不过究竟当时出问题的固件存在什么Bug呢？在今天AnandTech终于给我们揭晓了谜底，实际上这是因为固件对“安全擦除”指令的响应不到位而引起的。按照正常来说，在系统发出安全擦除指令后，硬盘固件将清除寻址转换层（ATL）以及接口层（HIL）中的映射表信息，以保持双方数据一致。不过原来有Bug的固件只进行了寻址转换层部分的操作，却忽视了接口层的操作。

　　因此，虽然从表面看“安全擦除”是完成了，但是当系统再度发出数据写入指令时，由于寻址转换层以及主接口层的映射表数据不一致，主控获得的信息也发生了错误，最终导致固件出现错误。此时对用户而言，固态硬盘就已经挂掉了，尽管实际上出错的只是固件而已，硬盘本身并不存在物理上的损坏。

　　而被AnandTech玩坏的两块840 Pro和一块840固态硬盘几乎都是死于“安全擦除”操作，其中两块840 Pro是在进行安全擦除后，分别于写入测试和功耗测试中挂掉；而840固态硬盘则是在执行安全擦除的时候就出事了，断电重启后系统再也不认硬盘了。

零售版固件DXM03B0Q/DXT06B0Q不存在问题

　　现在AnandTech表示，新固件的840和840 Pro固态硬盘已经不再有这个问题，他们尝试了很多次都没有重现这种现象，消费者可以放心购买了。

　　Hardocp报道，Mushkin公司产品开发部的主管Brian Flood表示他们对于这款硬盘非常兴奋，说明公司的技术已走在前头。这款硬盘的性能、容量、功耗都非常优秀，并尽可能令厚度保持在低水平。要做到在一块mSATA电路板上集成八块NAND闪存芯片和一个控制器并不容易，通过这种技术，对于存储容量有大需求的超极本可以摆脱256GB mSATA的容量限制了。

　　在Mushkin公司的官方网站可以看到现时Atlas系列有60GB、120GB和240GB三种容量，至截稿时还没有480GB产品的相关信息。

普通的NAND闪存擦除一次数据就会损伤一次物理结构

　　NAND的时代真的要结束了吗？Macronix（台湾旺宏电子）的工程师可不这么认为，在本月的2012年IEEE国际电子设备会议（2012 IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM）上他们会提交论文，披露他们对P/E次数达到1亿次的自我修复NAND的研究。

　　实际上1亿次寿命还只是目前得到的数据，带队的副处长Hang‑Ting Lue表示“实际上还真不知道（这种NAND）是否会坏，目前为止根本没看到其寿命将近的信号。这个1亿次寿命只是过去几个月测试的结果。”

　　正常的NAND每次写入数据都会击穿一次隧道氧化层，这是一种物理损害，因此NAND寿命有限，热处理可以修复这种损害，但是要想通过热处理修复这种损害，那就需要在250°C的高温下持续数小时，目前来说这是不可能的。

　　这种NAND超长寿命的机理其实也借用了PCM相变技术的某种原理，Macronix的工程师在研究PCM技术时发现其中使用的硫化玻璃（chalcogenide glass）到达熔点时会产生一种热效应。最终他们发现这种效应对NAND也会起作用，因此他们重新设计了NAND的结构，有一个精细的加热器可以加热NAND的存储单元。

　　重新设计NAND架构需要做相当多的改变，其中最关键的一个就是栅电极的改变，需要让它携带电流以加热储存单元。为此需要增加额外的二极管电路，这也会增加核心面积，工程师们也不得不重新排列存储电路以降低影响。

　　改进后的NAND架构可以让电流通过晶体管的栅极并在数毫秒内形成热脉冲，他们发现这一温度可以达到800°C，不过影响只限于栅极附近。这个热处理过程通过加热器可以修复NAND损伤，即使经过1亿次P/E循环之后，数据依然保存完好。

　　由于多了一个额外的热处理过程，这未免让人担心它对电力消耗有较大要求。Hang‑Ting Lue承认了这一点，不过表示热处理过程并不频繁发生，而且一次可以修复一个扇区，因此“它并不会榨干你的手机电池。”

