关于 技术细节 的消息
三星介绍其第二代3nm工艺，首次披露SF3的技术细节
三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。
AMD官方发布新视频详细介绍3D垂直缓存，公开更多技术细节
近日，AMD在其油管官方账号上分享了一段视频，内容是对此前台北电脑展上公布的3D垂直缓存（3D Vertical Cache）进行了更详细的介绍，让大家对这项技术有更深入的了解。
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