新款的芯片采用了最新的eUFS 3.0规范，在传输速度上达到了前代使用eUFS 2.1规范产品的两倍。在顺序读取速度上达到了2100MB/s，而在顺序写入速度上达到了460MB/s,亦为前代产品的1.58倍。同时在随机读写上也有一定的提升，分别达到了63,000 IOPS以及6,8000 IOPS，性能提升相当明显，达到部分笔记本SSD的性能水平不会让数据传输速度成为智能手机的瓶颈。

在容量上，由于采用新的V-NAND技术，使得容量有了明显提升。三星在这个月出货128GB和512GB的版本。到今年下半年，三星还将量产容量高达1TB的版本，以扩大其生产线。

而首款使用eUFS 3.0芯片的手机就是三星刚刚发布的Galaxy Fold。作为首款吃螃蟹的机型，希望在这款手机在存储性能上有出色的表现。实际上高通骁龙855以及三星自家Exynos 9820已经支持UFS 3.0技术，随着UFS 3.0闪存芯片的大量铺货，相信不久就会有更多的采用eUFS 3.0的手机量产。

西数去年底就宣布量产96层堆栈的3D NAND闪存了，这次推出的iNAND EU511嵌入式闪存也是96层堆栈的，虽然西数官方没有公布具体类型，但不太可能是QLC闪存，应该还是3D TLC，因为今年1月底东芝也发布了UFS 3.0闪存，就是96层堆栈3D TLC闪存，两家公司推新一代产品的步骤是差不多的。

西数的EU511闪存支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范，而UFS 3.0单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

容量方面，iNAND EU511闪存最低64GB，最高512GB，而且凭借西数的SmartSLC Generation 6技术使得读取速度达到了750MB/s，官方表示连续读取性能是前代的两倍。

这样的性能也让新一代UFS 3.0闪存为即将到来的5G时代做好准备，西部数据公司Devices事业部高级总监Oded Sagee表示：“智能手机正在日益成为万物互联的中心。高速5G网络旨在实现比之前快100倍的数据传输速度，并在更多的设备上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神经处理单元(NPU)所驱动，允许我们访问大数据和快速数据，这将改变我们使用智能手机的方式。面对实时边缘计算的高需求，严格的数据捕获标准和访问模式将成为5G设备必须满足的基本条件。有了UFS 3.0嵌入式闪存盘，西部数据可以让用户按需、无缝、即时地体验5G应用的新威力。”

西数iNAND EU511闪存目前已经开始给OEM客户出样。

去年这个时候，JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准（JESD220D），一道被发布的还有更新后的接口标准（UFSHCI）：JESD223D，以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

东芝的UFS 3.0闪存采用了自家BiCS 4技术的96层堆栈3D TLC闪存，标准11.5x13mm封装，容量128GB、256GB及512GB，不过后两种容量暂时还没出样，现在只有128GB版出样给客户了。

性能方面，东芝没有透露具体的指标，只说比UFS 2.1闪存的读写速度提升了70%、80%，找了下东芝官网，东芝此前发布的了64层堆栈的UFS 2.1闪存的读取速度可达900MB/s，写入为180MB/s，按照这个数据来看UFS 3.0的读取速度约为1.5GB/s，写入速度324MB/s，这个速度跟一些低端NVMe硬盘的性能有得一拼了，毕竟手机UFS闪存在DDR缓存方面会吃亏一些，不然写入速度也可以更好看一些。

至于哪款手机能够首发UFS 3.0闪存，MWC 2019展会上就能见分晓了。

明年的Galaxy S10手机除了设计、拍照等方面的改进之外，硬件配置显然也会再上一个台阶，用上高通骁龙855、三星9820处理器是顺理成章的升级，而在内存、闪存上还有可能来个大招，首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存。

OC3D网站爆料称三星今年夏天就会开始LPDDR5内存的生产，并与UFS 3.0闪存一起提供，这两种存储芯片的速度都要高于前代。

在这个问题上，下半年量产UFS 3.0闪存问题不大，UFS 3.0标准今年初已经发布，相比现在的UFS 2.0/2.1，UFS 3.0采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，换算下速度在1.5-3GB/s左右，这速度跟M.2 SSD硬盘有得一拼了。

至于LPDDR5内存，这个标准跟DDR5息息相关但又保持一定的独立，DDR5最终规范还没发布，但是DDR5产品已经研发多年了，预计今年底就会有相关产品出现，LPDDR5则是DDR5的低功耗版，明年上市倒也可能。

不论LPDDR5还是UFS 3.0，明年的智能手机内存、闪存容量及性能再次提升是跑不了的，只希望Galaxy S10别再是4+64GB起步了。

新的版本最重要的就是带宽的规范，过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，这是非常强大的数字。物理层/传输层依然是采用MIPI M-PHY v4.1/UniPro v1.8，新增温度活动通知，以此实现温度剧变的警报（范围是零下40摄氏度至105摄氏度）。

然而需要注意的是，虽然新的UFS 3.0标准看起来速度很强大，但是就目前知道的2018年上半年将要发售的新设备来说，比如说小米将锁定的骁龙845、Exynos 9810，都没有明确的证据表明新的SoC将会支持全新的UFS 3.0，所以说如果要真的用上新的存储标准，可能不会这么快。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信1111888），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

现在的手机主要性能表现体现在处理器（SoC）、内存上，很多人都忽略了使用不同的闪存也会有不一样使用体验，尤其是在数据读写速度、大型游戏加载速度上。目前我们常见的手机、平板电脑、存储卡基本上都是eMMC 5.1以及UFS 2.1两种协议，也有极少数像iPhone用NVMe的。

速度方面，eMMC 5.1目前能提供的最高理论速度可以达到400MB/S，而UFS 2.1则要高得多，可以达到1166MB/s，差异如此之大全都因为工作模式不一样。不知道UFS与EMMC之间体验上的区别？没关系，小超哥(wx:9501417)可以帮到你。

新一代的eMMC 5.2以及UFS 3.0传输协议都在开发之中，尤其是备受瞩目的UFS 3.0，速度高达2400MB/s，尽管我们明年初就能看到完整的协议，但是由于闪存芯片协议的使用需要和终端设备上的SoC搭配，而据了解，下一代高通骁龙845这样的旗舰机SoC仍不支持UFS 3.0标准，主要是因为标准尚未明确，而SoC已经在研制当中。因此UFS 3.0标准真正用到终端上可能仍有一年时间。

图片来自benchlife