关于 HBM4E 的消息
SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。
SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。
HBM4竞争已经开启：堆叠挑战依然存在，混合键合技术是关键
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM产品的需求也在迅速增长，三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者，首次现身COMPUTEX 2024，展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术，表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。
SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。
SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。
