英特尔(Intel)和美光(Micron)今天共同宣布批量生产其共同开发的基于34nm制程，单颗容量为32Gb的多层式(MLC，Multi-level cell) NAND闪存芯片，它是双方合资组成的公司IM Flash Technologies (IMFT)近期的合作成果，远远领先业界其他对手。

　　在最近公布公司本财年第四季度亏损3亿4千4百万美元之后，镁光今天宣布将开始大幅裁员。

　　Micron自上次推出震惊业界250MB/s读取速度的SSD硬盘后，现在继续发布了32GB容量的e-MMC闪存。这块Micron的e-MMC闪存采用了34nm的MLC(multi-level cell)NAND flash芯片。

　　这款Micron e-MMC闪存卡简化了内部设计，去掉了主控制器，以便支持NAND的软件驱动。也就是说，它仅仅使用简单的MMC接口，而代替了复杂的NAND管理技术，包括ECC、磨损和坏区管理。

　　镁光今天宣布，他们和英特尔合作的最新产品，8Gb的SLC NAND芯片目前已经开始提供样品给相关的厂商。这种NAND使用了非常先进的50纳米技术制造，比传统的NAND要快的多：传统NAND的读取速度一般为40MB/s，写入速度为20MB/s，但是镁光的这种50纳米高速NAND将可达到200MB/s写入，100MB/s读取。

　　三星和东芝在NAND Flash专利领域决定站在同一条船上，对抗英特尔这位后起之秀的传言，时有所闻，3日三星和东芝宣布互相授权有关NAND Flash专利，让此事正式尘埃落定。据了解，除了三星和东芝确定携手合作外，此阵营也将拉拢海力士(Hynix)加入，全力阻止2008年英特尔在NAND Flash产业实力的崛起。　　三星和东芝3日宣布互相交叉授权有关NAND Flash专利，由三星授权东芝有关OneNAND产品，而东芝则授权三星LBA NAND产品的专利，让彼此的OEM客户对于内嵌式内存的解决方案可以有更多选择，获得对方授权的产品，将于2008年正式生产推出。　　过去东芝曾是NAND Flash领域的霸主，后来将NAND Flash技术授权给三星生产制造，虽然之后就让三星取代其龙头宝座，但也顺势将NAND Flash市场的饼越作越大，造就今天市场的蓬勃发展。东芝与三星的关系，就某方面而言，是技术专利的合作伙伴，但在商场上，就是竞争激烈的对手。　　但是三星和东芝眼前，有一个更大的对手崛起，那就是科技巨人英特尔，其50纳米以下的NAND Flash量产实力，即将于2008年快速崛起，加上NAND Flash大厂下一个战场是英特尔最擅长的个人计算机(PC)领域，因此三星和东芝在此时选择更紧密的合作，以对抗英特尔势力的崛起。　　不论是三星用于内嵌式产品的OneNAND产品，或是东芝未来极力看好的LBA NAND技术，现在都愿意公开技术和专利，给竞争对手生产制造，显现出三星和东芝未来连手对抗英特尔的决心。而下一步，也将拉拢海力士加入此阵营，目的都是让OneNAND和LBA NAND有越多厂商生产，未来独占市场的机率越大。　　三星的OneNAND主要是用于手持式产品中的内存解决方案，包含NAND Flash和SRAM等芯片在内，而东芝的LBA NAND更是将控制IC设计于其中，免去系统厂商在针对不同厂牌的NAND Flash，需要重新作规格设计的复杂度，未来都将积极与系统厂密切合作。　　来源网站：[DIGITIMES]