与同胞公司三星还能靠智能手机、SoC处理器弥补内存、闪存芯片业务不同，SK Hynix的营收几乎全部来自内存及闪存芯片，而后两者的价格近来一直在下跌，SK Hynix公司在技术水平、产能上又落后于三星，以致于今年Q1季度营收3.66万亿韩元（人民币209亿元），环比下滑了17%，同比下滑了24%。

该公司Q1季度毛利率从去年同期的33%下降到了15%，运营利润只有0.562万亿韩元，净利润是0.448万亿韩元（人民币25.5亿元），环比下降了49%，同比则是暴跌了65%，只有去年同期的1/3左右。

与上一季度相比，SK Hynix公司的DRAM芯片出货量、平均价格分别下降了3%、14%，主要原因是PC、服务器以及移动内存市场需求不振。闪存方面，出货量及平均售价也分别下降了11%、12%，原因是移动设备需求不足。

目前SK Hynix正在增加2Z nm（21nm）工艺的移动DRAM生产，并开发1Z nm DRAM芯片。闪存方面，SK Hynix公司正在向1Y nm工艺平面NAND闪存升级，并加速扩大3D NAND闪存生产，该公司预计今年下半年量产48层堆栈的3D NAND闪存。

业绩如此不景气，SK Hynix公司减少投资也成了必然之事，公司总裁Kim Joon-ho向投资者表示今年的资本投资会减少，公司将会集中精力在提升技术水平而非扩大市场份额上。

根据SK Hynix公司报告，他们向中国无锡、韩国清川及仁川市的工厂投资了6.6万亿韩元（人民币约376亿）。

据韩国媒体报道，加拿大皇家银行RBC高级分析师Amit Daryanani本周一发表分析报告，预测2016年全球存储芯片资本支出额为502亿美元，比上一年减少4%。看起来变动不多，但三星一家就减少了40亿美元的支出，同比下降了31%。

三星是DRAM厂商中工艺最先进的，前不久宣布率先量产18nm工艺DRAM芯片，而目前的产能有70%都已经升级到20nm工艺节点，但这也意味着三星不会大规模投资产能建设了，内存领域的资本支出将减少26亿美元。

闪存方面同样如此，三星数年前在中国西安投资70亿美元建设3D NAND闪存工厂，去年底该工厂已经开始规模量产第三代V-NAND闪存了，随着工厂进入全功能运营阶段，三星在NAND领域的投资也将下降到10亿美元。

另一家韩国公司SK Hynix同样也会削减资本投资，预计今年会减少6万亿韩元。分析师称SK Hynix正在为升级20nm DRAM芯片产能投资，但在3D NAND领域进行重点投资的可能不大，他们的产能ASP平均售价及技术面临挑战。

三星、SK Hynix放缓存储芯片投资跟营收表现息息相关，预计今年Q1季度的财报中双方都会披露新的投资计划。分析师称宏观经济压力导致了半导体产业下降，进而抑制了资本支出。厂商们的运营利润下降速度历史性地超过了营收下降速度。

SK Hynix预计Q1季度的运营利润只有5000亿韩元，去年同期还有1.58万亿韩元。三星日子也没好到哪里去，去年Q1季度运营利润是2.93万亿韩元，今年Q1季度降到了2.6万亿韩元。此外，三星存储芯片之外还可以依赖处理器芯片弥补部门法损失，而SK Hynix主要的营收都是来自DRAM及NAND存储芯片，情况比三星更糟。

美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报，当季营收29.3亿美元，上季度为33.5亿美元，去年同期为41.66亿美元，同比下滑了30%。

美光当季毛利只有5.79亿美元，远远低于上季度的8.49亿及去年同期的14.05亿美元，再扣除4亿美元的研发费用、1.75亿美元的营销等费用之后，美光运营亏损500万美元，但是当季还有8500万美元的利息等支持，所以美光这个季度净亏损了9700万美元，而去年同期净利润9.34亿美元，上季度净利润也有2亿美元。

导致美光业务表现不佳的原因是DRAM及NAND市场价格或者出货量下降，其中DRAM内存报价、出货量双双下滑10%，而NAND闪存虽然出货增加了，但是价格跌了15%，因此NAND业务营收反而下降了6%。

值得一提的是，美光在NAND业务方面的表现都引起了合作伙伴Intel的不满了，他们不光甩开美光单开3D XPoint闪存，现在产品上也逐渐放弃与美光合资的IMFT公司的闪存，转而采购SK Hynix的闪存。

对美光来说，更杯具的是这种情况一时间还无法好转，因为DRAM内存、NAND闪存继续跌价已经是今年的大趋势，美光对本季度的预测也略显悲观，营收在28-32亿美元之间，而利润方面还会继续亏损下去。

