关于 1Gb DDR3 的消息
65nm发挥余热,尔必达研发低价1Gb DDR3颗粒
在向新的制程技术进军的同时,尔必达持续改进旧的65nm工艺,近日宣布完成65nm XS 1Gb DDR3 DRAM颗粒的开发。
65nm XS是65nm S的微缩版本,集成度更高,在同一块300mm的晶圆上可多切割出25%的芯片。该款芯片通过使用氟化氩干扫描机(ArF dry scanner)设备制造而成,可大大节省设备开支,其性价比可与50nm内存芯片相媲美。
海力士宣布54nm第二代1Gb DDR3内存芯片
海力士日前宣布了基于54nm制程技术的第二代1Gb DDR3内存芯片,分为256Mb x4(H5TQ1G43TFR)和128Mb x8(H5TQ1G83TFR)两种规格,将于本月开始投入量产。
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