还有传言称，可能会取消掉Galaxy S24 FE。不过三星现在更希望推出更多型号扩充产品线，加入更为实惠的产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
三星和SK海力士竞争升级：争夺下一代AI半导体市场主导权
在进入人工智能（AI）时代后，两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产，以抢夺市场先机，争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入，全球半导体战线正在扩大。
Exynos 2500能效或超第四代骁龙8，是三星首款采用第二代3nm工艺的SoC
此前有报道称，三星大概率在Galaxy S25系列上维持双平台的策略，分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本，不过暂时还不清楚定位最高的Galaxy S25 Ultra是否仅配备第四代骁龙8。传闻三星正在对Exynos 2500进行测试，有着不错的性能表现，CPU和GPU都能轻松战胜高通第三代骁龙8。
三星HBM4计划2025年首次亮相：将有16层堆叠，改用3D封装
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%属于美光。
三星和高通宣布成功完成1024 QAM测试：下行链路速度提高20%以上
三星和高通宣布，双方成功完成了频分双工（FDD）和时分双工（TDD）频段的1024正交幅度调制（QAM）测试，下行链路速度相比目前的256 QAM提高了20%以上，提升效果非常地明显。这次合作表明，三星和高通致力于支持运营商提高5G吞吐量和提高其网络的频谱效率。
三星从《芯片法案》得到64亿美元补贴，将兴建晶圆厂、先进封装设施和研发工厂
美国商务部宣布，已经与三星签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供约64亿美元的直接拨款，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国在全球范围内的竞争力。
受益于SSD价格持续上涨，三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效，存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称，2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势，其中NAND闪存会表现得更为强势，合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。
