韩国Businesskorea网站报道称，长江存储公司CTO程卫华在接受日本媒体日经新闻亚洲版采访时表示“我们已经制定了大规模量产的计划。”，目前在中国政府的支持下，长江存储在武汉建造了价值240亿美元的半导体工厂，日经报道称该工厂将量产64层堆栈3D NAND闪存。

在采访中，CTO程卫华表示“长江存储公司的计划进展顺利，没有任何障碍。”他并没有正式宣布今年量产64层堆栈的3D NAND闪存，但专家分析称一旦该公司的量产计划实现，他们今年就能够推出64层堆栈的3D NAND闪存。

目前三星、SK Hynix正在使用90层堆栈的3D NAND闪存，去年完成开发之后，SK Hynix今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。如果长江存储今年能够量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么他们与三星等公司技术差距就可以缩小到2年左右。

最重要的是，人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多。

一些专家依然怀疑长江存储今年是否能够量产64层堆栈3D NAND闪存，因为这家中国半导体制造商还没办法量产32层堆栈的NAND闪存。

但总体而言，与DRAM领域不同，长江存储在NAND领域似乎取得了进展。如果今年下半年量产64层堆栈的NAND闪存，中国政府可能要求中国智能手机及PC制造商采用国产NAND闪存。如果发生这种情况，将严重影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

继续摩根大通下调美光股票评级之后，Cowen分析师Karl Ackerman也跟进下调美光股票评级，并且将目标股价从46美元降至45美元，理由是市场竞争环境正在发生根本性变化，美光在3D NAND闪存领域的成本优势正在遭到侵蚀，DRAM内存降价也会导致美光公司2020年的盈利会下滑。

在Karl Ackerman的报告中，除了内存降价的影响之外，他还提到了美光3D NAND闪存的问题，认为2020年他们的成本优势就会被削弱，导致美光3D NAND闪存落后于行业，这将会限制该公司抵消供需失衡带来的价格波动的能力。

至于未来，虽然美光等存储芯片领域的公司预计今年下半年（最迟Q4季度），内存芯片市场就会复苏，但是Karl Ackerman调查的结果没这么乐观，他研究了内存及闪存经历的7次行业周期及供应链情况，认为这次的低谷会持续几个季度，NAND闪存及DRAM内存价格改善要等到2020年Q1季度才有可能出现。

他们预计2019年内存及闪存芯片平均销售价格将降低40%，内存芯片的毛利率将从今年Q1季度的59%跌至Q4季度的36%，到了2021年毛利率才有可能在36-37%范围内正常化。

在2019中国(深圳)IT领袖峰会上的“全球科技合作与竞争”对话中，有记者向紫光集团联席总裁、新华三CEO于英涛提问——“现在长江存储国产的芯片逐渐量产，但是国际上的芯片价格下降比较厉害，国际上是不是有打压中国芯片崛起的意图？”

对于这个问题，于英涛回应道：我不敢说有阴谋论，我也不想讲阴谋论，市场是丛林法则，追赶者永远会被领先者打压，这是一个规律，当你没有的时候他卖高价，八几年刚出大哥大的时候3万块钱一台，现在手机是一千块钱一台，这是社会进步的表现。你说他是不是刻意打压，这个我不敢说，起码由于长江存储自主创新的芯片出现，把整个存储芯片的价格大大下降，这就是社会的进步。

根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。

2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

在NAND闪存芯片上，长江存储之前斥资10亿美元研发成功国产3D NAND闪存，今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

号称是纯国产的紫光SSD硬盘前不久就曝光了，对此我们之前也做了报道——真·国产SSD硬盘来了：紫光64层3D TLC闪存，1500次P/E，不过之前这事也有很多疑点，报道紫光用了国产闪存的文章都被删掉了，而且挂名紫光国产SSD的至少有两款型号，主控都不一样，到底使用了什么样的主控及NAND闪存还是个谜。

日前友媒泡泡网也刊发了一篇紫光国产SSD的评测——国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测，他们说是从特殊渠道搞到的，看了下太平洋电脑网、中关村在线还没有发评测，这个产品应该不是紫光存储公司统一安排送测的。

想要了解紫光国产SSD硬盘的玩家可以去看看这篇评测，内容的写的不错。紫光S100硬盘的包装，测试的是480GB版的，SATA接口的。

下面就是我的看法了：

从原文的介绍来看，紫光S100硬盘的闪存的规格很不错，不论容量还是性能都是目前的主流甚至可以说是高端水准，但问题就出在这里——紫光存储并没有生产NAND闪存的能力，紫光存储主要的业务是存储产品集成，下到U盘上到存储阵列，做个SSD硬盘对他们来说不难，但紫光存储的NAND、DRAM内存主要是采购别人的。

