关于 NAND 的消息
2024Q2存储产品价格涨幅扩大，DRAM和NAND闪存可达18/20%
TrendForce针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势，发布了新的调查报告，表示两者不但会延续过去多个月的增长趋势，而且涨幅扩大。其中DRAM合约价季涨幅将达到13~18%，而NAND闪存的合约价季涨幅将扩大至15~20%。
三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。
美光宣布量产232层QLC NAND闪存，将供应给客户端和数据中心产品
美光宣布，已开始量产232层QLC NAND闪存，并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品，比如Micron 2500 NVMe SSD。
受益于SSD价格持续上涨，三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效，存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称，2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势，其中NAND闪存会表现得更为强势，合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。
三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存，明年会有第10代430层产品
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
西部数据确认HDD和NAND闪存短缺，警告合作伙伴价格将上涨
据TechNews报道，西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。西部数据还确认旗下NAND闪存和HDD产品都出现了供应短缺，本季度将继续调整价格，其中一些变动将立即生效。西部数据表示，人工智能（AI）市场的蓬勃发展是需求激增的原因，超出了原来的预期，导致供应紧张。
铠侠目标1000层3D NAND闪存：计划2031年量产“千层面”
目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展，其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。
2024Q2存储产品价格涨势持续，DRAM和NAND闪存涨幅可达8/18%
TrendForce发布了新的调查报告，分别针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势。两者都会延续过去多个月的增长趋势，不过DRAM合约价季涨幅将缩小至3~8%，而NAND闪存则会保持强势，合约价将上涨约13~18%。
NAND闪存市场呈现复苏迹象，未来格局或生变
TrendForce表示，随着存储器供应商连续减产取得成效，存储产品的价格正在反弹，半导体存储器市场终于出现了复苏的迹象。从市场动态和需求变化来看，NAND闪存作为两大存储器产品之一，正在经历新一轮的变化。
群联电子警告SSD价格飙升或导致需求减少，将阻碍NAND闪存行业发展
经过去年的多次减产及调价，过去一段时间里SSD的价格不知不觉中已经涨了不少，显然NAND闪存芯片制造商已经从中获益，至少财务上比起去年同期要好很多，而且接下来大概率会延续上涨趋势。
NAND闪存产业2023Q4营收季增24.5%，2024Q1将延续涨势
TrendForce发布了2023年第四季度NAND闪存市场的报告，显示产业收入环比增长24.5%，营收约为114.9亿美元。这主要得益于终端需求因年终促销回暖，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，同时位元出货也比去年同期旺盛，另外一个好消息是，企业方面对2024年需求表现的看法优于2023年，且启动备货策略带动。
美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案：基于232层3D NAND闪存，最高1TB
美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，称可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载，并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。
铠侠提出为SK海力士生产NAND闪存，希望能为与西数的业务合并扫除障碍
自2021年开始，西部数据和铠侠（Kioxia）就NAND闪存生产业务合并断断续续地进行谈判，以打造全球最大的NAND闪存制造商。不过在双方即将敲定最终计划之际，遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对，让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司，分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务，预计在2024年下半年开始执行。
江波龙官宣首颗自研2D MLC NAND闪存：构建完整的存储芯片垂直整合能力
江波龙宣布，继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。其采用了BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，有望应用于eMMC、SSD等产品上，为江波龙存储产品组合带来更多可能性。
三星准备推出第9代280层V-NAND闪存，将在ISSCC 2024做展示
ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）将于2月18日至22日在美国旧金山举行，此前大会已确认，三星将介绍其最新的GDDR7内存技术，速率达到了37Gb/s，为16Gb模块。
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