关于 SK海力士 的消息
三星和SK海力士将停产DDR3，或带动价格上涨最高20%
过去两年多里，业界从DDR4内存向DDR5内存过渡，后者占据着越来越大的市场份额。此外，DDR3内存的市场需求量也进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。特别是过去一年多存储器市场经历低迷，供应商普遍减少了DDR3内存的生产，并借此机会降低了库存水平。
SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。
SK海力士在研究低温蚀刻设备，下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
随着3D NAND的堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统工具的三倍，对多层数的3D NAND非常有用。
SK海力士公布2024Q1财报：收入创历史同期新高，开始转向全面复苏期
近日SK海力士（SK hynix）公布了截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告，收入创历史同期新高，营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高。SK海力士认为公司业绩摆脱了长时间的低迷期，开始转向了全面复苏期，凭借旗下面向人工智能（AI）的存储器顶尖竞争力，业绩将持续改善。
SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地，以应对HBM需求的大幅增长
今天SK海力士宣布，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来，提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。
SK海力士将选择台积电7nm工艺，用于生产HBM4的基础裸片
近日，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
三星和SK海力士竞争升级：争夺下一代AI半导体市场主导权
在进入人工智能（AI）时代后，两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产，以抢夺市场先机，争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入，全球半导体战线正在扩大。
SK海力士和台积电签署谅解备忘录，在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作
SK海力士宣布，已经与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
受益于SSD价格持续上涨，三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效，存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称，2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势，其中NAND闪存会表现得更为强势，合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。
SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产
去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。
SK海力士将在美国印第安纳州建造先进封装工厂，并与当地研究机构进行R&D合作
SK海力士宣布，将在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能（AI）的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作，计划向该项目投资38.7亿美元。在当地时间4月3日，SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动。
SK海力士计划在美国印第安纳州投资40亿美元，建造一座芯片封装厂
虽然去年存储器市场行情低迷，相当部分厂商损失惨重，不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能（AI）爆发的机会，凭借针对性的产品线和市场策略，拿下了不少市场份额，迅速走出了低谷。此前有报道称，SK海力士正谋求进一步发展，考虑在美国印第安纳州兴建晶圆厂及封装设施，还将亚利桑那州作为备选地点。
SK海力士斥资900亿美元打造全新半导体生产设施，首座晶圆厂2027年投入运营
作为全球最大的半导体企业之一，SK海力士最近乘着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的东风，凭借旗下的HBM和DDR5产品，快速地走出了2023年存储器市场消极萎靡的阴霾，并期待着有更大的发展。
SK海力士展示新一代GDDR7显存：传输速度40Gbps，可提供160GB/s带宽
前天我们报道了三星展示新一代GDDR7显存，而作为内存巨头的SK海力士也随后展出了自家的GDDR7显存。SK海力士的GDDR7显存容量涵盖16-24Gb，传输速度可达40Gbps，比三星所展出的GDDR7显存快8Gbps，并且可以提供160GB/s的显存带宽。
