SK海力士强调:“自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM）至第五代HBM（HBM3E），公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。”

据官方的介绍，12层堆叠的HBM3E采用了12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为了实现此目标，SK海力士将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。此外，SK海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题，将先进MR-MUF工艺应用到新产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

SK海力士确认，将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E产品。

SK海力士表示：“CXL作为继HBM之后的下一代面向AI的存储器产品而备受瞩目，公司自主研发的CXL优化软件HMSDK，其性能已获得国际认可，并成功应用于全球最大的开源操作系统Linux中。这标志着不仅是如HBM等超高性能硬件实力方面，公司的软件竞争力也获得广泛认可，具有重大意义。”

HMSDK能够根据传统存储器与扩展CXL存储器之间的带宽差异，灵活进行差异化存储分配。在无需对现有应用程序进行任何调整的前提下，实现了存储器组合的带宽扩展30%以上。该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，能够将高频使用数据迁移至更快的存储器中，从而使性能较传统系统提升了12%以上。

今年下半年，首批支持CXL 2.0标准的服务器处理器就会出现，标志着CXL内存模块将正式进入商业化阶段。目前SK海力士正对96/128GB的CXL 2.0内存模块进行客户验证，并计划在年底实现量产。

上个月SK海力士系统架构副总裁Park Kyung出席了在韩国首尔举行的学术活动，其中谈及了人工智能（AI）与存储器的进展和相互关系，认为现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，新型的CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

英特尔主要问题来自于数据中心和人工智能事业部（DCAI），被AI业务进展缓慢所拖累，过去一年多里并没有完全乘上AI迅猛发展的东风。据相关媒体报道，得益于AI业务对存储器的需求增长，预计英特尔2024年第三季度的收入将低于三星，甚至不如SK海力士，另外也不敌近期3nm订单暴增的台积电（TSMC），更是被英伟达远远抛在了身后。

英伟达预计2025财年第三财季（8月到10月）的收入将达到325亿美元，很大机会成为半导体行业的领导者，即便最近新一代Blackwell架构产品在生产上出现了一些问题，导致收入略微下降也没有太大关系；受惠于市场对3/5nm工艺的强劲需求，台积电预计2024年第三季度的收入将在224亿美元至232亿美元之间，显然在享受AI热潮的红利；三星和SK海力士一般都不会提供季度的业绩指引，不过市场机构预测，前者2024年第三季度的半导体业务收入在217.12亿美元左右，后者则在128.34亿美元左右。

英特尔主要竞争对手AMD，预计2024年第三季度的收入约为67亿美元。虽然总体上比不上英特尔，但是单纯对比数据中心业务，AMD在第三季度有可能会超过英特尔。之前的第二季度里，AMD的数据中心业务收入为28.34亿美元，而英特尔为30.5亿美元。

与三星有业务往来的部分合作方证实了这种说法，但是还不清楚三星具体裁员的细节，暂时还处于保密状态，不知道到底会涉及哪些国家或业务部门。其中半导体部门最近的压力似乎越来越大，三星在今年5月更换了负责人，以应对持续的危机，试图在高端存储芯片方面赶上竞争对手SK海力士。此外，三星在晶圆代工方面也远远落后于台积电（TSMC），良品率问题迟迟得不到解决，在高端智能手机市场，三星也面临来自苹果和中国厂商的激烈竞争。

同样来自韩国，SK海力士的母公司SK集团的日子好像也不太好过，有较大的财务压力。有媒体称，SK集团打算进行一次重大的人员重组，作为其更广泛重新调整业务组合和降低成本计划的一部分，一些主要的附属公司可能会削减20%的高管职位，特别是石油和化工行业。

新产品PEB110与PS1010一样，基于PCIe 5.0打造，传输速度比目前PCIe 4.0高一倍，因此PEB110的数据传输速度能达到32GTs，性能较上代产品提升一倍，且能效提升30%以上。新产品还配备了SPDM（Security Protocols and Data Model），这是SK海力士首次将其应用在面向数据中心的SSD上。SPDM是专门用来保护服务器核心安全的解决方案，支持服务器的安全认证和监控，能防范来自外部的网络攻击，大幅提升数据中心的信息安全。

