尔必达与飞索半导体最近宣布，他们已经制造出了世界第一个charge-trapping 4Gb SLC NAND闪存，这种NAND闪存基于飞索半导体的Mirror charge-trapping技术，与尔必达公司的广岛工厂制造。两家拥有先进技术的公司合作使世界上第一款charge-trapping NAND闪存诞生了。

　　相比于floating-gate NAND闪存，charge-trapping NAND闪存的可扩展性更加强，内部结构更简单。其性能更加优秀，读写速度更加快。

　　据来内人士透露，由于目前NAND闪存芯片的库存充足，芯片供应厂商表示愿意降低部分NAND闪存的价格，32Gb的NAND闪存价格最近已降至4.3美元水平。

　　现在欧美地区的闪存卡和USB驱动器的销售仍然低迷，虽然已经进入学生回校上课的时段，但依然不见它们的销量呈上升迹象，这意味着第三季度闪存产品的销量将非常之低。

　　一年前Intel和镁光合资公司IM Flash Technologies宣布34nm TLC NAND闪存芯片研发成功，现在随着新工艺研制成功，该公司宣布开始试产25nm工艺TLC NAND闪存芯片。　　TLC NAND闪存又叫3bps NAND闪存，每个存储单元能存储3bit的数据。新的TLC NAND芯片容量为64Gb，即一颗芯片存储空间就达8GB，这是目前最小存储密度最大的NAND芯片，相信采用该芯片的话U盘、SD卡和MP4、手机这类消费电子产品的存储空间会大大提升。

　　其核心面积为131mm2，相比25nm MLC NAND闪存，相同容量的TLC NAND闪存尺寸缩小20%，有更好的成本优势，Intel相信该芯片会有很强的市场竞争力。

　　随着智能手机、平板电脑还有固态硬盘的兴起，业界对NAND闪存的需求量大增。日前，有消息报道，三星（Samsung)将与东芝（Toshiba）通力合作，开发新一代高速NAND闪存，并计划在2011年投入量产。　　这款NAND使用Toggle DDR 2.0规格内存，传输速度可达400Mbps；另外，公司方面希望20纳米级别的NAND闪存都可支持Toggle DDR 2.0规格。

　　更多消息，可参阅东芝官方网站。

　　尔必达（Elpida）和Spansion公司宣布，它们已经开始联合开发NAND工艺技术和产品，现有的合作关系将扩大到包括晶圆代工服务的闪存协议。

　　台湾创见集团（Transcend）的董事长束崇万（Peter Su）在近日发表言论：“当前DRAM的价格普片偏高，如果DRAM的单位价格能够降低到2美元以内，就可以很好地帮助刺激终端产品市场的需求”。

　　此外，束崇万还表示：“对于目前的NAND闪存价格而言，无论是芯片销售商、模组生产商还是最终的消费者都尚在可接受的范围之内”。

English Version Click Here . 　　虽然SLC闪存芯片可使SSD传输速度更快、可靠性更佳，但却存在容量偏小和成本高昂的问题，所以目前市场中的SSD产品绝大部分还是采用MLC闪存芯片。

　　日前，Fusion-io宣布研发出了一种兼备二者优点的新型存储芯片——SMLC（single mode level cell）。据称SMLC的读写性能、可靠性均可媲美SLC芯片，但成本却和MCL的差不多。

　　日前，根据DRAMeXchange的调查显示，NAND闪存芯片近期合同价格升幅明显，8GB及4GB MLC NAND芯片价格上扬达到了40%及33.33%的幅度。

　　闪存芯片合同价格的上涨是由于前段时间供应商纷纷削减产量，8英寸fab输出量锐减造成的，而且在经过一段时间的消化后，下游厂商目前正急需重新补仓，价格上涨也是情理中的事情。

