IBM宣布成功开发出32nm SOI工艺eDRAM芯片

　　IBM日前宣布已成功研发出目前业内体积最小、密度最大、速度最快的32nm SOI技术动态存储芯片。

　　IBM的32nm SOI技术相比过往标准Bulk技术将有30%的性能提升，并能够降低40%的功耗。另外，IBM还采用了内嵌动态随机存取内存（eDRAM）技术，使体积更小、存储密度更大，速度也将优于32/22nm的SRAM。据IBM称，32nm eDRAM的存储密度比22nm的SRAM高2倍，而比32nm的SRAM要高出4倍之多。

Qing | 发布于2009-09-21 13:32

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NEC发布40纳米eDRAM，明年开始生产

　　NEC电子今天发布了用以生产40纳米eDRAM的新技术。这种40纳米的eDRAM的设计是配合SoC（system-on-chip）芯片使用的。NEC表示，这种eDRAM最适合用在消费型的电子产品上，如相机，摄像机，游戏机等产品。

Jeff | 发布于2007-11-21 10:59

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