关于 Crossbar 的消息
中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片，比NAND快一千倍
以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等等存储芯片市场，2018年将推出国产3D NAND闪存，意图实现国家要求的芯片自给率要求。不过在NAND领域，中国公司研发、生产已经晚了20多年，更大的希望还是在在新一代存储技术上。中芯国际（SMIC）日前正式出样40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。
热门聚合
- 1英伟达明确通知各品牌：RTX 40系列GPU供应量将会减少
- 2微星准备搭载AD102的RTX 4070 Ti SUPER显卡：启用不到一半的CUDA核心
- 3微软新款Surface产品获iFixit称赞：改进明显，变得更易于维修
- 4《艾尔登法环:黄金树幽影》硬件需求测试：玩家受苦，显卡享福
- 5华擎发布Radeon RX 6400 Low Profile 4GB显卡：单槽半高刀卡
- 6朗科带来US9高速固态手机U盘：USB 3.2 Gen2 Type-A+C双接口，速度达1GB/s
- 7利民推出Frozen Infinity系列一体式水冷：无限镜ARGB设计，售价329元起
- 8金士顿FURY Renegade叛逆者DDR5 RGB限量版上架：速率8000MT/s，48GB套装
- 9AOC U27V10R显示器开售：4K分辨率，65W反向充电，1499元