今年5月底西数公司就已经宣布出货96层堆栈的BiCS 4闪存，当时主要是3D TLC闪存，但是QLC闪存才是新一代闪存的重点，不到两个月西数的96层堆栈QLC闪存也开始出样了，预计今年内正式量产出货。

西数的BiCS 4闪存是跟东芝一起研发的，生产工厂位于日本四日市，如今西数的96层QLC闪存已经出样，那么东芝的96层QLC闪存也快了，预计最近也会宣布出样、出货了。

很多玩家都在担心QLC闪存的可靠性，一如多年前担心TLC闪存不耐操一样，不过站在厂商的角度来看他们是没可能放弃QLC闪存的，因为容量密度的诱惑太大了——西数这次出样的QLC闪存核心容量1.33Tb，要比之前美光/英特尔发布的QLC闪存的1Tb密度还要高33%，号称是业界最高容量。

1.33Tb的核心容量是什么概念？目前3D MLC闪存的主流核心容量还是256Gb，3D TLC也是256Gb核心为主，部分是512Gb，美光/英特尔可以做到768Gb，他们的QLC闪存可以做到1Tb，但是西数的是1.33Tb，换算一下就是166GB，这还是一颗核心的，一片闪存中通常是4-8颗核心，而2.5寸SSD硬盘的PCB中至少可以放4片闪存，这意味着2.5寸SSD硬盘随便玩玩就能实现3-5TB的容量，如果多堆点核心，10TB的SSD也是小菜一碟。

美光发布的QLC硬盘是7.6TB的，此前英特尔就被曝准备推20TB容量的SSD硬盘，不过厚度就要高一点，达到了15mm。

当然，上来就搞这么大容量也不现实，倒不是技术做不到，而是要考虑消费者承受的成本，无论如何未来普通人要想用上TB级的低价SSD硬盘，只能等QLC闪存硬盘了。

与美光/英特尔不同，西数的QLC闪存硬盘将首发于闪迪旗下的消费级硬盘中，现在就看到时候的价格了。

DRAMeXchange表示其实每年的头两个季度对电子消费品来说是传统的淡季，而且厂家的64/72层3D NAND的产能正在稳定提升，单颗闪存的存储密度也在增大，所以每单位容量的闪存价格在下降，而且今年下半年市场对NAND闪存的需求依旧疲软，智能手机、笔记本电脑和平板电脑的季度间需求会增长0~1%，0~1%和9~10%，厂家可能会进一步降低报价来促进市场需求，导致价格下跌幅度会超过预期，当然了厂家会推迟产能扩张计划，希望这样会延缓价格下降的幅度。

到了今年第四季度会有个不确定的因素就是新的iPhone，它的销售情况会对NAND的价格有一定的影响，另外今年Q4闪存厂商会把产能向96层堆叠的产品转移，这样会进一步提升闪存的单位容量，这也有助于降低单位容量的闪存价格。

本月18日大阪发生的6.1级地震也影响到了东芝在四日市的NAND厂房，东芝在地震发生后就立即进行了检查，次日就完成了对晶圆的检查，其实只有数量有限的晶圆受到影响，而且在返工后就可以恢复正常，晶圆厂本身的影响也大，很快就恢复正常生产，这次地震对NAND市场的影响几乎没有。

身在日本的PC Watch前往了本次会议的研讨会，自3D-NAND诞生以来它的堆叠层数就在不断的增长，三星造出来的第一代3D V-NAND只有24层，下一代就变成了32层，随后就变成48层，到了现在大多数厂商都是64层，而SK海力士则是72层，而下一代的3D-NAND堆叠层数将超过90层，再下一个阶段会超过120层，到了2021年会超过140层。

而闪存的Die Size也随着堆叠层数的增长而增长，在32层时代的时候是128Gbit，48层时256Gbit，64/72层是512Gbit，明年的96层闪存应该会达到768Gbit，128层应该会有1024Gbit的Die Size，达到144层时就不清楚会有多大了，肯定会大于等于1024Gbit。