紫光集团旗下还有长江存储，这家公司是目前国内最重要也是最有可能成功的NAND闪存厂商，也一直有报道说今年量产NAND闪存，实际上他们去年就小批量量产了部分32层堆栈的TLC闪存了，但是主要用于U盘等低端产品，因为32层堆栈、64Gb核心容量竞争力太低了，不论性能还是容量都没可能做480GB的SSD硬盘，而紫光官网列出的NAND闪存规格是超出长江存储已知产品水平的，256Gb核心、512Gb核心容量是三星、美光、英特尔、西数等公司才有的。

带有UNIC紫光logo的闪存意味着是紫光自行封装的，但不代表里面的颗粒就是紫光自己的。在这个问题上，之前的文章也说了紫光存储主要做集成，NAND供应商可以有多个，很多人没注意到的是紫光公司去年跟英特尔公司宣布了战略合作——Intel将和紫光展开合作，后者自有UNIC品牌进军存储市场，其中一个重要合作就是紫光采购英特尔的NAND闪存，去年9月份英特尔在中国大连投资的3D NAND闪存工厂已经量产。

“DRAMeXchange还透露了Intel正与中国紫光存储正积极拟定长期合约，紫光可以根据合作协议获得来自Intel的NAND晶圆，经过自行封装后由紫光的渠道进行销售。事实上昨天紫光存储已经在北京使用“UNIC”品牌发布了一系列存储卡，固态硬盘等新品，正式进入PC存储产品市场。”

结合紫光S100硬盘的性能及规格，现在大家应该知道目前曝光的所谓国产闪存SSD硬盘的来源了吧。

写这篇文章并不是为了diss紫光或者媒体同行，即便S100硬盘真的是采购了英特尔或者其他家的NAND闪存自行封装的，这在国产SSD硬盘品牌中已经是个进步了，意味着紫光SSD有自己的检测封装能力了。

对于国产NAND闪存，国内是有强烈需求的，但是如何界定“国产”也是个麻烦事，这个标准很严格，但也没有固定标准——iPhone手机是中国工厂制造的，但是没人会把iPhone当国产机；AMD及NVIDIA的芯片也是GF、台积电代工生产的，但不会有人觉得AMD、NVIDIA就没技术能力了。

紫光封装的NAND闪存算不算国产NAND？这个定性会影响很多结论，但综合来看现在说国产NAND闪存还是太早了。作为国产自主技术的坚定支持者，我个人非常希望看到国厂商尽快掌握自主的NAND闪存、DRAM内存以及高性能CPU、GPU技术，但是这个过程急不来，指望国产厂商在几年时间里去超越别人有数十年积累的技术、经验是不现实的，NAND闪存的良率/产能提升是个残酷的过程，国内厂商要慢慢摸索，指望紫光或者长江存储一下子就拿出性能、规格这么强的产是不可能的。

最后，消费者个体对是否国产这事并不需要多在意，更没必要冲着国产的情怀去支持，这不仅是对国产NAND闪存而言，对所有产品也是如此。在开放竞争的市场上，国产品牌要想立足就只能靠自己实力过关，消费者最终会用脚投票。

总之，在国产SSD这个问题上，不必贬低国内公司的努力，同样也不要拔高国产闪存/硬盘。

以下为集邦科技原文：

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。

展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重，甚至透过减产压抑产出，虽无法立即扭转供过于求的态势，但对于市场环境确实有正面的帮助。综上所述，第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等产品合约价仍将继续下跌，但跌幅相较第一季则是有所收敛，落在10~15%的水位。以第二季的渠道市场而言，随着256Gb TLC Wafer自2017年11月走跌以来，产品价格已大跌逾70%，每GB单价跌破0.08美元，属各类产品当中跌幅之最。随着价格逐渐逼近成本线使得下跌空间有限，加上原厂良率提升，市场流通的次品数量减少，反应在终端产品（如记忆卡及随身碟等）价格方面可能出现一至二波的调升，因此在价格调升的刺激下，带动模组厂备货力道有所增加，合约价跌幅则逐渐趋缓，预期第二季合约价将呈缓跌走势。叶茂盛指出，除了渠道市场以外，供应商将眼光转向高容量的UFS及SSD产品，除希望透过降价刺激需求增长，也争相以优惠价格竞逐市占；在移动领域部分，包含西数、三星在内的供应商纷纷推出高容量的UFS 3.0产品吸引客户采用，目标借由效能提升以及价格诱因刺激下半年需求成长，同时供应商也完善UMCP产品线，除刺激中高端机种往256GB转移以外，也让32GB机种逐渐往64GB转移。在Client SSD方面，供应商为刺激搭载容量提升，加大512GB/1TB产品的跌价力道，追求CP值的Value PCIe SSD(Gen 3.0×2)产品出货比重同时逐渐提升，使得均价跌幅扩大，有助于SSD于笔记本电脑搭载率成长增速。而在enterprise SSD方面，server/data center作为2019年唯一增长的主要需求，加上产品毛利高于其他类型，已成为兵家必争之地，各厂商皆投放目光在更有成长空间的PCIe产品领域，竞争态势激烈，合约价亦将持续走跌。

