关于 eDRAM 的消息
SK海力士宣布启动HBM2E DRAM的量产,等效频率跑在3.6Gbps
HBM DRAM拥有超高的数据带宽,是计算密集型芯片的不二之选。我们也看到这种类型的DRAM在各种计算卡、AI加速器等领域中有着越来越广泛的应用,这也推动着它继续升级迭代。去年三星和SK海力士都宣布自己开发出了HBM2内存的小幅升级版本,即HBM2E内存,今天SK海力士终于正式宣布他们开始量产HBM2E内存了。
IBM宣布成功开发出32nm SOI工艺eDRAM芯片
IBM日前宣布已成功研发出目前业内体积最小、密度最大、速度最快的32nm SOI技术动态存储芯片。
IBM的32nm SOI技术相比过往标准Bulk技术将有30%的性能提升,并能够降低40%的功耗。另外,IBM还采用了内嵌动态随机存取内存(eDRAM)技术,使体积更小、存储密度更大,速度也将优于32/22nm的SRAM。据IBM称,32nm eDRAM的存储密度比22nm的SRAM高2倍,而比32nm的SRAM要高出4倍之多。
NEC发布40纳米eDRAM,明年开始生产
NEC电子今天发布了用以生产40纳米eDRAM的新技术。这种40纳米的eDRAM的设计是配合SoC(system-on-chip)芯片使用的。NEC表示,这种eDRAM最适合用在消费型的电子产品上,如相机,摄像机,游戏机等产品。
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