关于 BSPDN 的消息
三星称BSPDN让芯片尺寸减少17%，背面供电将带来15%能效和8%性能提升
今年初有报道称，三星正在推动BSPDN的应用，计划明年量产的2nm工艺引入背面供电技术。三星希望通过BSPDN改变游戏规则，让其能够更好地与台积电（TSMC）在代工业务上竞争。
三星计划2025年引入背面供电技术：采用BSPDN打造2nm芯片，进一步提高能效
三星在SEDEX 2022上，介绍了一种称为“BSPDN（背面供电网络）”的技术，称经过后端互联设计和逻辑优化，可以解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，2nm芯片的性能将提高44%，功率效率提高30%。在去年的VLSI研讨会上，三星又公布了最新的BSPDN研究成果，表示BSPDN相比FSPDN的面积可以减小14.8%。
三星公布最新BSPDN研究成果：与英特尔在背面供电技术领域展开竞争
去年三星在SEDEX 2022上，就介绍了一种称为“BSPDN（背面供电网络）”的技术，用于未来的2nm芯片上。据称，2nm工艺应用BSPDN，经过后端互联设计和逻辑优化，可以解决FSPDN造成的前端布线堵塞问题，将性能提高44%，功率效率提高30%。
三星将采用BSPDN打造2nm芯片，加入背面供电技术
三星在3nm工艺上引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管架构，目前已成功量产。按照三星公布的半导体工艺路线图，其计划在2025年开始大规模量产2nm工艺，而更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产。
三星称BSPDN让芯片尺寸减少17%，背面供电将带来15%能效和8%性能提升
今年初有报道称，三星正在推动BSPDN的应用，计划明年量产的2nm工艺引入背面供电技术。三星希望通过BSPDN改变游戏规则，让其能够更好地与台积电（TSMC）在代工业务上竞争。
三星计划2025年引入背面供电技术：采用BSPDN打造2nm芯片，进一步提高能效
三星在SEDEX 2022上，介绍了一种称为“BSPDN（背面供电网络）”的技术，称经过后端互联设计和逻辑优化，可以解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，2nm芯片的性能将提高44%，功率效率提高30%。在去年的VLSI研讨会上，三星又公布了最新的BSPDN研究成果，表示BSPDN相比FSPDN的面积可以减小14.8%。
三星公布最新BSPDN研究成果：与英特尔在背面供电技术领域展开竞争
去年三星在SEDEX 2022上，就介绍了一种称为“BSPDN（背面供电网络）”的技术，用于未来的2nm芯片上。据称，2nm工艺应用BSPDN，经过后端互联设计和逻辑优化，可以解决FSPDN造成的前端布线堵塞问题，将性能提高44%，功率效率提高30%。
三星将采用BSPDN打造2nm芯片，加入背面供电技术
三星在3nm工艺上引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管架构，目前已成功量产。按照三星公布的半导体工艺路线图，其计划在2025年开始大规模量产2nm工艺，而更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产。