　　来自市场的消息，随着三星电子减少microSD的供应，microSD卡的价格一路看涨，最高记录是一天涨了50％。

　　在今年第四季度，东芝和Hynix已经减少其NAND闪存的产量，三星审时度势，以建立一个供应紧张的市场局面，希望能提高microSD存储卡和NAND闪存的价格。

　　日前，Micron（美光）宣布与Sun（升阳）合作开发出了新的SLC NAND芯片技术，能够使其寿命大幅延长。

　　英特尔(Intel)和美光(Micron)今天共同宣布批量生产其共同开发的基于34nm制程，单颗容量为32Gb的多层式(MLC，Multi-level cell) NAND闪存芯片，它是双方合资组成的公司IM Flash Technologies (IMFT)近期的合作成果，远远领先业界其他对手。

　　在最近公布公司本财年第四季度亏损3亿4千4百万美元之后，镁光今天宣布将开始大幅裁员。

　　Micron自上次推出震惊业界250MB/s读取速度的SSD硬盘后，现在继续发布了32GB容量的e-MMC闪存。这块Micron的e-MMC闪存采用了34nm的MLC(multi-level cell)NAND flash芯片。

　　这款Micron e-MMC闪存卡简化了内部设计，去掉了主控制器，以便支持NAND的软件驱动。也就是说，它仅仅使用简单的MMC接口，而代替了复杂的NAND管理技术，包括ECC、磨损和坏区管理。

　　镁光今天宣布，他们和英特尔合作的最新产品，8Gb的SLC NAND芯片目前已经开始提供样品给相关的厂商。这种NAND使用了非常先进的50纳米技术制造，比传统的NAND要快的多：传统NAND的读取速度一般为40MB/s，写入速度为20MB/s，但是镁光的这种50纳米高速NAND将可达到200MB/s写入，100MB/s读取。

　　三星和东芝在NAND Flash专利领域决定站在同一条船上，对抗英特尔这位后起之秀的传言，时有所闻，3日三星和东芝宣布互相授权有关NAND Flash专利，让此事正式尘埃落定。据了解，除了三星和东芝确定携手合作外，此阵营也将拉拢海力士(Hynix)加入，全力阻止2008年英特尔在NAND Flash产业实力的崛起。　　三星和东芝3日宣布互相交叉授权有关NAND Flash专利，由三星授权东芝有关OneNAND产品，而东芝则授权三星LBA NAND产品的专利，让彼此的OEM客户对于内嵌式内存的解决方案可以有更多选择，获得对方授权的产品，将于2008年正式生产推出。　　过去东芝曾是NAND Flash领域的霸主，后来将NAND Flash技术授权给三星生产制造，虽然之后就让三星取代其龙头宝座，但也顺势将NAND Flash市场的饼越作越大，造就今天市场的蓬勃发展。东芝与三星的关系，就某方面而言，是技术专利的合作伙伴，但在商场上，就是竞争激烈的对手。　　但是三星和东芝眼前，有一个更大的对手崛起，那就是科技巨人英特尔，其50纳米以下的NAND Flash量产实力，即将于2008年快速崛起，加上NAND Flash大厂下一个战场是英特尔最擅长的个人计算机(PC)领域，因此三星和东芝在此时选择更紧密的合作，以对抗英特尔势力的崛起。　　不论是三星用于内嵌式产品的OneNAND产品，或是东芝未来极力看好的LBA NAND技术，现在都愿意公开技术和专利，给竞争对手生产制造，显现出三星和东芝未来连手对抗英特尔的决心。而下一步，也将拉拢海力士加入此阵营，目的都是让OneNAND和LBA NAND有越多厂商生产，未来独占市场的机率越大。　　三星的OneNAND主要是用于手持式产品中的内存解决方案，包含NAND Flash和SRAM等芯片在内，而东芝的LBA NAND更是将控制IC设计于其中，免去系统厂商在针对不同厂牌的NAND Flash，需要重新作规格设计的复杂度，未来都将积极与系统厂密切合作。　　来源网站：[DIGITIMES]