在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度缺在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，没升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍，而层厚度会变成0.86倍。

现在各家厂商都在3D NAND上加大力度研发，尽可能提升自己闪存的存储密度，此前东芝与西数就宣布计划在今年内大规模生产96层堆叠的BiCS4芯片，并会在年底前发货。

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三星今天宣布推出PM1643系列超大容量企业级SSD，最大容量达到了惊人的30.72TB，它采用三星最新的64层堆叠3D TLC闪存，die size为512Gb，单个芯片里面最多可堆叠16个die，这样单个NAND芯片的容量就可达到1TB，最大容量的PM1643里面就用了32颗这样的NAND，另外这个SSD的缓存也是相当恐怖的，最多可达40GB的DDR4。

三星PM1643采用SAS 12Gbps接口，连续读写速度达到了2100MB/s和1700MB/s，最大随机读写IOPS也可达到400,000和50,000，连续读取速度是普通SATA SSD的三倍，随机读取速度更是SATA SSD的四倍，巨大容量允许把放入将近5700部5GB大小的Full HD高清视频放到一个2.5英寸的SSD里面。

PM1643除了最大的30.72TB之外，还有15.36TB、7.68TB、3.84TB、1.92TB、960GB和800GB的版本，产品面向各种需求大容量高性能存储设备的企业用户，出货时间暂时还不清楚。过年后，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

另外在本月12号，西数宣布采用BiCS4技术的96层3D NAND闪存已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西数的BiCS 4闪存不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC闪存芯片和采用BiCS 3的TLC闪存芯片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。

同时西数在他们的PPT中表示从2D NAND工艺转向3D NAND工艺过程非常繁琐，他们也认为这个计划的执行时间比原定时间推迟了大约6个月，不过从2D闪存彻底转向3D闪存的持续过程不会用太长时间。在现在2D转3D的大潮中，有些制造商已经将用于生产2D NAND的设备升级成生产DRAM的设备，而不是升级成生产3D NAND的设备，不知道西数会不会借鉴这种思路。

不过这一状况将会有所好赚，Digitimes收到了业内人士的消息，闪存厂商对3D NAND闪存的产能转移将要完成，3D NAND的供应会明显改善，在2018年第一季度闪存供不应求的现象会有所缓解，届时SSD的价格将会有所下降，然而后续会怎么样发展还是会受手机市场的销售状况影响。

此外他们还提到了DRAM市场上的情况，由于近段时间内存价格的疯涨，DRAM供应商都在合理的扩展产能力，它们力求DRAM市场的需求与盈利达到一个比较好的平衡，使内存价格稳定下来。

所以现在SSD的价格已经比较稳定了，明年第一季度价格应该会有所下降，而内存嘛，短时间价格可能还会有所增长，以后应该会转向稳定，至于价格什么时候会降回去就真不清楚了。

Tom`sHardware现在看到了群联E12主控的早期跑分结果，这是搭配东芝64层 BiCS闪存跑出来的（没说明是MLC还是TLC），可以看到连续读写速度已经超过了3300/3100 MB/s，而4K QD1随机读取速度也接近60MB/s，大约15000IOPS，如果经过进一步优化的话应该可以看到超过3500MB/s的连续读取和3200MB/s的连续写入，这性能已经可以与三星同容量的PM981相媲美了。

目前群联正在为E12主控搭配东芝64层闪存优化固件，预计在明年第一季度可以合作伙伴供货了，然而E12主控可不单只支持东芝的64层闪存，未来的96层TLC与QLC都是支持的，这预计是2018年底的事情了，这有点遥远，可能中间还会有什么变数也说不定。

Intel这次公布了名为“ruler”外形尺寸SSD， 有别于一般2.5英寸和3.5英寸硬盘，这种新尺寸SSD更为紧凑，可更多堆积，并降低了散热和供电要求，配合3D NAND技术，可在1U服务器中建立1PB的存储规模，但Intel没有公布这种“ruler”形SSD的图片，具体产品还要在之后推出，将有Optane SSD和3D NAND SSD两种。

