关于投产的消息

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东芝宣布新的12英寸功率半导体工厂竣工，预计2025年4月前投产

东芝发布公告，宣布新的12英寸功率半导体工厂和配套的办公大楼竣工。东芝表示，这是其多年投资计划第一阶段的一个重要的里程碑。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-24 14:20

台积电确认德国晶圆厂建设时间：按计划今年第四季度开工，2027年投产

去年8月，台积电（TSMC）宣布公司董事会已核准在德国兴建半导体工厂的计划，将与博世、英飞凌和恩智浦半导体共同投资位于德国德累斯顿的欧洲半导体制造公司（ESMC），以提供先进的半导体制造服务。其中台积电将占有合资公司70%的股权，其余博世、英飞凌和恩智浦半导体三家各占10%的股权。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-17 15:16

三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%

三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。

Strike | 发布于2024-04-23 10:36

英特尔俄亥俄州新建晶圆厂或推迟投产，从2025年延后至2026年底

2022年1月，英特尔宣布投资超过200亿美元，在美国俄亥俄州兴建两座新的晶圆厂。作为IDM 2.0战略的一部分，这项投资将有助于提高产能，以满足市场对先进半导体不断增长的需求，为英特尔新一代产品提供动力，并满足代工客户的需求。其原计划于2025年投入使用，近期有消息称，由于市场问题和美国政府补贴资金的延迟，英特尔已经将投产时间表延后至2026年底。

吕嘉俭 | 发布于2024-02-02 16:11

三星正在试产第二代3nm工艺，SF3预计今年晚些时候全面投产

三星在2022年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。今年三星计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。

吕嘉俭 | 发布于2024-01-20 09:46

台积电日本工厂将在2月举办启用仪式，计划2024H2开始投产

台积电（TSMC）正在位于日本九州岛的熊本县投资打造了新的生产基地，用于生产面向汽车和电子消费领域所需要的22/28nm芯片，目前建设工程已来到最后的阶段。

吕嘉俭 | 发布于2024-01-02 09:29

台积电公布2/3nm工艺技术路线图：N3P将于2024H2投产，2025年会带来N2和N3X

近日，台积电（TSMC）在美国加利福尼亚州圣克拉拉市举办的2023北美技术研讨会上，介绍了先进半导体制造工艺的路线图，包括了3nm和2nm制程节点的各种工艺。

吕嘉俭 | 发布于2023-04-30 23:24

台积电产能扩张计划放缓：产能将重新分配，投产时间延后，规模或缩减

近日台积电（TSMC）公布了2023年3月的财报，显示收入为新台币1454.08亿元（约合人民币328.48亿元/47.7亿美元），低于上一个月的新台币1631.74亿元，环比减少10.9%，也不及去年同期的新台币1719.67亿元，同比减少15.4%。台积电的月度营收上一次出现同比下跌还是2019年的5月份，这次是时隔45个月再次同比下滑。

吕嘉俭 | 发布于2023-04-12 12:36

台积电2nm制程节点将于2025年按时投产，并准备名为N2P的增强工艺

去年台积电（TSMC）总裁魏哲家证实，N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术，预计2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批2nm芯片。

吕嘉俭 | 发布于2023-04-10 14:49

英特尔重申Meteor Lake将在今年下半年推出，明年Lunar Lake投产

虽然英特尔强调2022年第四季度糟糕的财报主要是经济疲软所致，但CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）在财报电话会议上也承认，英特尔正在不断失去数据中心市场份额。事实上，数据中心产品的不断延期困扰着英特尔，好消息是消费端的路线图仍按计划进行。

吕嘉俭 | 发布于2023-01-28 10:03

铠侠和西部数据庆祝Fab 7投产，162层3D NAND闪存计划明年初出货

铠侠（Kioxia）大概在半年前，宣布已经与西部数据达成协议，共同投资四日市市的Fab 7工厂。铠侠和西部数据对这次的合作都非常满意，认为这是双方20年战略合作伙伴关系的又一个重要里程碑。

吕嘉俭 | 发布于2022-10-27 10:44

三星西安NAND闪存工厂全面投产，占全球总产量超10%

三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，近期已完成了第二工厂的扩建工程，并在这个月初投产，开工率已达到100%。这将大幅度提高三星NAND闪存产量，有望扩大其市场份额。

吕嘉俭 | 发布于2022-03-31 17:45

台积电表示芯片供应不足会延续到明年，他们的2nm会在2025年投产

台积电总裁魏哲家在一次会议上提到了今年第四季度的营收展望，以及会在154亿到157亿美元之间，季度增幅约3.5%到5.5%，有望再创新高，但困扰业界的晶圆代工厂产能不足的情况今年依然无法解决，而且明年还会延续。

Strike | 发布于2021-10-15 10:12

群联公布旗下首款PCI-E 5.0 SSD主控，预计2022年下半年投产

虽然说今年Intel在推出Alder Lake处理器的同时也会首发PCI-E 5.0，但没啥意外的话届时根本没搭配的设备，而两年前AMD首发PCI-E 4.0的时候其实早就有PCI-E 4.0的显卡了，而且还拉上了群联推出了首款PCI-E 4.0的SSD，现在群联也刚公布了他们的首款PCI-E 5.0主控——PS5026-E26。

Strike | 发布于2021-09-30 10:18

台积电将于5月投产N5P工艺的A15 Bionic，苹果已下单N4工艺用于Mac系列产品

今年苹果将会发布iPhone 13系列手机，会使用A15 Bionic处理器。据DigiTimes报道，A15 Bionic将使用台积电（TSMC）的N5P工艺，也就是增强型的5nm工艺制造，这将会带来性能和效率的提升。台积电计划在5月份开始量产，同时确保供应链方面不会有任何延误，以赶上苹果9月底发布的新手机。