这里要说一点，虽然都是紫光集团旗下，但是紫光存储跟长江存储并不是一回事，紫光存储就是那个做U盘、SSD及磁盘阵列的公司，主要做终端产品，长江存储虽然也算是紫光旗下的，不过这是紫光收购武汉新芯科技之后的公司，紫光控股，但公司还是独立运营的，他们主要是做NAND研发、生产，未来他们可能是紫光存储产品的NAND供应商，但紫光存储并不是只有长江存储的闪存可用，去年紫光存储跟英特尔达成了战略合作，推出的很多存储产品使用的其实是英特尔的闪存。

长江存储这边去年就已经研发成功了32层堆栈64Gb核心容量的的NAND闪存，并且少量生产用于U盘等产品，但32层64Gb容量的NAND闪存已经没有竞争力了，长江存储此前公布的目标是今年量产64层堆栈的3D NAND闪存。

日经新闻报道称，长江存储联席CTO程卫华日前在中国国际半导体技术大会表示该公司的生产正如期进行，与全球供应商的合作关系照旧。他说这番话的背景是因为另一家存储芯片厂商福建晋华因为合作火爆联电在台湾挖人而与美光公司交恶，惹上了侵权知识产权的麻烦，而晋华公司也被美国政府制裁，美国的半导体设备厂商不能再给福建晋华公司供应生产设备，导致公司运转停止。

长江存储今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

更正：长江存储公司表示程卫华并没有提及有关知识产权及产能的表态，文章已经更新。

截至今年2月28日，美光2019财年Q2财季中营收58.35亿美元，上一季度、上一年同期分别是79.1亿、73.51亿美元，同比、环比分别下滑了21%、26%，毛利率也从之前的58%下滑到了49.1%，运营利润19.57亿美元，净利润16.19亿美元，上季度、上一年同期净利润分别是32.9亿、33.1亿美元，同比、环比都暴跌了50%以上。

在美光的当季营收中，DRAM内存占了64%，不过营收环比跌了30%，同比也跌了28%，ASP均价环比跌了20%，而NAND闪存业务占了营收的30%，营收环比下滑18%，同比下滑了2%，NAND闪存ASP均价也跌了20%

如果只看营收、毛利率及净利润，美光的财报表现还是不错的，但是与以往内存毛利高达70%的好日子相比，现在的业绩显然是下滑的，更重要的是内存价格在今年上半年都会持续走低，目前业界的说法是下半年才有可能恢复正常。

为了对抗内存及闪存的降价，美光已经开始削减2019年的资本开支，内存及闪存的晶圆产能开始闲置5%以减少市场供应。

根据群联董事长潘建成所说，去年不少系统厂商及通路厂商因为担心原厂良率不断提升而导致价格跌幅扩大，以及中美贸易战愈演愈烈等因素，下半年的备货情况非常保守，不过今年还是要出新产品冲业绩，再加上西数、三星、美光、英特尔等公司削减NAND产能的行动，一拉一升之间让系统厂商今年1月份开始备货。

潘建成表示这次的备货情况超过他的预期，预计市场上大量备货会集中在今年Q2季度，厂商会瞄准暑期商机，届时如果中美贸易战干扰减少，那NAND闪存价格会出现2年来首次反弹。

群联去年出货了3600万多颗SSD主控+模组芯片，同比增长了56.9%，今年1月份业绩继续大涨，出货450万颗芯片，潘建成表示全年有望挑战5000万颗芯片出货量，他认为今年情况对群联相当有利。

作为市场上的NAND上游供应商（群联有东芝NAND供应，但自行封装搭配自家主控销售），群联发出了NAND闪存即将涨价的信息，不过市面上第三方调研机构此前给出的预测不同，集邦科技旗下的DRAMeXchange 1月份发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