PEB110的外部形态采用更小巧的单片式形态，目前已开发出三种容量版本：2TB/4TB/8TB，并且支持OCP 2.5版本，提升产品在全球范围内的适用性。SK海力士NAND闪存解决方案委员会副社长安炫表示：“这款产品基于已获得最高性能认证的238层NAND闪存开发而成，在成本、性能、质量方面确保拥有业界最高水平的竞争力。我们将继续推进客户验证及量产流程，在持续增长的数据中心SSD市场需求中，巩固全球顶级面向AI的存储器供应商领导者地位。”

SK海力士在Semicon Taiwan 2024上还指出，定制化将成为HBM的一个重要趋势，标准和定制HBM之间的主要区别在于基础逻辑芯片，因为已经集成了客户的IP，不过两者具有相似的核心芯片。与其他DRAM产品不同，HBM在定价和设计方面将越来越多地脱离标准DRAM框架，转向更专业的生产。

此前有报道称，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作。

事实上，SK海力士对直接将逻辑芯片与HBM堆栈集成特别感兴趣，同时客户也对3D封装表现出了兴趣。SK海力士打算在未来三年内将小芯片技术集成到其内存控制器中，以改善成本管理。SK海力士表示，Chiplet不仅应用于HBM产品，还将用在SSD的SoC主控上。

据Business Korea报道，Park Kyung强调人工智能系统的性能严重依赖于内存，现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，但现在的大型语言模型（LLM）需要处理尽可能多的数据，要求存储芯片尽可能地靠近，这意味着现有的系统架构需要改变，从半导体到应用程序都必须同时改变，才能解决问题。

Park Kyung进一步阐述了SK海力士为解决这些问题所做的努力，积极地开发96GB的DDR5和支持CXL 2.0的128GB内存模块，并计划今年下半年实现商用化。Park Kyung认为，CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

Compute EXpress Link（CXL）作为一种开放性的互联协议，最新规范已来到CXL 3.0。其建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上，能让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并提供更高的带宽及更好的内存一致性。

SK海力士和三星都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，计划加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

SK海力士是在基于目前最高性能的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺扩展平台上，以最高效的方法开发出1cnm工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内最高性能DRAM转移到新工艺。在这个过程中，SK海力士运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。与此同时，SK海力士在1cnm工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1β (b) nm工艺相比，生产率提高了30%以上。

这次1cnm DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速率为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，SK海力士称改用1cnm DDR5 DRAM后，可以为数据中心节省30%以上的电费。

SK海力士表示，新的1cnm工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，计划应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。

根据zdnet的报道，SK海力士下一代HBM4内存预计将在明年下半年开始量产，流片基本就是芯片设计的最后阶段，说明芯片设计已经基本完成，开始送去试产并完成最后验证，并在确认没有问题后才能开始制造。目前SK海力士是NVIDIA AI芯片的重要HBM内存供应商，几个月前他们已经率先提供HBM3E内存。而HBM4内存则是下一个重要的技术节点，它可提供更快的速度，可提供卓越的能效和更高的带宽。

HBM4与HBM3E相比，位宽直接翻倍，从1024位提升至2048位，拓宽了数据传输带宽，这对新一代AI芯片来说至关重要。HBM4允许堆叠16个DRAM芯片，而HBM3E则是12个，支持24Gb和32Gb的颗粒，这让单颗芯片堆栈容量达到64GB，而HBM3E只有32GB。

SK海力士最近承诺提供比其现有HBM高20到30倍的性能，这进一步加剧了竞争，因为三星也计划在下季度推出自己的HBM4内存。虽然三星未像SK海力士那样迅速通过HBM3E内存的质量检查，但在HBM4内存的竞争上三星是SK海力士的重要竞争对手，也是NVIDIA与AMD的HBM4内存的重要供应商。