Intel还带来全球最先进的双接口设计SSD，提供Intel Optane技术双接口或Intel 3D NAND双接口，用在任务关键型和高可用性程序上，相比SAS HDD有更高IOPS性能、更大带宽和更低延迟，首批采用双接口的SSD产品为DC D4500、D4502和D4600系列，将在今年Q3供货。

Intel还推出面向数据中心的DC S4500、S4600系列SATA SSD，用到Intel第二代32叠层3D NAND，配合自研的SATA控制器和固件，将可以降低存储成本、提高效率和最小化服务器中断，目前这两个SSD已经提供出货。

东芝TR200采用东芝最新的BiCS3 3D TLC闪存，采用64层堆叠技术，使用Phison S11主控并且没有DRAM缓存，容量有240GB、480GB和960GB三种，最大连续读写速度为550/525MB/s，最大随机读写IOPS分别为80,000/87,000，与之前的TR150均享受三年质保，寿命也是一样的，根据容量的不同从60TB到240TB不等。

这里就直接引用一下Anandtech做的TR200规格表了

东芝TR200系列SSD其实在ChinaJoy上有进行展示，实际开卖要等到今年秋天，其实我更关心OCZ这个品牌何去何从。

东芝的QLC BiCS闪存采用64层堆叠，拥有目前最高的Die容量768Gb（96GB），现在东芝的TLC闪存Die容量是512Gb（64GB），QLC的Die容量比TLC足足提升了50%，再配合东芝的16 Die堆栈技术的话，就能做出单颗容量高达1.5TB的闪存，这是目前行业内所能造出最大容量的闪存。

现在的TCL每个Cell单元可以储存3个数据，有23=8个状态，而QLC则是4bit MLC，每个Cell单元能存储4位数据，有24=16个状态，因此QLC闪存的容量更大QLC闪存的容量更大，成本更低，但4位数据带来的挑战也很大，更精确的电压控制、更复杂的干扰等问题都会影响QLC闪存的性能及可靠性，现在东芝用自己先进的电路设计和3D闪存技术克服了这一技术难关，成功打造了世界上首个QLC 3D闪存。

东芝的QLC其实在6月初就开始给SSD厂商与SSD主控厂送样评估与开发了，并且会在今年8月7日到10日的加利福尼亚州圣克拉拉举行的Flash闪存峰会上展出样品。

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3D NAND闪存将在2017年超越2D NAND闪存成为主流，四大NAND厂商也都量产了32层、48层堆栈的闪存，64层堆栈的NAND闪存也有三星、东芝、西数、IMFT在下半年量产，SK Hynix的则是72层堆栈。再下一代就要轮到96层堆栈了，不过这次首发的并不是预期中的三星，而是西数。

西数公司今天宣布推出96层堆栈的3D NAND闪存，相比目前64层堆栈的闪存使用的BiCS 3技术，96层3D NAND闪存使用的是BiCS 4技术，预计在2017年下半年出样给客户，2018年开始量产。

堆栈的层数越多，3D NAND闪存容量就越大，成本越低，不过西数目前的96层堆栈闪存核心容量为256Gb（官方未公布是MLC还是TLC），尚且不及64层堆栈的512Gb（TLC）核心容量。

BiCS 4技术最大的意义不只是堆栈层数更多，西数提到96层3D NAND闪存不仅会有TLC类型的，还会支持QLC，也就是4bit MLC闪存。早前我们也多次提到了QLC闪存的优缺点，但是从今年台北电脑展上得到的消息来看，QLC闪存已经是势不可挡了，明年就会开始进入市场。

如今西数第一个表态会支持QLC闪存，三星、东芝、美光、Intel、SK Hynix等厂商的QLC闪存也不会太远了。尽管QLC闪存的可靠性、寿命要比TLC更差一些，不过从实际测试来看，随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存并没有想象中那么容易写死，现在TLC闪存已经是市场上的主流了，MLC闪存已经少见了。

