ARM在去年与台积电的主要竞争对手GlobalFoundries签署了制造协议，但那仅仅是针对Cortex-A9颗粒提供28nm技术支持。

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　　台积电CEO Dr.Morris Chang称：“在台湾中部科学园区兴建第15座晶圆工厂，表示我们致力于为客户提供先进的技术，满足客户需求。当第15座晶圆厂建造完成，它将提供8000个就业机会，这也显示出台积电公司具有强烈的企业社会责任感。”

　　台积电在第15座晶圆厂投资了超过93亿美元，预计会在2012年第一季度收获硕果，届时工厂将会大规模生产40nm和28nm芯片，并根据发展计划而作出进一步改变，以制造更先进的工艺节点（20nm及更新的）零件。

　　其它晶圆厂方面，目前台积电第12和第14工厂每月晶圆的产量共为20多万片，稍后台积电将会对这两大工厂进行扩充，使其在今年年底的每月产量达到24万片。

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　　AMD在近期的一次投资者会议中透露，用于笔记本的移动版Fusion Sample已经完成，具体产品将会在2011年上半年上市。

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　　目前台积电40nm的良率还不乐观，对AMD和NVIDIA新一代显卡生产造成严重影响，现在更是直接跳过32和22nm工艺，这样显然会给下一代显卡的研发造成影响。　　台积电研发部门高级副总裁蒋尚义(Shang-yi Chiang)对接近1500多名台积电客户和第三方伙伴表示，跳过22nm而迈向20nm能带来更高的栅极密度和芯片性能，对高级技术设计师提供了一个更切实可行的新平台。台积电22nm工艺将采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K互联等技术。　　蒋尚义宣布台积电预计在2012年下半年开始20nm工艺的风险性试产，还表示部分技术条件已达到预期效果：如FinFET器件和高流动性的晶体管器件结构的可行性。

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　　日前在日本横滨举行的台积电日本高管论坛上，台积电研发部门高级副总裁蒋尚义谈及了近来招受热议的多个话题，包括40nm产能和良品率、28nm工艺、高K材料技术以及未来的22nm工艺等。

1、40nm工艺产能

　　蒋尚义表示，40nm工艺推出初期客户需求量就非常高，远远超过此前任何一代工艺，因此在产能上很难及时满足。

　　目前台积电Fab 12工厂每季度能够生产约8万块基于40nm工艺的12英寸晶圆，Fab 14也将很快加入生产行列，到今年底产能预计将翻一番，达到16万块。

2、40nm工艺良品率

　　蒋尚义称，40nm工艺的良率问题已经在去年下半年得以解决，目前台积电正在迅速扩充产能以满足客户的大量需求。

　　他指出，向45/40nm过渡过程中所遭遇的挑战是前所未有的，这是台积电第一次运用193nm沉浸式光刻技术，出现缺陷的几率更高。一开始台积电使用的是K值为2.5的第二代低K材料，材料非常脆弱，因此40nm量产初期很有难度。

3、28nm工艺

　　台积电28nm工艺的第一个版本是低功耗的28nm LP，引入了多晶硅栅和二氧化硅硝酸盐，将于今年六月底开始投产。

4、高K金属栅极

　　高性能版本的28nm HP工艺将首次引入高K金属栅极（HKMG）技术，预计在今年九月份投产，十二月还将增加28nm HPL。

5、22nm工艺计划

　　台积电计划在推出28nm工艺两年后过渡到22nm技术，因此，22nm技术的首次投产应该会在2012年第三季度前后，初期为高性能版本，2013年第一季度末再发布低功耗版本。6、光刻技术

　　在短期内台积电将继续使用193nm沉浸式光刻技术，如果超远紫外线（EUV）或多重电子束直接写入技术发展更成熟、成本更低的话，台积电会考虑引入。

　　蒋尚义透露，新技术的利用成本相当高，单单一套EUV设备就需要8000万美元左右。

　　台积电去年的总销售额达到89.89亿美元，而UMC以28.15亿美元的成绩屈居亚军，新加坡特许半导体为15.14亿美元，而去年三月才开始正式运营的GlobalFoundries成功赢得11.01亿美元的销售额，位列第四。

