日前，三星电子正式宣布，全球首款采用Toggle DDR 2.0高速接口的MLC NAND闪存芯片将正式投产。

　　不久前，东芝宣布推出24nm工艺的NAND闪存芯片。而半个月后的今天，东芝再次宣布，正式推出19nm工艺的NAND闪存芯片，单芯片容量达8GB，是目前密度最高的8GB NAND闪存芯片。

24nm工艺已成过去?

　　日前，英特尔（Intel）与美光（Micron）公司共同宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片，重新夺回了NAND闪存制作工艺的王座。

　　据称，目前双方已经成功研制20nm制程的8GB NAND MLC闪存芯片，芯片面积为118mm²，尺寸可比同容量的25nm制程产品减少约三分之一，性能与寿命方面则基本保持一致。

　　虽然各个日本企业在地震中都有所损失，但仍然不能终止他们前进的脚步。日前，东芝正式发布了基于24nm制程技术的SmartNAND系列产品，进一步扩大了其NAND闪存的产品线。

　　近日，Open NAND Flash Interface（ONFI）组织公布了新编准规范ONFI 3.0，其通过使用非易失性DDR2（NV-DDR2）接口，使NAND闪存接口在保持向下兼容的同时，传输速率提升至400MB/s。

　　新的ONFI 3.0标准制定了详细的新NAND闪存接口与基础架构定义，不但接口速度得到有效提升，让NAND闪存控制器在拥有同样性能的同时需要的的通道数减少至原来的一半，可大大节省产品成本，减少产品体积。

　　尔必达与飞索半导体最近宣布，他们已经制造出了世界第一个charge-trapping 4Gb SLC NAND闪存，这种NAND闪存基于飞索半导体的Mirror charge-trapping技术，与尔必达公司的广岛工厂制造。两家拥有先进技术的公司合作使世界上第一款charge-trapping NAND闪存诞生了。

　　相比于floating-gate NAND闪存，charge-trapping NAND闪存的可扩展性更加强，内部结构更简单。其性能更加优秀，读写速度更加快。

　　据来内人士透露，由于目前NAND闪存芯片的库存充足，芯片供应厂商表示愿意降低部分NAND闪存的价格，32Gb的NAND闪存价格最近已降至4.3美元水平。

　　现在欧美地区的闪存卡和USB驱动器的销售仍然低迷，虽然已经进入学生回校上课的时段，但依然不见它们的销量呈上升迹象，这意味着第三季度闪存产品的销量将非常之低。

　　一年前Intel和镁光合资公司IM Flash Technologies宣布34nm TLC NAND闪存芯片研发成功，现在随着新工艺研制成功，该公司宣布开始试产25nm工艺TLC NAND闪存芯片。　　TLC NAND闪存又叫3bps NAND闪存，每个存储单元能存储3bit的数据。新的TLC NAND芯片容量为64Gb，即一颗芯片存储空间就达8GB，这是目前最小存储密度最大的NAND芯片，相信采用该芯片的话U盘、SD卡和MP4、手机这类消费电子产品的存储空间会大大提升。

　　其核心面积为131mm2，相比25nm MLC NAND闪存，相同容量的TLC NAND闪存尺寸缩小20%，有更好的成本优势，Intel相信该芯片会有很强的市场竞争力。

　　随着智能手机、平板电脑还有固态硬盘的兴起，业界对NAND闪存的需求量大增。日前，有消息报道，三星（Samsung)将与东芝（Toshiba）通力合作，开发新一代高速NAND闪存，并计划在2011年投入量产。　　这款NAND使用Toggle DDR 2.0规格内存，传输速度可达400Mbps；另外，公司方面希望20纳米级别的NAND闪存都可支持Toggle DDR 2.0规格。

　　更多消息，可参阅东芝官方网站。

　　尔必达（Elpida）和Spansion公司宣布，它们已经开始联合开发NAND工艺技术和产品，现有的合作关系将扩大到包括晶圆代工服务的闪存协议。

　　台湾创见集团（Transcend）的董事长束崇万（Peter Su）在近日发表言论：“当前DRAM的价格普片偏高，如果DRAM的单位价格能够降低到2美元以内，就可以很好地帮助刺激终端产品市场的需求”。

　　此外，束崇万还表示：“对于目前的NAND闪存价格而言，无论是芯片销售商、模组生产商还是最终的消费者都尚在可接受的范围之内”。

English Version Click Here . 　　虽然SLC闪存芯片可使SSD传输速度更快、可靠性更佳，但却存在容量偏小和成本高昂的问题，所以目前市场中的SSD产品绝大部分还是采用MLC闪存芯片。

　　日前，Fusion-io宣布研发出了一种兼备二者优点的新型存储芯片——SMLC（single mode level cell）。据称SMLC的读写性能、可靠性均可媲美SLC芯片，但成本却和MCL的差不多。

　　日前，根据DRAMeXchange的调查显示，NAND闪存芯片近期合同价格升幅明显，8GB及4GB MLC NAND芯片价格上扬达到了40%及33.33%的幅度。

　　闪存芯片合同价格的上涨是由于前段时间供应商纷纷削减产量，8英寸fab输出量锐减造成的，而且在经过一段时间的消化后，下游厂商目前正急需重新补仓，价格上涨也是情理中的事情。

　　来自市场的消息，随着三星电子减少microSD的供应，microSD卡的价格一路看涨，最高记录是一天涨了50％。

　　在今年第四季度，东芝和Hynix已经减少其NAND闪存的产量，三星审时度势，以建立一个供应紧张的市场局面，希望能提高microSD存储卡和NAND闪存的价格。

　　日前，Micron（美光）宣布与Sun（升阳）合作开发出了新的SLC NAND芯片技术，能够使其寿命大幅延长。