美光公司Q2季度的资本投资是12.3亿美元，当季拥有的现金及市场投资价值51.4亿美元。

财报发布之后美光股价还上涨了0.29%，股价为10.48美元，市值109.5亿美元，不过美光的市值这一年中已经下跌了超过60%。

PS：紫光公司奉劝美光迷途知返，及早接受中国爸爸的投资才是美光唯一的出路。230亿美元的投资都顶得上2个美光市值了。

武汉存储器产业基地背后的出资人有国家队的大基金，也有地方队的湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金及湖北科技投资集团，预计5年内投入240亿美元，2018年建成投产。至于产能，当初提到的是每月20万片晶圆，这个产能已经很强大了，不过后期还会继续增加，2020年预计产能可达30万片晶圆每月，到了2030年则会提升到100万片每月。

国际通行的半导体产能衡量指标是统一到8英寸晶圆产能上，根据2015年统计的数据，全球产能最大的半导体公司是三星，总产能是每月253.4万片，第二名是TSMC，每月产能为189.1万片，第三名是美光，每月产能160万片晶圆，第四、第五分别是东芝/闪迪、SK Hynix，产能134.4万片、131.6万片，第七名则是GlobalFoundries，产能为76.2万片。

产能TOP5的公司都是经过多年投资的大厂，而武汉存储器基地建成之时的20万片晶圆产能算不上，但2030的100万片晶圆产能就不可小觑了，差不多能达到SK Hynix与GlobalFoundries之间的量级了。——用15年后的产能比现在的水平虽然不公平，但别忘了武汉的晶圆厂只是中国发展半导体产业的一部分，其他城市还有更多类似项目，总体发展速度远远超过国际公司，后者新建晶圆厂的动机并不高。

此外，武汉基地的晶圆厂瞄准的是整个存储器产业，第一阶段的晶圆厂会主攻NAND闪存，而且是3D NAND闪存，第二家工厂则是针对DRAM内存芯片，第三个阶段的工厂要为供应商服务。

国内投资建设的项目从来不缺资金，发展目标同样也非常远大，100万片晶圆产能依然是个开始，这个项目的目标是做全球行业龙头。中国大基金总经理丁文武在采访中也表示大基金的投资方面就是做行业龙头，不做一般的风险投资、天使投资。

不过在巨额资金及雄心壮志背后，武汉基地的存储芯片技术水平依然是个迷，虽然直接切入新一代的3D NAND闪存，但今年国际主流的3D堆栈层数已经达到了32-48层，新芯科技与飞索半导体研发的3D NAND据说只有8层堆栈，建成工厂还需三年左右时间，届时技术差距又该如何缩小呢？

国产存储芯片这个项目曾经吸引了国内多个城市竞争，去年确定落户武汉市，由武汉新芯公司负责建设、运营。值得一提的是，在竞争中落败的合肥市并没有放弃，他们联合了前尔必达董事长坂本幸雄设立的兆基科技公司投资8000亿日元在合肥建造另外的存储芯片厂，国内一下子要造出两个存储芯片基地了。

合肥的项目还没有最终成行，相比之下武汉的国产存储芯片建设已经踏上正轨了，本月28日就会举行首座12英寸晶圆厂动工仪式。他们的最终目标是筹资240亿美元，至少会有2座12英寸晶圆厂，月产能高达30万片晶圆，日后将成为中国最大、最先进的存储器研发与生产制造基地。

武汉新芯公司成立于2006年，是湖北武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸晶圆厂投产，原本是中芯国际旗下的晶圆厂，2013年中芯国际推出运营，武汉新芯成为独立公司，由武汉市政府负责。目前武汉新芯战地面积531亩，现有一座12寸晶圆厂，主产NOR闪存。

相比NAND闪存及3D闪存，NOR闪存目前来说已经不是主流了，这意味着新芯公司与国际公司存在的技术代沟。此前该公司也曾寻求与三星、SK Hynix及美光等公司技术合作，但最终都没有结果，因此武汉新芯公司将采用自主研发、自主建厂的方式运营。

根据之前的消息，新芯公司之前跟Spansion飞索半导体合作开发3D NAND闪存，这应该是他们的闪存技术来源了，但是不确定这种3D闪存的技术水平到底如何。

武汉新芯公司官网上今年的新闻只有一条，不过最新的几条新闻都是围绕3D NAND闪存的，看起来他们也确实把3D闪存作为攻坚重点。

目前存储芯片市场上，随着新工艺及投入的增大，三星、SK Hynix等公司的产能都在迅速提升，下半年内存价格都有可能暴跌40%，NAND闪存市场同样也会降价的压力，这对国产存储芯片公司来说是个考验。综观国内液晶及LED产业的崛起，国内公司都是靠着政府支持及补贴大打价格战来占领市场的，存储芯片领域同样难逃这个命运。我们在支持国内公司做大做强的同时，也希望这些公司能以技术优势立足而不是一味拼低价，国内的钢铁产业现在就是个“榜样”。