以下是集邦科技的报告详细内容：

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，部分服务器厂商因2018年第四季总体经济不确定性提高，决定延后进货或取消订单，与此同时，上游供应链也进行产线调整，备货力道偏弱，加上苹果新机出货不如预期以及整体换机需求转趋疲弱的影响，除此之外，Intel CPU缺货也冲击笔记本电脑需求低于预期。尽管平均搭载容量持续提升，但整体位元出货量表现低于原本预期，使得2018年第四季品牌商营收较前一季度衰退16.8%。回顾2018年全年的销售表现，尽管各项产品价格逐季走跌，但全年位元出货量较2017年成长逾40%，整体营收仍持续成长，并来到历年来新高点，约632亿美元水平，较2017年成长10.9%。2019年第一季进入传统淡季，使得需求更趋疲弱。服务器、智能手机厂商持续调整库存，NAND Flash市场的位元出货量将较上一季衰退，而主要供货商为维持市场占有率，则透过更优惠价格来吸引客户，因此NAND Flash整体营收受到销售单价与需求双双下滑的拖累，将持续走跌。

三星电子(Samsung)2018年第四季基于智能手机、服务器以及笔记本电脑需求皆显疲弱的影响，三星位元出货较上季衰退逾7%。而在销售单价部分，由于三星先前仍维持较高单价，第四季面临销售压力出现价格补跌，使得平均销售单价大跌逾20%，第四季营收为43.04亿美元，季减28.9% 。

从制程及产能分析，受到NAND Flash市场整体供过于求的影响，2019年的投产目标以维持现有3D NAND产能为主，2D NAND产能则将依需求下修而进行缩减，但仍维持平泽二厂的投产规划。同时，尽管第五代3D NAND制程良率已近成熟，但为避免过度增加产出，三星将放缓新制程的扩产计划。

SK海力士(SK Hynix)

因智能手机出货需求不如预期，尤其受到旗舰级智能手机销售疲软以及OEM着重去化库存影响，SK海力士2018年第四季位元出货仅成长约10%，加上服务器SSD采购趋向保守等需求面因素影响，加深平均销售单价的季跌幅达21%，第四季NAND Flash营收为15.87亿美元，季衰退13.4%。

以产能规划而言，SK海力士2019年仍维持新厂M15的扩产规划，并同时推出96层新架构的3D NAND产品以改善成本及竞争力，其中搭载96层结构的UFS 2.1产品预计在第二季正式量产，但预期产品推出前期仍需一段时间导入，2019年的出货主力仍将以72层架构为主。

东芝记忆体(Toshiba)

由于苹果新机出货不如预期以及笔记本电脑出货受CPU缺货影响，东芝记忆体2018年第四季位元出货仅能勉强持平，而各类产品合约价明显走跌，致使平均销售单价较前一季走跌约15%，整体营收来到27.31亿美元，季减14.7%。

从产能方面观察，东芝在四日市市的产能受到西数要求减产，这导致该区域整体产能下降。2019年的扩产集中于Fab 6，但仍以64层为主要生产制程。

西数(Western Digital)

受到中美贸易战影响，服务器及智能手机需求不如预期影响，尽管在SSD出货容量成长有不错表现，2018年第四季的位元出货量仅较上季成长5%，然而平均销售单价在需求疲弱以及各类产品价格跌势加剧影响下，较前季下跌18%，导致整体营收下滑至21.73亿美元，季减14.2%。

从产能规划来看，西数2019年上半年将维持节制产能与资本支出的策略，预期2019年的位元产出将较原本计划降低10~15%。值得注意的是，西数是否能够顺利参与东芝岩手县新厂的投资，这将是能否保障其未来竞争力的关键。

美光(Micron)

受惠于SATA接口Enterprise SSD销售维持高档以及UFS、UMCP顺利导入主要智能手机客户，美光在第四季仍能保持超过10%以上位元成长。但受到NAND Flash跌价走势影响，美光平均销售单价也有逾10%的下滑，因此营收衰退2.2%，来到21.79亿美元。

在产能方面，2019年美光主要的位元增长将来自制程转进，持续扩大96层产品的导入，并将整体位元增长维持与产业水平接近。

英特尔(Intel)

英特尔在服务器SSD领导地位的优势，加上第四季借由客户转采更高容量配置以及更多64层产品的帮助下，仍能维持位元出货量成长逾15%，但受到第四季服务器SSD合约价下跌影响，英特尔的平均销售单价下跌10~20%，整体营收略微成长至11.07亿美元，季增2.4%。

在产能与制程方面，英特尔规划在今年内将大连厂二期产能扩张至满载，另一方面持续进行96层产品的转进，预计在2019年下半年可以达到近30%的产出比重。

集邦科技旗下的DRAMeXchange上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。