　　GlobalFoundries与不久前纳入旗下的新加坡特许半导体市场份额共计为15%，GlobalFoundries预计在未来两三年内占领30%的半导体市场。

　　2009年整个半导体行业的销售额下降了10%，但是IC Insights预计将在今年上涨24%，达到268亿美元。在2009年到2014年期间，半导体市场预计将以每年13%的平均速度增长，在2014年达到406亿美元。

右一：台积电营运副总经理刘德音

　　台积电营运副总经理刘德音在昨天的公司庆典上宣布，之前影响良率的设备腔体接合（chamber matching）问题已经得到妥善解决，但是他并没有透露目前良品率的具体水平。

　　此次庆典是为了庆祝公司Fab 12晶圆厂第五阶段（Phase 5）的建设工作完成，据介绍，该工厂将于今年第三季度开始28nm工艺的量产。同时，台积电也已经开始了Fab 12第六阶段（Phase 6）的建设规划，为未来的22nm制程做准备。

　　近日Techreport向AMD提到HD5000系列货源的问题，AMD表示TSMC目前的40nm良率已经达到了稳定，而现时HD5000系列产品的供应量也呈上升趋势。TSMC作为AMD和NVIDIA的晶圆代工厂，其晶圆的良品率将直接影响这两家GPU巨头。在10月底TSMC 40nm晶圆良率仅有40%，导致了AMD初上市的HD5800系列货源紧缺，而TSMC的CEO当时承诺良率问题将会在今年年底前得到改善，而现在也该是其兑现承诺的时候了。

　　目前HD5000系列产品的供应量的确有所增长，在newegg上HD5870/5850都有大量存货，不过价格却不会因此而有所下降，售价依然高于AMD当时的建议零售价。

　　如果这一情况属实的话，本季度AMD的收入和利润将有所上升，结果将在下个月22号AMD公布财报时见分晓。

　　按正常速度来计算，在新工艺晶圆投产1年左右达到90%以上的良品率才能满足供应需求，而这次的40nm良品率仅有50%左右，这对AMD目前及未来推出的40nm产品以及NVIDIA即将推出的GF100显卡产量均会造成一定的影响。

　　预计TSMC 40nm芯片良率将会在明年第二季度达到正常水平，而在明年4月份以后我们将能够在市面上看到货源充足的40nm产品。

　　AMD的服务器平台在第三季度出现明显下滑趋势，Bergman认为除了竞争方面的原因之外，关键在于目前AMD的服务器平台正处于过渡阶段，等公司发布下一代服务器平台时，市场份额将回升。

　　Bergman还透露了公司在2010年和2011年的平台计划，AMD将在2010年第二季度发布高端桌面平台Leo和主流平台Dorado，分别取代目前的Dragon和Pisces/Kodiak平台，2011年将发布高端桌面平台Scorpius和主流平台Lynx，分别采用代号为Zambezi的32nm处理器和代号为Llano的APU。

　　而笔记本方面，AMD将在2010年发布Danube来取代最新发布的Tigris平台，采用代号为Champlain的45nm处理器，具备2-4个核心和ATI Mobility Radeon HD 5000系列GPU。AMD还将在2011年发布基于Llano APU的Sabine主流笔记本平台。

　　而超薄笔记本方面，AMD计划在2010年上半年发布Nile，基于代号为Geneva的45nm处理器，2011年则将发布基于Ontario APU的Brazos平台。

图片来源：[Digitimes]

　　台积电发言人日前称：“40nm的良率并没有像传闻一样下跌，而是保持稳定状态，而且台积电有信心在明年初将其进一步提升。”

　　40nm产能问题一直都是很多人关注的焦点，而良率的起起落落也让我们也很难辨别其中真假，但是唯一可以确定的是，台积电目前的良率离理想水平还有一定距离。