据Wccftech报道，SK海力士副总裁Ryu Seong-su在一次活动上透露，正在努力通过推出高端下一代HBM内存产品来快速创新该领域。SK海力士计划进一步完善AI价值链，目标是开发一种新的HBM，性能大约是当前产品的20至30倍，以在竞争激烈的HBM市场中获得领先地位。

此外，SK海力士还会将重点放在产品差异化上。不过SK海力士并没有透露具体是什么类型的HBM，或者具体是什么样的产品。

为应对用于人工智能市场需求的大幅增长，此前SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。

为了将HBM产品的性能提升到一个新的水平，传闻SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。SK海力士称，已经得到了人工智能市场主要科技公司的极大兴趣，包括苹果、微软、英伟达和谷歌等，未来将满足客户的定制要求。

据TrendForce报道，三星在存储器领域的主要竞争对手SK海力士，计划2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系统，并增加内部High-NA EUV开发人员的数量。与三星打算将High-NA EUV首先用于晶圆代工业务不同，SK海力士有望用在最先进的DRAM产品上。SK海力士暂时没有透露具体的计划内容，比如安装设备的工厂或者追加投资方向等。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生产了8台TWINSCAN EXE:5000，这是第一代High-NA EUV产品，其中英特尔占据了最多的数量，近期将迎来第二台High-NA EUV光刻机，而三星则是ASML首批产品的最后一个订单客户。

由于High-NA EUV光刻机定价较高，有传言称达到了3.8亿美元，使得半导体制造商在投资上普遍都比较谨慎。

由于HBM产品具备较高的附加值，为了满足市场的强劲需求，存储器制造商普遍将更多的产能转移到HBM芯片生产上，从而导致普通DRAM芯片供应变得紧张。据相关媒体报道，有业内人士透露，由于HBM3和HBM3E挤占产能，加上下游AI服务器订单增加，坚定了SK海力士涨价的决心，计划上调DDR5的价格，幅度在15%至20%。

DRAM市场上仅次于三星、SK海力士和美光，位于第四位的南亚科技（Nanya），最近已经开始量产DDR5，预计将从这次涨价中受益。其出货的是16Gb DDR5芯片，采用了目前DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）技术。

此前SK海力士称，2024年的HBM产能已经售罄，2025年的产能也基本被预订完了，计划将现有20%以上的DRAM产能分配给HBM，减少了DDR4和DDR5芯片的供应。随着SK海力士的产能转移，加上对DDR5的定价进行调整，预计会逐步反映到市场上。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示：“非常感谢美国商务部的支持，并为实现这一转型项目而感到兴奋。目前我们正在推进印第安纳州生产基地的建设，与印第安纳州、普渡大学、以及我们在美国的商业伙伴合作，以便在西拉斐特供应领先的人工智能内存产品。我们还期待建立一个新的人工智能技术中心，为印第安纳州创造熟练的就业机会，并帮助全球半导体行业建立一个更强大、更有弹性的供应链。”

今年4月，SK海力士宣布在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能（AI）的存储器先进封装生产基地，计划向该项目投资38.7亿美元，预计将创造约1,000个工作岗位。同时还与包括普渡大学在内的当地研究机构合作，进行半导体的研究和开发。

在去年的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，SK海力士首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，并计划2025年上半年开始进入量产阶段。其属于1Tb TLC 4D NAND闪存，采用了PUC（Peri Under Cell）技术，将外围控制电路放置在存储单元下方，相比传统的外围电路侧置设计，可减少芯片占用空间，

不过在400层及以上NAND闪存上，SK海力士将采用不同于现有321层NAND闪存的结构，而是在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，然后通过W2W（晶圆对晶圆）的混合键合技术，将两部分整合为完整的NAND闪存。这种做法听起来似乎有点熟悉，因为铠侠与西部数据合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术也采用了类似的制造方法。

SK海力士希望能够加快NAND闪存技术的开发，将未来两代产品的间隔时间缩短至1年，这明显低于业界1.5至2年的平均水平。