　　热修复的NAND还有额外的惊喜，它可以带来更快的擦除速度（意味着更快的写入速度），通常来说这是不依赖温度的。Lue表示未来这种技术会带来一箭双雕的效果，既可以大幅延长NAND寿命，也可以加速擦除速度。

　　Lue表示Macronix公司已经在此领域取得了突破性进展，但是他没有给出具体的应用时间表，因此这一技术进入市场的时间还是未知数。

　　Toolbox在英特尔SSD上应用很广泛，它可以对SSD进行安全擦除、在Windows中优化SSD的性能以及优化SSD在RAID 0状态下的TRIM功能。这次的更新主要纠正了Intel 335系列SSD中驱动器报告中的一个bug，这个bug最先是由Anandtech网站发现的。

　　原来的335固件错误地计算了闪存寿命的消耗情况，比如P/E次数只有1000，而在更新之后这个数值更正为3000，这更符合IMFT 20nm闪存的真实情况。虽然说更新升级不会丢失数据，不过你最好先备份下。

　　这次的更新不是很紧迫，只是改变了E9的计算方法和磨损指标，此外就算MWI值变成0也不会对SSD的操作有影响。

　　想查看自己的SSD是用那个版本的固件，最简单的方法就是在设备管理器中打开硬盘的属性，然后在详细信息中选择硬件ID，这样就可以看到SSD的固件版本号了。

　　三星送了一个全新的840 Pro去Anandtech，当然用的是零售版的固件，目前为止他们还没有遇到任何问题，所以如果你们有人拥有840 Pro或840的话，请去看看自己的SSD的固件版本是多少，如果不是零售版固件的话速度去升级吧。

　　实际上9月份OCZ发出财报预警报告时就提到了NAND供应问题，他们的NAND供货商一直只有美光一家，因此无论黑片、白片全部吃下，但是今年中NAND行业有一次大规模减产行动，三星和SK Hynix、东芝都曾宣布减产15-30%不等以应对行业需求不振，因此OCZ的供应也受到影响，公司业绩不断下滑。

　　自此之后OCZ开始转变之前的单一供货商策略，开始多方采购NAND闪存，不过CEO Ralph Schmitt并没有提及他们新增的供应商名单，只表示他们目前已经解决了NAND供应问题。

　　另外，他也没有回应此前的希捷及美光的收购要约问题，称出售OCZ已经不在考虑范围之内，至少目前不会。

　　此前OCZ已经开始裁员28%、缩减不必要的产品线以节约资金。

　　OCZ这样的SSD厂商恐怕很难跟Intel、美光、三星这样的SSD厂商相竞争，这几家公司不仅规模庞大、资金雄厚，而且有NAND生产能力，三星还在自己开发主控，因此在控制成本上是OCZ这样的厂商所不能比的，OCZ如此急着开发自己的主控也是出于这个原因，没有自己掌控的技术很难有立足之地。

　　另外，OCZ终于肯多方采购NAND闪存了，从Vector上的NAND颗粒来看OCZ未来也会加大自行封装的比例，唯一希望的是长点心吧，不要再弄那种一个SSD型号多种NAND型号的幺蛾子了，没有了口碑再好的主控也救不了自己。

　　5400转的绿盘系列除了目前的3TB之外还会增加4TB及5TB两款，前者在2013年Q2季度末到Q3季度初问世，5TB绿盘编号WD50EZRX，则会在Q4季度初发布。

　　西数之前专为NAS应用推出了红盘系列，目前的最大容量也是3TB，不过编号WD40EFRX的4TB、WD50EFRX的5TB型号也会明年上市。

　　还有不确定的就是单碟容量，如果继续使用单碟1TB技术，那么5TB就需要5碟了，这对厂商来说是个考验，之前日立推出的5碟1TB硬盘表现就很不好，小编也用过这款硬盘，噪音确实让人很烦。

　　考虑到5TB硬盘大约还有一年的时间才能发布，或许西数/日立的技术会升级，单碟容量提升到1.2-1.6TB左右，那么5TB硬盘只需3-4碟即可，如此一来功耗、噪音及性能都比较平衡了，但愿如此吧。

　　另外，目前3TB及更高容量的硬盘都是天价，明年5TB硬盘出来之后恐怕价格也不会低，估计要上3000了，还是祈祷明年的SSD容量能普及512GB吧。