第四代V-NAND：堆栈层数64层

先说三星新一代V-NAND，三星是最早量产3D NAND闪存的公司，此前三星已经发展了三代V-NAND，堆栈层数分别是24、32及48层，64层堆栈是下一个目标，之前东芝、西数已经宣布了64层堆栈的BiCS 3D闪存，抢了三星的风头，不过在FMS会议上三星也正式宣布今年底推出第四代V-NAND闪存，也是64层堆栈。

根据三星所说，第四代V-NAND闪存为TLC类型，64层堆栈，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

按照计划，今年Q4季度64层V-NAND闪存开始上市，三星自家全新的Z系列SSD就会使用这种闪存。

SSD容量继续提升：32TB 2.5寸硬盘驾到

三星此前已经出货了容量最大的15TB硬盘PM1633A，希捷在FMS会议上展示了60TB的SSD，不过这个还是概念产品，还是3.5寸规格的，真正的容量突破还得看三星——其SAS产品线开始引入核心容量512Gb的第四代V-NAND闪存，可以轻松堆叠出容量1TB到32TB的企业级硬盘，其中32TB的容量再次把SSD容量推向另一个巅峰，三星表示32TB硬盘将普通HDD硬盘的容量减少了40倍。

32TB SAS硬盘预计在2017年问世，三星的目标是2020年推出100TB的硬盘。

BGA封装也有春天：1TB容量来了

除了2.5寸规格，三星在超小型SSD上也有大动作——单BGA封装的SSD容量也有望达到1TB，而且性能也非常强大，读取速度1500MB/s，写入速度900MB/s，体积则比前代减少了50%，重量不到1克。

1TB BGA封装的硬盘预计明年问世，而且会使用三星研发的FO-PLP（Fan-out Panel Level Packaging）扇出型封装。

全新Z系列SSD：性能突破NAND极限

最后三星还宣布了全新的Z系列SSD，号称性能超越了现有NAND闪存极限，不过三星没有给出具体指标，只说其性能比PM963更强，延迟低了4倍，读取速度是后者的1.6倍——PM963硬盘的连续读取速度是1600MB/s，算起来Z系列的连续读取速度可达2.5GB/s。

三星的Z系列SSD也会使用第四代V-NAND闪存，预计明年上市。

在日前的FMS国际闪存会议上，Facebook分享了他们对数据存储的一些观点，上图中列举了四种不同类型的存储方式，包括NVM非易失性存储器、AVA（四快M2.22110组成）、Lightning及WORM，最后的这个WORM代表Write Once Read Many（写入一次、读取多次），也就是说这种存储设备对写入寿命要求不高，读取应用比较多。

根据Pcper网站所说，这个WORM存储使用的就是QLC闪存，我们知道TLC闪存指的是每个Cell单元存储3位数据，有8个电位变化，那么QLC就是每单元存储4位数据，有16个电位变化，一方面这意味着QLC闪存的容量更大，但也意味着QLC闪存的电压控制更难，写入速度更低，可靠性要求更高。

WORM存储的容量可达100TB，差不多是目前TLC闪存硬盘最高容量的10倍，但它的写入次数也降低到了150次左右，也相当于目前TLC闪存的1/10。

此外，Facebook现场还分享了Intel Optance硬盘的性能，该硬盘基于Intel、美光的3D XPoint闪存，在RocksDB性能测试中，相比目前的P3600硬盘，其性能是后者的3倍多，延迟则只有1/10，性能非常强大。

针对数据中心业务，希捷推出了Nytro XP7200 NVMe SSD硬盘，该系列产品此前在3月份就有过展示，不过这一次才有了正式命名。它实际是多主控、多硬盘组成的磁盘阵列，由4块Nytro XM1440 M.2硬盘和多个主控组成，使用PCI-E x16插槽，每个M.2硬盘使用4条PCI-E x4通道，相当于4块硬盘软件组成了RAID 0模式。

因此，Nytro XP7200硬盘的性能就非常强大了，连续读取可达10GB/s，连续写入3.6GB/s，随机读取94万IOPS，随机写入16万IOPS，随机70%读取/30%写入混合性能也有34万IOPS，功耗26W。

Nytro XP7200硬盘容量有3.8及7.7TB两种，今年9月份出样给客户，Q4季度正式上市。

Nytro XP7200硬盘的10GB/s速度创造了记录，另一方面希捷还拿出了容量创纪录的SSD——目前我们知道的SSD容量之王是三星的PM1633A，最高15.36TB，希捷一下子把最高容量推向了60TB，不过这款硬盘使用的是3.5寸规格，Dual SAS 12Gbps接口，读取速度1.5GB/s，写入速度1GB/s，随机读取性能15万IOPS，活动最高平均功耗为15W。

