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台积电本月将接收首台High-NA EUV，计划放置在其全球研发中心
今年5月，台积电（TSMC）首席执行官魏哲家来到了ASML的总部，与对方的高层会面。台积电似乎改变了之前对High-NA EUV光刻技术的一些看法，外界传言将加快引入新技术和新设备的步伐。随后ASML向媒体确认，今年年底前将向台积电运送High-NA EUV光刻机。
盛色发布G9uvPro显示器：4K@165Hz HVA面板，动态OD调教，2699元
SANC盛色近日推出了一款31.5英寸的4K高刷显示器G9uvPro，采用来自华星光电的HVA面板，面板最低响应时间可达到1ms，盛色还为其配备了动态OD调教，可以自动根据当前帧率选择OD档位，尽可能减少延迟。目前该款显示器已能在国内电商平台进行购买，购买后晒图评价可得50元京东E卡，详情可咨询在线客服。
传三星减少下一代High-NA EUV采购量，与ASML的研发中心计划或陷入僵局
去年末，三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元（约合7.7亿美元/人民币54.9亿元）的协议，双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施，并在那里共同努力改进EUV光刻制造技术。同时三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权，有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备，为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出更好的技术使用环境。
SK海力士计划2026年引进下一代High-NA EUV，用于先进DRAM芯片生产
最近有报道称，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，时间上可能早于台积电（TSMC），主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。
三星最快2024Q4安装其首台High-NA EUV，或早于台积电得到最新光刻工具
本月初，英特尔首席执行官Pat Gelsinger在2024年第二季度的财报电话会议上透露，位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地即将迎来第二台High-NA EUV光刻机，很快就会进入厂房。早在去年末，ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机，并在今年4月完成组装工作，进入到校准步骤。
ASML将交付第二台High-NA EUV光刻机，导入英特尔位于美国俄勒冈州的厂房
2022年初，ASML宣布与英特尔的长期合作进入了新的阶段。英特尔也向ASML发出了购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统的订单，这是具有高数值孔径（High-NA）和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光（EUV）大批量生产系统，为双方长期的High-NA EUV技术合作搭建框架。去年末，ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机，并在今年4月完成组装工作，进入到校准步骤。
三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数30%以上，1.4nm工艺预计超过30层
2022年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，其中2nm（SF2）工艺计划2025年开始大规模量产。三星上个月还发布公告，将与Preferred Networks Inc.合作，基于2nm GAA工艺和2.5D封装技术的Interposer-Cube S（I-Cube S），提供一站式的半导体解决方案，为对方制造AI加速器所使用的芯片。
ASML公布2024Q2财报：EUV系统带动销售，毛利率高于预期
近日，ASML（阿斯麦）公布了2024年第一季度财报。ASML新任首席执行官Christophe Fouquet表示，第二季度的净销售额处于预期的上限，毛利率更是高于51%的预期上限，不过市场仍存在不确定性，主要受到宏观环境因素的影响，预计行业将在下半年继续复苏，同时与前几个季度一样，整体半导体库存水平继续改善，2024年属于过渡年份，将继续在产能提升和技术方面进行投资。
ASML或将Hyper-NA EUV光刻机定价翻倍，让台积电、三星和英特尔犹豫不决
ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。
台积电今明两年将接收60台以上EUV光刻机，投入超过123亿美元
按照台积电（TSMC）的安排，将在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，同时制造过程仍依赖于极紫外（EUV）光刻技术，计划2025年进入大批量生产阶段，客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。
美光正在试产1γ工艺芯片，目标2025年量产EUV DRAM
美光已开始采用1γ（1-gamma）工艺试产DRAM芯片，并计划明年进入大批量生产阶段。直到目前为止，美光所有的存储芯片都完全依赖于DUV光刻设备，反观DRAM领域主要的竞争对手三星和SK海力士，都投资了更为昂贵的EUV光刻设备。美光通过标准的DUV多重曝光，在1α和1β工艺上开发出具有性能和成本竞争力的DRAM芯片，而切换到EUV技术可以进一步提高制程节点的经济性。
ASML瞄准下一代Hyper-NA EUV技术：2030年左右提供新的光刻设备
近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置，成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术，去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。虽然业界才刚刚准备迈入High-NA EUV时代，但是ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案。
高通将数据中心视为下一个目标，预计产品将继续采用NUVIA的技术
过去几个月里，高通推出了面向PC打造的骁龙X Elite/Plus，采用了定制的Oryon内核，搭载新款处理器的Windows笔记本电脑近期已经陆续出现。高通在2021年以14亿美元的价格收购了初创公司NUVIA，经过了数年的等待，这些技术终于发挥了作用。
台积电迈向High-NA EUV时代，ASML证实年内将交付新设备
此前有报道称，近期台积电（TSMC）首席执行官魏哲家访问了ASML的总部，同时也拜访了激光供应商Trumpf，与对方的高层会面。台积电似乎改变了之前对High-NA EUV光刻技术的一些看法，或许会加快引入新技术和新设备的步伐。
Rapidus已向IBM派遣100名工程师：学习使用EUV设备，进行2nm工艺开发
Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。Rapidus已在2022年底与IBM签署了技术授权协议，计划其位于日本北海道千岁市的晶圆厂在2025年启动生产线，试产2nm芯片，并在2027年开始实现批量生产。
