关于 ST-MRAM 的消息
MRAM技术的硬盘容量只有1-2GB，但150万IOPS随机性能炸裂
NAND闪存是目前非易失性存储芯片中的主流，虽然这一年来的涨价、缺货让不少消费者、厂商揪心，小超哥（微信：18680462854）也是“哀其不幸怒其不争”，但是大家也没有别的选择。在新一代存储芯片技术中，MRAM（磁阻随机存取存储器）被业界看好，因为它同时具备SRAM的快速及非易失性闪存的特点，只不过目前的MRAM闪存大部分还处在研发阶段，并没有真正上市。Everspin公司日前宣布将于今年Q2季度上市基于MRAM技术的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盘，别看容量才1-2GB，但是4K随机性能高达150万IOPS，延迟只有6微秒，远远高于目前的企业级SSD硬盘。
众人拾柴火焰高，MRAM技术联盟正式成立
以东京电子、信越化工、瑞萨电子、日立以及美光科技在内的20多家日本以及美国企业已经组成MRAM技术研发联盟，联合开发MRAM技术，预计在明年2月份就会启动相关的技术研究项目。
秒飞SSD数条街！ST-MRAM新存储技术窥探
Everspin技术公司位于美国亚利桑那州，是第一家提供MRAM的公司，它向特定客户供应自有的ST-MRAM（转矩磁阻随机存取存储器）。这种非易失性存储器比当前的SSD最多快上500倍，不过很自然的——它的价格也达到了SSD的50倍。
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