不过，希捷的60TB硬盘现在只是演示阶段，离实物上市还早着呢，它使用的是美光3D TLC NAND闪存，虽然希捷没公布具体闪存，但美光6月份展示的3D TLC闪存核心容量为384Gib，堆叠出60TB容量至少需要1250颗闪存核心，难度可想而知。

东芝去年公开过BG1系列SSD，支持NVMe 1.1，不过当时使用的还是2D MLC闪存，容量128、256GB，这次的BG系列则升级了BiCS 3D TLC闪存，因此容量更大，最高可达512GB。不过东芝并没有公版BiCS 3D闪存的具体规格，猜测还是目前的48层堆栈BiCS闪存，至于主控，东芝表示该硬盘的主控也是自家方案，但同样没有公布具体型号。

BG系列使用的也是16x20nm单面PCB封装，可用于M.2 2230模块或者不可拆卸的M.2 1620模块，相比2.5寸硬盘，其大小减少了95%，相比M.2 2280硬盘也减少了82%，更适合超薄移动PC，包括2合1笔记本及平板等设备。

BG系列SSD支持NVMe 1.2规范，其中有个功能就是HMB（Host Memory Buffer，主机内存缓冲器），因为BG系列SSD是自身无DRAM缓存的，HMB可以让它从主机内存中分配部分空间当缓存，有利于提高SSD性能。根据东芝公开的数据，在仅仅分配37MB的HMB及16GB SSD空间时，QD1、QD32队列下随机读取性能分别提升30%、65%，随机写入提升70%、115%。

目前BG系列SSD已经出样给客户，相关产品上市要等到今年底。

东芝此前容量最大的SSD硬盘也不过是4TB，要想堆出超大容量的SSD还得等新NAND——还好东芝的BiCS 3D闪存已经开始量产了，最高可堆栈64层，虽然这次的ZD6000系列硬盘不一定使用了64层堆栈的3D闪存，但是大容量3D NAND是没跑了，只是东芝并没有公布ZD6000硬盘的闪存及规格。

跟三星的15TB硬盘类似，东芝的ZD6000硬盘也是2.5寸规格，容量最低800GB，最高7.68TB，双接口（有可能也是SAS 12Gbps，尚待确认），支持PCI-E 3.0及NVMe，具体的性能指标没有公布，东芝只强调了它的高可靠性，MTBF时间是200万小时。

DDN IME-14K闪存加速器

实际上，东芝的ZD6000系列SSD是跟DDN公司的IME-14K闪存加速器一起发布的，它可以支持32个节点，每个节点支持48块硬盘，总容量可达370TB。

SK Hynix也是全球四大NAND豪门之一，不过自家的SSD产品在市场上比较低调，这次的PC305系列是M.2 2280规格的，长度80mm，最高厚度3.5mm，宽为22nm。该系列硬盘采用了PCI-E 3.0 x4接口，支持NVMe，容量有128GB、256GB、512GB及1TB四种。

SK Hynix的PC305硬盘性能指标如下：四种容量读取速度都是2200MB/s，不过写入速度方面128GB为470MB/s，256GB为900MB/s，512GB版为800MB/s，1TB写入速度最高为1400MB/s，单论速度的话其实跟三星950 Pro还有较大距离。

随机性能方面，除了128GB版随机读写性能是18万、12万IOPS之外，其他三款都是20万、18万IOPS。

最为重要的闪存和主控方面，SK Hynix并没有公布，不过NAND猜测是自家16nm MLC或者TLC闪存，主控也是自家的，因为SK Hynix多年前就把LAMD主控给收购了。

SK Hynix的SSD虽然性能指标不算多强（但也不算差），而且以他们之前的产品来看，PC305系列的性价比应该还可以，三星950 Pro的价格公认有点高，毕竟人家的地位和性能在那里摆着了。

三星PM1633A硬盘为2.5寸规格，主打企业级市场，所以接口是12Gb/s SAS接口，使用了三星第三代V-NAND闪存，48层堆栈，核心容量256Gb。要想堆叠出15.36TB的容量，三星总共使用了512颗256Gb V-NAND芯片，每16个256Gb核心堆出512GB闪存芯片，整盘使用了32颗512GB容量的闪存封装，理论容量是16384Gb，实际容量是15.36TB。

三星15TB SSD硬盘售价9690美元

由于主要面向企业级市场，三星并没有公开销售PM1633A硬盘，不过SHI网站现在可以下单购买该硬盘了，其售价为9690美元（人民币6.45万元），换算下来每GB只要0.6美元，这样来看其售价并不算离谱。