集邦科技旗下DRAMeXchange日前公布了2015年Q3季度全球NAND市场营收情况，总营收85.023亿美元，环比只增长了2.4%。Q3季度理应是旺季，但原先看好的旺季并没有出现，全球经济大环境的不稳使得NAND市场销售没有达到预期，NAND供过于求，价格下滑，而且这一趋势在今年Q4季度也会继续下去，市场面临考验。

2015年Q3季度全球NAND市场营收

三星当季以26.811亿美元营收位列第一，但营收环比下滑了1%，Q3市场份额为21.5%，也比Q2季度的32.6%有所下降。

东芝以17.44亿美元营收位列第二，环比增长了10.2%，当季市场份额20.5%，比上季度的19.1%增长14个百分点。东芝营收大涨主要依赖15nm NAND闪存出货增长了50%，同时客户对15nm TLC闪存在智能手机应用前景看好。

目前东芝的Fab 2晶圆厂已经开始进入试产阶段，预计明年Q1季度即可小规模量产3D NAND闪存，Fab 5晶圆厂则继续生产15nm MLC及TLC闪存，更新制程的3D NAND闪存也会试产。

闪迪虽然已经被西数收购，不过Q3季度表现很好，排名上升到第三，营收13.099亿美元，大涨了17.7%，份额从上季度的13.4%增加到15.4%。闪迪的高速增长也主要来自移动手机等业务，虽然平均价格下降了22%，但当季出货量增长了49%，营收不涨都不行。

美光位列第四，当季营收11.76亿美元，下滑了6.5%，市场份额也从15.2%下降到了13.2%。

第五位的是SK Hynix，营收9.27亿美元，下滑4.7%，市场份额从11.7%下降到了10；9%。目前SK Hynix的TLC闪存也逐渐升温，年底前将达到40%的出货量比重。

第六位的是Intel了，营收6.63亿美元，下滑0.3%，市场份额从8%下降到了7.8%。Intel在闪存市场营收、份额如此之低可能出乎很多人的意料，不过Intel NAND闪存的重点本来就是企业级市场，消费级市场并不在意。现在他们的NAND生产依赖与美光合资的IMFT工厂，但Intel已经投重金在中国大连建设新一代闪存厂了，新兴的3D XPoint闪存将是未来的重点，而Intel日前在投资者会议上也表态了，存储芯片是未来保持业务增长的一个重点。

三星这两年获得更高的NAND及DRAM份额主要是靠技术推动，他们去年就率先量产了V-NAND技术的3D闪存，三星之外的其他公司要到今年才开始生产。SK Hynix表示他们去年成功开发了24层堆栈的3D闪存，今年也准备大规模量产3D闪存了，首次量产的则是36层堆栈的3D闪存，今年底还会准备48层堆栈的3D闪存量产工作。

三星量产的V-NAND闪存是32层堆栈的，不过今年下半年也准备量产48层堆栈的，Intel/美光系公布的3D NAND闪存也是32层堆栈的，更多堆栈的也在研究之中了。东芝、闪迪也在日本四日市新建Fab 2工厂，预计2016年才会大规模量产3D闪存。

除了3D闪存，SK Hynix也会继续加强传统的平面闪存，很快会推出16nm TLC闪存，并在Q2季度将TLC闪存产能提升到10%的比例，今年底达到40%的比例。此外，Q3季度他们还会推出16nm TLC闪存的SSD，并会把TLC SSD的比例提升到20-30%。

内存方面，三星的20nm工艺已经大规模量产了，SK Hynix还需要不断提升产品。位于韩国京畿道省利川市的M14 DRAM晶圆厂已进入最终阶段，半导体设备已经备货了，预计从年底开始运营。一旦开始正式生产，其产能将达到每月1.5万片晶圆。

不过SK Hynix在技术上还有点落后，他们预计要到明年6月份才能提供后10nm工艺的DRAM样品，而三星已经准备量产后10nm工艺DRAM内存了。

市场调研公司iHS日前发布了2014年全球SSD市场份额报告，其中三星毫无悬念地位列第一，全年SSD业务营收39.96亿美元，市场份额34%。第二位的是Intel，全年营收19.9亿美元，正好是三星的一半，市场份额为17%。

第三位的是闪迪，营收19.15亿美元，与Intel差不了多少，市场份额也是17%左右。

再往下就是美光了，但营收跟前面三位就差了一个量级，8.77亿美元的营收占据了8%的市场份额。第五位则是东芝，7.62亿美元的营收占据了了7%的份额。

前五位都是全球四大NAND豪门中的，例外的就是SK Hynix，他们排名第十，SSD业务营收只有1.5亿美元。

这几家之外，排名第六的是建兴，7.35亿美元的营收其实比东芝没少多少，市场份额为6%。

再往下就是西数，营收5.9亿美元，第八位的则是金士顿，营收3.18亿美元，第九位的是希捷，营收1.65亿美元。

2014年全球SSD市场营收为115.83亿美元，预计2015年、2016年营收将会增长到131.27亿、141.26亿美元，三星未来两年的份额还将提升到35%。