不过在去年，美光改变了消费市场的销售策略，选择将重点放在英睿达品牌上，结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。这并不意味着美光放弃自有品牌内存，这次就推出了英睿达品牌的Pro系列内存，涵盖了DDR4和DDR5产品，进一步拓展了产品线。

首批Crucial Pro系列内存分为DDR4-3200和DDR5-5600两种规格，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。另外与Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。

新款Pro系列DDR5-5600内存的工作电压为1.1V，时序为CL46-46-45-45，DDR4-3200内存的工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22-22，相比于许多同类产品并不是十分突出。DDR5-5600款提供了32GB（2x 16GB）套装，价格为114.99美元（约合人民币596.73元）。DDR4-3200款提供了32GB（2x 16GB）和64GB（2x 32GB）套装，价格为69.99美元（约合人民币363.21元）和价格为141.99美元（约合人民币736.85元）。

官方称该产品为“世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD”，采用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭载了群联电子的E26主控芯片，支持NVMe 2.0，针对高性能游戏、图片和视频编辑设计，合作伙伴还包括有AMD、英伟达和华硕。其特点如下：

连续读/写速度高达12400MB/s和11800MB/s。

接近于PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍

提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是针对游戏和UHD/8K+视频

与英特尔第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列处理器相兼容

向后兼容PCIe 3.0/4.0

采用美光232层TLC NAND闪存

提供了被动散热器，同时也会有不配备散热模块的产品销售

利用微软DirectStorage技术可减少游戏纹理的加载时间

使用TCG Opal 2.01进行了硬件加密，保证存储安全

目前市面上销售的PCIe 5.0 SSD，连续读/写速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe 5.0 SSD的12.4GB/s和11.8GB/s显然要更快一些。由于美光放弃了主动散热解决方案，用户不必担心运行时会产生不必要的噪音。美光称，搭配的散热器做了优化设计，挑选了针对性的材料，配有镀镍铜底板和铝制散热模块，表面是光滑的，以最大限度提高空气的流通。

美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，成立于1978年，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器，总公司（Micron Technology, Inc.）设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西。

几天前，美光公布了2023财年第二财季财报（截至2023年3月2日），季度营收为36.9亿美元，低于分析师预期的37.1亿美元，也低于上个季度的40.9亿美元及上一财年同期的77.9亿美元，同比下降53%；净亏损为23.1亿美元，上一财年同期净利润为22.6亿美元，每股摊薄亏损为2.12美元；运营现金流为3.43亿美元，上个季度为9.43亿美元，上一财年同期为36.3亿美元。

这是美光过去二十年来最严重的季度亏损，上一次出现如此规模的季度亏损是2003财年第二财季，当时净亏损为19.4亿美元。美光预计2023财年第三财季的营收在39亿美元左右，高于市场预期的37.5亿美元，每股摊薄亏损为1.51至1.65美元，也高于分析师预期的亏损0.84美元。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在充满挑战的市场环境中，美光第二财季的收入在美光的指导范围内，客户的库存状况正在好转，美光预计行业的供需平衡将逐步改善。美光对长期需求仍有信心，并正在审慎投资以保持其技术和产品组合的竞争力。

美光首席财务官Mark Murphy认为，美光即将迎来季度营收增长的转折点，接下来将专注于大幅提高盈利能力，而且会在2024财年内实现正向自由现金流。

美光同时宣布，除了高级主管减薪、全面停发2023财年年度奖金外，裁员的比例从整体员工数的10%提高至15%，而且2023年12月底之前不会补充空缺的岗位。此外，美光会进一步削减2023财年的资本支出，预计投资额在70亿美元左右，相比上一财年减少超过40%，其中晶圆厂设备的资本支出预计减少超过50%，2024财年很可能还会继续缩减。

