65nm发挥余热，尔必达研发低价1Gb DDR3颗粒

　　在向新的制程技术进军的同时，尔必达持续改进旧的65nm工艺，近日宣布完成65nm XS 1Gb DDR3 DRAM颗粒的开发。

　　65nm XS是65nm S的微缩版本，集成度更高，在同一块300mm的晶圆上可多切割出25%的芯片。该款芯片通过使用氟化氩干扫描机（ArF dry scanner）设备制造而成，可大大节省设备开支，其性价比可与50nm内存芯片相媲美。

Sue | 发布于2009-12-18 11:12

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海力士宣布54nm第二代1Gb DDR3内存芯片

　　海力士日前宣布了基于54nm制程技术的第二代1Gb DDR3内存芯片，分为256Mb x4（H5TQ1G43TFR）和128Mb x8（H5TQ1G83TFR）两种规格，将于本月开始投入量产。

Sue | 发布于2009-10-12 16:20

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