图中的ITRS（半导体国际技术路线图）并非一家公司，而是国际组织制定的、反应NAND整体工艺进展的路线图。从ITRS的路线图来看，业界在2012年的主流是20nm工艺阶段，今年的主流则是18nm，年底则会升级到16nm。

　　还是来看各个厂商的具体工艺路线图吧。美光、Intel合资的IMFT会在2013年Q3季度升级到18nm工艺，三星及SK Hynix升级新工艺的节点也在Q3季度，但是前者会升级到16nm工艺，SK Hynix则会升级到15nm。

　　东芝、SanDisk合资的NAND厂升级19nm比其他厂商要晚一些，不过升级到未来的1xnm工艺进度要比其他厂商快，今年Q2季度就会开始制程转换，只是现在还不知道东芝的1xnm工艺到底是多少。

　　虽然制程工艺在升级，MLC依然会是四大NAND厂商的主要选择，但是线宽的降低也给MLC带来更多的挑战，漏电流控制栅极都会导致可靠性进一步减少。低电压及低线宽（工艺越高线宽刻度越小）都会给MLC带来严重挑战。

　　为了进一步提高芯片密度，厂商们还准备将目前的2D工艺升级到3D工艺，这样可以在一个上硅芯片上布置2层电路，这就是常说的3D堆叠工艺。

　　期待在2013年晚些时候见到3D堆叠的NAND。

　　他们还预计2013年出货的手持设备中有56%是智能手机，而2012年为42%、2011年则为30%。他们认为这很重要，因为目前的智能手机使用NAND芯片的数量是一台普通手机的9倍。

　　而另一个重要用途则是固态硬盘。我们知道，容易安装、更适合笔记本电脑以及快速响应都让这类型产品迅速普及，而且近几年固态硬盘的容量都在翻倍增长，这让传统的存储设备在便携设备中备受挑战。

　　另外，IC Insights还指出，固态硬盘解决方案的高速读写速度以及低功耗特点得到了大型服务器厂商和用户的青睐，而笔记本、车载导航系统、工业设备以及一些录像机都开始采用了固态硬盘，这让NAND芯片销售额持续爆发成为了可能。

　　而同样使用NAND闪存芯片存储资料的平板电脑在近两年需求旺盛，加上我们今早报道了低价Intel平板设备（包括Windows和安卓系统）即将杀入200元价位，小编相信平板电脑将会成为NAND销量中仅次于智能手机的支柱。

东芝是NAND芯片设计、制造商之一

　　三星表示新芯片使用了Toggle DDR 2.0接口，传输速度可以达到400Mbps，而存储密度也是业界最高的。与20纳米的64Gb TLC闪存相比，10纳米的128Gb TLC闪存产品的生产力可以达到它的两倍。

　　2010年，三星首次大量生产了20纳米的64Gb TLC闪存产品，随后搭载于去年推出的840系列SSD产品。

　　供应链方面，由于Galaxy S4订单需求超过预期，三星电子正在努力加速移动内存的生产，这会导致PC DRAM产能进一步吃紧。此外，苹果供应链方面也在加速量产移动内存的生产，因为苹果今年可能会宣布不止一款手机。

　　雪上加霜的是上个月台湾发生了6.1级地震，一家台系DRAM厂商遭受严重损害，DRAM的供应进一步吃紧。

　　DRAMeXchange预测4月份的DRAM价格会继续上涨，上涨势头可能还会加速，因为PC OEM厂商目前的库存水平很低。未来会继续保持温和上涨的趋势，不过在旺季，4GB DDR3内存价格未必不会上涨到30美元左右。

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　　而今天由Innodisk推出的新款iSLC NAND闪存则是在MLC NAND基础上改进的产品，据称iSLC NAND是通过特定的闪存管理算法，把MLC NAND的2-Bit Per Cell重新编程为1-Bit Per Cell，让MLC NAND的工作方式变得更接近SLC NAND，换句话说就是通过减少单颗容量的方式来换取更长的寿命和更高性能。

　　据称，原本寿命只有3000 P/E的MLC NAND在变为iSLC NAND后，寿命将变为30000 P/E，虽然相比动挪就100000 P/E的SLC NAND而言还有一段差距，但相比MLC NAND已经是一次几何级的飞跃。如果在一块32GB的iSLC NAND固态硬盘上做写入操作，按照每天写入320GB来计算，也能连续写入7.6年，而换成MLC则只能坚持不到1年。而且在性能上，iSLC NAND的写入速度大概有SLC NAND的70%，相比MLC NAND也要快一点。

　　至于成本方面，iSLC NAND从本质上讲还是MLC NAND闪存，只是控制器改变了，因此现有的厂商无需重开生产线，只需做些许调整就能改为生产iSLC NAND，相比目前产能本来就很少的SLC NAND而言，iSLC NAND的成本无疑要低得多，要做到MLC NAND水平是完全可行的。