3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

据Boise State Public Radio报道，美光正在考虑进一步裁员，这次大概会减少5%的员工。去年美光首席执行官Sanjay Mehrotra已宣布，将通过自愿减员和裁员相结合，并减少外部招聘的方式进行裁员，2023年将员工人数减少约10%。加上这次的5%，也就是说美光的裁员比例达到了10%。美光全球员工数量大概在4.9万人，这意味着大概有7500人受到影响。美光的裁员将在2023年内分阶段进行，除非市场情况有大幅度的改善，对美光产品的需求有明显的回升。

此外，美光还要降低资本支出，涉及的范围不仅只在2023年，还有接下来的2024年，尽管美光对新工厂的建设充满期待，但不能不面对一系列的难题。目前美光已经将DRAM和NAND闪存的产量减少了20%，同时还放缓了技术节点过渡的时间，将1γ工艺节点延后至2025年。美光在232层3D TLC NAND上停留的时间比最初计划的要长，这可能会导致美光失去市场，拱手让给三星和SK海力士这样的竞争对手，而且也会被后来者追赶。

美光将在3月底公布2023财年第二财季财务，美光预计与上一季度相比，收入将减少约3亿美元。

除了裁员以外，美光还大面积降低了高管的薪金。资料显示首席执行官Sanjay Mehrotra的薪资将减少20%，执行副总裁降薪15%，资深副总裁降薪10%，名单内的高层奖金也会全暂停发放，同时董事会里非雇员成员的报酬也将减少20%。

除了本土以外，美国在全球其他地方近期都有裁员行动。美光在中国台湾地区近日也开始了裁员，这里有着美光最大的DRAM生产基地，员工总数约为1.1万人。据称美光这次是无预警裁员，通知后马上走人，预计2月底前会有大概1000名员工受影响。此外，美国在新加坡也开始了裁员，这里约有9000名员工。这次被裁减的主要是资历较浅的员工，整个裁员行动将持续到2月18日。

美光新一代DDR5内存符合DDR5-5200和DDR5-5600标准，工作电压为1.1V，延迟均为CL46。其中DDR5-5200的单条容量为8GB、16GB和32GB，DDR5-5600的单条容量除了传统的8GB、16GB和32GB以外，还有24GB和48GB提供给用户选择。

一般来说，24GB和48GB被认为是新一代服务器和工作站的最佳选择，因为系统可以更为精确地平衡内存容量和处理器内核数量，同时还可能带来更低的成本。比如构建工作站或HEDT平台，需要四通道或八通道DDR5内存，使用24GB的DDR5内存会比32GB更为便宜。由于支持XMP 3.0和EXPO技术，所以这些DDR5内存模块也是针对游戏玩家的产品。

美光暂时还没有提供这些DDR5-5200和DDR-5600内存的价格，以及具体的发售时间。由于2023年第一季度PC需求降低，DDR5内存的价格预计会下降18%到23%，美光甚至削减了内存芯粒的产品，以应对市场的变化。预计美光这些新的DDR5内存模块尽管有着更大的容量和更高的性能，但价格相对会比较便宜。

据TomsHardware报道，美光预计3D NAND位产量在明年只能以“个位数百分比”增长，同时明年将减少DRAM位产量。目前美光正处于2023财年第一财季，对本季度的影响不大，由于3D NAND和DRAM的生产和测试/封装周期相当长，市场将在几周内感受到美光减产的影响。与此同时，现货价格可能会对美光的动作做出更快的反应。

美光在今年夏天开始生产232层的3D TLC NAND闪存，并在早些时候开始以1β（1-beta）工艺节点生产DRAM芯片，这些新的技术节点本身是能够降低成本并增加位产量。不过随着市场状况的恶化，美光已减缓了生产，以限制位产量。

据美光披露，其2023财年的资本指出总额约为80亿美元，相比2022财年下降了30%，削减的部分主要涉及新晶圆厂的设备采购，这会减缓最新制造技术引入。美光称，正在“努力尝试进一步削减资本支出”，不过没有详细说明情况。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，会继续监测行业状况，并根据需要做出进一步调整，尽管市场近期面临周期性挑战，但仍然对市场的长期需求充满信心，从长远来看，预计3D NAND和DRAM收入增长将超过半导体行业的其他部分。