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与其他厂商的3D NAND闪存相比，SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多，去年其他厂商还在堆栈32层的时候，他们就做了48层堆栈的了，今年其他厂商是64层堆栈，SK Hynix搞的的是72层堆栈，不过层数虽多，SK Hynix的3D闪存核心容量并不算高，4月份发布的72层堆栈3D闪存核心容量才256Gbit，只是其他家32层堆栈的3D NAND闪存的水平，东芝、西数及三星的64层堆栈已经可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix后面不仅会提升堆栈层数，容量也同样会提升。Tomshardware报道称他们下一代产品是96层堆栈的，核心容量将提升到512Gbit。当然，这也不是终点，原文称其他韩国SSD厂商（这是说三星？）将推出128层堆栈的3D NAND闪存，核心容量将提升到1Tbit。

这是什么概念？目前主流的闪存核心容量才256Gbit，1Tbit容量密度是它的四倍，也就是128GB容量，而我们在SSD上常见的NAND芯片是由多个核心组成的，即便是4个核心，那么一片“闪存”的容量也有512GB了，M.2这样的SSD上正反面至少可以布置4篇闪存，那么容量轻松达到2TB，如果内部搭配的核心更多，那么4TB、8TB也很正常。

当然，128层堆栈的3D NAND闪存可能还要一两年时间才能问世，今年主流是64层堆栈，明年会提升到96层，128层大概要等到2019年了。

除了堆栈层数之外，提升NAND容量、降低成本还有别的方式，这就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未来的QLC闪存——SLC大家都知道它的好处，性能最强，可靠性最高，但是成本也是最贵的，MLC次之，可惜现在只在部分高端型号上才见到了，TLC闪存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低，但是TLC闪存现在已经成为主流了，特别是在3D NAND时代。

下一步就是QLC闪存，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每个cell单元容纳4位数据，比TLC的3位数据还多，好处是容量更大，但缺点也跟TLC一样，都是牺牲了可靠性及写入性能，因为QLC对信号的控制要求更严格，所需的校验更多。

从这几年的情况来看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC闪存了，它从实验室走入市场只是时间问题，这次的台北电脑展上给出了更具体的信息，明年的电脑展上就能见到QLC闪存了。不只是TH这么报道，我们的记者团在跟厂商交流时也得到了类似的信息，那就是QLC闪存在明年下半年就会崭露头角。

从TLC最初的遭遇来看，QLC初期肯定也会面临性能、可靠性等方面的质疑，不过成本更低、容量更大的要求使得QLC没有后退的可能，这条路没法逆转了。更加“悲剧”的则是以前大家觉得是次品的MLC闪存也会越来越稀罕，一旦QLC成熟了，MLC闪存狗带的命运也是不可避免的。

对消费者来说，其实并不需要太在意闪存类型，早前闪存可靠性之所以受人关注，除了先天的技术问题外，还有一个重要因素就是之前的SSD容量太小，而对NAND来说，容量=寿命，大家购买的容量越大，可使用时间就越长，等到QLC闪存成熟了，SSD硬盘容量估计都是TB级的，写入寿命这事并不需要这么耿耿于怀，还是要看到技术进步的。想要了解更多SSD硬盘寿命及可靠性信息的玩家可以关注小超哥（id:9501417）微信，找他咨询相关问题。

无论是西数蓝盘 3D NAND还是闪迪Ultra 3D NAND都提供了250GB、500GB、1TB和2TB的四种不同容量选择，在连续读写速度方面分别为560MB/s和530MB/s。两个系列之间唯一不同的是西数蓝盘3D NAND除了有2.5英寸/7mm SATA盘还有M.2 2280规格可选，而闪迪Ultra 3D NAND只提供了2.5英寸/7mm一种规格。

售价方面西数蓝盘3D NAND的2.5英寸/7mm和M.2 2280两个规格都为99.99美元起步，闪迪Ultra 3D NAND亦为99.99美元起步，提供三年质保，预计将于今年第三季度上市，感兴趣的玩家可以咨询下小超哥（id:9501417），毕竟他现在在ComputeX会场。