　　只是目前Innodisk还没有计划把iSLC NAND用到消费级产品中，目前的产品中心仍然是工业级产品，旗下部分SATA 3Gbps接口的工业级SSD已经改用了iSLC NAND闪存，SATA 6Gbps的产品则仍在策划中，预计在今年下半年登场。

　　针对数据中心应用，Intel在5月中旬会发布新DC P2950系列SSD产品，代号为是Safford Peak(萨福德山峰），使用是25nm SLC闪存。针对企业级应用，Intel准备的是Pro 1500系列，代号则是Sierra Star（塞拉里昂之星）它将使用20nm MLC闪存，首批型号有80、180、240以及350GB四种容量，Q3季度还会增加480GB型号，不过Pro 1500系列今年底可能就会被Pro 2500系列取代。

　　去年底Intel还推出了DC S3700系列，使用的是自家主控以及25nm MLC闪存，今年Q1季度还会有代号Wolfsville的DC S3500推出，NAND升级到20nm MLC。

　　以上SSD都是针对企业级或数据中心应用的，消费级的产品中Intel已经推出了20nm MLC闪存的525及335系列，今年Q1季度还会有530系列，NAND也会升级到20nm MLC，代号为Dale Crest，容量估计会跟525系列一样，到今年Q3季度会再出480GB容量型号。

　　THNSNH系列SSD有2.5寸SATA及mSATA两个类别，二者都是SATA 6Gbps接口，前者容量60GB、128GB、256GB以及512GB，mSATA没有512GB容量，只有60、128以及256GB三个容量。

　　性能方面，最大连续读取速度都是534MB/s，写入速度视容量不同有450MB/s、471MB/s以及482MB/s三个级别，使用的都是东芝自有主控和19nm MLC NAND闪存，支持TRIM。

　　此外，2.5寸的SSD厚度有7mm和9.5mm两种。

　　新出的THNSNH系列SSD除了升级NAND闪存之外还增强了数据保护技术，包括QSBC（quadruple swing-by code）以及强大高效的错误纠正等。

　　现在THNSNH系列SSD首先在欧洲地区开售，其他地区很快也会上市。

普通的NAND闪存擦除一次数据就会损伤一次物理结构

　　NAND的时代真的要结束了吗？Macronix（台湾旺宏电子）的工程师可不这么认为，在本月的2012年IEEE国际电子设备会议（2012 IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM）上他们会提交论文，披露他们对P/E次数达到1亿次的自我修复NAND的研究。

　　实际上1亿次寿命还只是目前得到的数据，带队的副处长Hang‑Ting Lue表示“实际上还真不知道（这种NAND）是否会坏，目前为止根本没看到其寿命将近的信号。这个1亿次寿命只是过去几个月测试的结果。”

　　正常的NAND每次写入数据都会击穿一次隧道氧化层，这是一种物理损害，因此NAND寿命有限，热处理可以修复这种损害，但是要想通过热处理修复这种损害，那就需要在250°C的高温下持续数小时，目前来说这是不可能的。

　　这种NAND超长寿命的机理其实也借用了PCM相变技术的某种原理，Macronix的工程师在研究PCM技术时发现其中使用的硫化玻璃（chalcogenide glass）到达熔点时会产生一种热效应。最终他们发现这种效应对NAND也会起作用，因此他们重新设计了NAND的结构，有一个精细的加热器可以加热NAND的存储单元。

　　重新设计NAND架构需要做相当多的改变，其中最关键的一个就是栅电极的改变，需要让它携带电流以加热储存单元。为此需要增加额外的二极管电路，这也会增加核心面积，工程师们也不得不重新排列存储电路以降低影响。

　　改进后的NAND架构可以让电流通过晶体管的栅极并在数毫秒内形成热脉冲，他们发现这一温度可以达到800°C，不过影响只限于栅极附近。这个热处理过程通过加热器可以修复NAND损伤，即使经过1亿次P/E循环之后，数据依然保存完好。

　　由于多了一个额外的热处理过程，这未免让人担心它对电力消耗有较大要求。Hang‑Ting Lue承认了这一点，不过表示热处理过程并不频繁发生，而且一次可以修复一个扇区，因此“它并不会榨干你的手机电池。”

　　热修复的NAND还有额外的惊喜，它可以带来更快的擦除速度（意味着更快的写入速度），通常来说这是不依赖温度的。Lue表示未来这种技术会带来一箭双雕的效果，既可以大幅延长NAND寿命，也可以加速擦除速度。

