关于 DRAM 的消息
明年HBM产品或涨价5~10%，占DRAM总产值超过30%
近年来高带宽内存（HBM）的需求急剧上升，尤其是人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显，HBM产品的销量节节攀升，价格也是水涨船高。即便各个各个存储器供应商不断提升HBM的产能，仍然难以满足市场的需求，传闻SK海力士和美光至2025年底之前的HBM产能已经售罄。
美光宣布为AI数据中心提供关键内存：32Gb DRAM打造的128GB DDR5 RDIMM
美光宣布，率先在领先服务器平台上验证并交付了基于32Gb DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存模块，引领了行业。其采用了最新的1β（1-beta）工艺节点批量生产，与3DS硅通孔（TSV）产品相比，密度提升了45%以上，能效提高了22%，延迟降低了16%。
三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM，以及1βnm 32Gb DDR5产品
近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利，带动了整个DS部门的营收和利润增长，让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。
美光在《芯片法案》获得61.4亿美元补贴，未来约40%的DRAM芯片生产转移到本土
美国商务部宣布，已经与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供约61.4亿美元的直接拨款，另外还有75亿美元的贷款，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。这些投资将推进美光的计划，即未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到美国本土。
SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地，以应对HBM需求的大幅增长
今天SK海力士宣布，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来，提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。
SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产
去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。
受地震影响内存厂已经停止公布DRAM合约价，预示会进一步涨价
4月3日在中国台湾地区花莲发生的地震即使对岛内的晶圆厂是肯定有影响的，即使厂房没有损坏光刻机也得停下来检修，美光在当地的厂区当时就有进行停机评估，在地震过后内存制造商已经停止披露2024年第二季度DRAM内存合约报价，这可能预设着即将涨价。
2024Q2存储产品价格涨势持续，DRAM和NAND闪存涨幅可达8/18%
TrendForce发布了新的调查报告，分别针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势。两者都会延续过去多个月的增长趋势，不过DRAM合约价季涨幅将缩小至3~8%，而NAND闪存则会保持强势，合约价将上涨约13~18%。
2024年HBM产值占比将达到DRAM产业约20.1%，相比2023年8.4%大幅增长
近年来高带宽内存（HBM）的需求急剧上升，尤其是人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显，HBM产品的销量节节攀升。虽然去年存储半导体行情疲软，但是HBM3这类高附加值产品需求激增，填补了存储器厂商其他产品的损失。此前有报道称，随着英伟达和AMD等公司大量生产AI GPU，市场需求飙升了500%，而且价格创下了历史新高。
经过长时间与库存及需求的纠缠，三星DRAM业务时隔5个季度实现盈利
作为全球最大的芯片制造商之一，过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争，DRAM业务陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑，最终三星不得不通过减产等手段，将管理重点放在了盈利能力上，但是进展一直不太顺利。
DRAM产业2023Q4营收增近30%，合约价也有近20%涨幅
TrendForce发布了新的调查报告，显示受惠于企业备货市场回暖，以及三大原厂控制产能效益显现，2023年第四季度DRAM产业的营收约为174.6亿美元，环比增长了29.6%。2024年第一季度原厂目标仍是改善盈利，具有强烈的涨价意图，使得2023年第四季度DRAM合约价也有近20%涨幅，不过出货位元则面临传统淡季而略微衰退。
三星研究将MUF应用到服务器DRAM，改善封装工艺并提高生产效率
据The Elec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充（MUF）技术。三星最近对3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MR MUF工艺测试，结果显示与现有的TC NCF（热压非导电膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性却有所下降。
三星官宣业界首款36GB HBM3E 12H DRAM：12层堆叠，容量和带宽提升50%
去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，展示了一系列引领超大规模人工智能（AI）时代的创新技术和产品，并宣布推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智能应用，提高总拥有成本（TCO），并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。
长鑫存储开始以18.5nm工艺生产DRAM芯片，初始产能每月10万片晶圆
去年末，长鑫存储（CXMT）正式推出了LPDDR5系列产品，其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。在受到各种限制的情况下，长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐，甚至还加快了速度。
2024年DRAM和NAND闪存季度合约价预测：全年均维持上涨趋势
据TrendForce最新的市场研究显示，DRAM产品合约价自2021年第四季度开始下跌，已经连续下跌八个季度，不过从2023年第四季度开始将会起涨。 NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。
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