这是由于美光的232层3D NAND芯片在产量和成熟度方面都领先于其他厂商，不过现在的问题在于I/O传输速率为2400 MTps的3D NAND芯片良品率过低，不过如果将速率降低到1600 MTps，情况会好很多。技嘉采购的应该是2400 MTps的3D NAND芯片，美商海盗船和Goodram则是降速后的芯片。

之所以这么做，可能与厂商采取的销售策略有关。美商海盗船和Goodram为了能保证更稳定地供应，这种选择更为实际，技嘉则需要保证采购到足够多数量的2400 MTps 3D NAND芯片才行。相信接下来还会有其他SSD厂商采购美光的232层3D NAND芯片，同样需要作出类似的选择。

美光表示，这是受到人工智能和5G网络的推动，同时也确保了供应美国本土的汽车和数据中心等细分市场所需要的内存芯片，2030年前会在美国本土投资大概400亿美元，分阶段建立内存芯片制造厂。美光预计该项投资将在2030年前，为爱达荷州创造1.7万个就业机会，其中2000个属于直接岗位。

目前美光的生产和研发网络遍布全球13个地区，在过去的近半个世纪里，总积累了超过4.7万件专利。每年会花费数十亿美元用于研发，大部分投资都用在美光位于美国总部运营的研发中心，这是世界最先进半导体技术开发中心之一，会进行前沿的研究、设计和开发工作。此次新建的内存芯片制造厂与研发中心位于同一位置，可提高运营效率、加速技术部署并缩短产品上市时间。

在去年10月，美光宣布在未来十年内，计划在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发，包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光认为，内存和存储芯片在全球半导体行业中所占的比重正不断增长，目前约占半导体市场的30%份额。

目前美光已更新官网上的信息，显示已开始量产速率为24 Gbps的GDDR6X，同样是容量为16Gb模块。这意味着美光开始为英伟达基于Ada Lovelace架构GPU做准备，传闻GeForce RTX 4090/RTX 4080/RTX 4070都将采用GDDR6X显存。美光曾表示，在GDDR6X中对PAM4信号传输技术方面的创新使其比其他GDDR6产品更加节能。

与目前的GeForce RTX 3090 Ti一样，下一代GeForce RTX 4090的显存位宽均为384位，在同样拥有24GB显存的情况下，显存颗粒数量为12个，都可以安排在PCB的正面。这不但简化显卡的设计，而且可以降低显卡背面的散热需求。

24 Gbps GDDR6X解决方案预期带宽：

512位解决方案 - 1.5 TB/s

384位解决方案 - 1.1 TB/s

320位解决方案 - 960 GB/s

256位解决方案 - 768 GB/s

192位解决方案 - 576 GB/s

128位解决方案 - 384 GB/s

96位解决方案 - 276 GB/s

64位解决方案 - 192 GB/s

此前美光高性能内存和网络副总裁兼总经理Mark Montierth表示：

“美光是GDDR6X的行业领导者，这有助于为最严苛的应用带来更强的性能。美光再次站在了存储器创新的前沿，为当今最高带宽解决方案提供了动力，并采用先进的工艺和接口技术，在图形性能方面继续处于领先的位置。”

这款232层NAND闪存引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4 GB/s，比176层的NAND闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存，不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。

此外，美光的232层NAND闪存是首款支持NV-LPDDR4的产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上能耗。232层NAND闪存的紧凑外形为产品的设计提供了更多的灵活性，其每平方毫米TLC密度为14.6 Gb/mm²，比其他同类产品提高了35%到100%。另外，232层NAND闪存采用新的11.5 x 13.5 mm封装，尺寸比前几代产品减小了28%，使其成为市面上最小的高密度NAND闪存，能最大限度地减少电路板空间。

美光表示，232层3D TLC NAND闪存已经在其位于新加坡的工厂开始批量生产，首批芯粒将用于英睿达（Crucial）的消费端SSD，随后再供应给其他产品使用。