　　Lue表示Macronix公司已经在此领域取得了突破性进展，但是他没有给出具体的应用时间表，因此这一技术进入市场的时间还是未知数。

PCM相变储存技术

　　因此我们很快就会面临后NAND闪存时代，新一代闪存技术的储存密度会更高，读写速度更快，甚至可以达到RAM级别，按bit寻址而非目前的block寻址，还会拥有更高的可靠性，实现这些要求是对闪存业界的一次大考。

　　PCM闪存是一个潜在的可能，三星、美光、IBM、SK Hynix等公司都在积极开发PCM储存技术，虽然他们还在研发其他类型的非易失性闪存技术，但是储存专家EMC还是倾向于PCM技术。

　　EMC高管扎西德·侯赛因对2013年的闪存市场做了分析预测，首先他表示闪存技术已经是目前所有储存体系的基础，几乎无所不在，这一点是没有疑问的。第二，2013年我们会看到PCM闪存带来的骚动，储存业界会加大相关产品的供应，这将为现有存储体系带来低延迟、高速度的新选择，PCM闪存的速度甚至可以接近RAM。

　　EMC目前正在跟美光合作开发自有的VFCache PCI卡以及代号Thunder Box的VFCache卡，由于美光是PCM技术的支持者，或许EMC的专家此番说法是得到了美光的某些内幕消息。

　　EMC看起来非常期待PCM存储技术，侯赛因表示明年的PCM业界就会迎来更多投资。

　　显然，价格是致命伤，这样的情况下要取代SSD肯定不现实，现时这种存储器也只是属于传统硬盘和固态硬盘以外的补充性存储手段。不过当初SSD出现时价格也是贵得令人咋舌，高达数千美金，而现在已经降到120GB容量售价100美元以下，所以ST-MRAM的50倍价格也有可能在未来得到大幅下降。

　　除了价格，供电也是一个缺点。现时SSD上64GB NAND闪存约需80毫瓦电量，而ST-MRAM每GB需要400毫瓦，绝对是电老虎。在这种技术成为主流之前肯定还有很多地方需要改进，不过能有如此强劲的神物诞生足以令不少人觉得兴奋了。

　　JESD230对信号描述、封包、定义、压缩和协定进行了制定，而且在最大程度上向后兼容已有的技术。这项标准有助于可协作式系统的设计，令这种设计可以在实际上完成，支持异步SDR，同步DDR，还有Toggle DDR NAND闪存设备。

　　据介绍，JESD230标准的出现，表明JEDEC和ONFI对NAND闪存供应商在互操作性方面的工业需求作出响应，将会扩大NAND闪存的使用，对供应商和用户来说也是有利的。

　　目前三星的研究员Jaegeuk Kim已经放出了16个关于F2FS文件系统的补丁，并为Linux内核树贡献了接近13000行新代码。有业内人士认为，这个文件系统对采用闪存芯片存储数据的移动设备来说是一个福音，不过尚未有任何厂商包括三星有表示会在自己的新产品上采用该文件系统。

　　实际上，F2FS并不是首个针对闪存芯片进行优化的文件系统，微软推行的exFAT文件系统也是其中之一，不过目前多数移动设备仍然使用传统的文件系统，而不是针对闪存优化的文件系统，毕竟这些传统文件系统具备兼容性优势，新兴文件系统想要全面推广，也必须在这方面多下功夫才行。

　　除此之外，三星亦开始量产128GB的NAND闪存模组，同样使用30nm级别工艺并通过多芯片封装而成，主要针对的仍然是智能手机与平板电脑领域。纵观目前整个移动设备领域，特别是智能手机与平板电脑领域，只有部分旗舰级产品会提供64GB的内置存储空间，能配置更高容量的产品基本不存在。三星这次量产128GB NAND闪存模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础。

　　另外我们不妨如此猜测，既然三星已经量产30nm级别2GB LPDDR3内存模组和128GB NAND闪存模组，那么预计在MWC 2013大会上露面的Galaxy S IV手机，是不是该配置2GB内存和128GB的存储容量呢？这种可能性还是蛮大的。

SK Hynix的DDR4内存

　　SK Hynix现场还展示了服务器市场所用的DDR4内存，看起来已经基本完成了。上面一条是16GB registered内存，下面一条是8GB ECC内存，二者都运行在2400MHz频率。现场还有8GB SODIMM内存，时序是97-93-93，很吓人吧，这是SA网站卖萌而已，实际上内存时序未知，但是根据DDR4的潜力来看，时序不会比DDR3更高。

　　如果觉得上面的内存容量还是太小，SK Hynix还有64GB LRDIMM双列直插式以及32GB VLP DIMM半高式内存，专为1U服务器设计。

1x级NAND闪存

　　现场还有1x级NAND晶圆，虽然SK Hynix并没有说明x代表的是何种工艺，不过很可能就是19nm工艺的，与IMFT公司的20nm工艺相对应，后者将在今年底量产，SK Hynix的19nm工艺NAND应该也为期不远。