在SK Hynix之前，三星今年5月份也宣布了大规模半导体投资，将投资15.6万亿韩元（143亿美元）在韩国平泽市新建一座晶圆厂，建成之后将成为三星最大的晶圆厂。虽然三星没公布该工厂具体生产什么产品，但三星提到了移动及服务器市场，猜测也是跟DRAM内存相关。

现在SK Hynix的投资规模比三星还大，46万亿韩元大约是382亿美元，投资规模是三星的两倍还多，其中的15万亿韩元将投向最近落成的利川市M14晶圆厂，用于扩增内存芯片产能。剩下的31万亿将用于新建两座晶圆厂，一座位于利川市，一座位于清州市，不过新建的这两座工厂具体生产什么产品还没公布。

过了几年好日子之后，内存产业现在也因竞争激烈而不断降低价格，如今的内存产品价格快要降回前两年4GB单条199元的水平了，即便是最新的DDR4内存价格也开始亲民了。移动市场的内存市场还算过得去，但移动市场现在也逐渐饱和，增长速度没有之前那么快了。

在这样的环境下，三星、SK Hynix还要大手笔扩建内存厂，市场担心DRAM产能继续扩大会导致DRAM过剩风险更大，DRAM产品价格也会进一步下跌。

再次介绍一下UFS 2.0，其全称为Universal Flash Storage通用闪存，UFS标准最早是高通和东芝合作在2011年发布，采用串行界面，支持全双工运行、同时读写、指令队列等，去年年初升级到现在的UFS 2.0，性能有了质的飞跃，比eMMC 5.0快近3倍，更接近SSD级别，功耗更是降低了50%，4K视频什么的都不是问题。

至于SK Hynix推出的这一款，基于High-Speed Gear 3接口、双数据通道，采用自家16nm NAND闪存和自主研发主控芯片，目前最高容量是64GB（三星最高128GB），连续读写性能高达780MB/s和160MB/s，随机读写性能则有32000 IOPS和17000 IOPS，不要说eMMC 5.0了，就连eMMC 5.1也能轻松拿下，不过实际表现如何，还要等到相关产品上市才知道了。

接下来，SK Hynix将会改变三星在UFS 2.0一家独大的局面，未来将有更多厂商的智能手机可以拥有这一强劲的力量。

对于HBM的特点和优势，最近我们已经连篇累牍地介绍过了很多，详情可以参考AMD详解HBM显存：性能远超GDDR5，功耗降50%，面积小94%一文。昨天的北京发布会上，AMD公司也请来了HBM之父Bryan Black院士到现场给大家讲解了HBM显存的内幕，从技术角度来说HBM确实是一次（哔~），不仅性能更强、功耗更低，其极低的占用面积使用小尺寸高性能Fury显卡成为现实，称之为芯片设计上的一次革命并不为过。

SK Hynix目前正在使用20nm工艺大规模量产HBM显存，虽然主要是跟AMD合作研发的，不过HBM并不是只用于显存的，SK Hynix正在设法满足DRAM内存、NAND闪存及SSD固态硬盘等领域的客户需求，所以HBM技术未来的应用前景很广泛。

HBM2明年问世

AMD、SK Hynix目前研发的HBM技术还是第一代的，是4Hi堆栈的，单颗芯片容量1GB，带宽128GB/s，Fury X的总显存容量也只有4GB。明年SK Hynix还会推出HBM2显存，核心容量从2Gb提升到8Gb，支持4 Hi及8 Hi堆栈，单芯片带宽也提升到256GB/s，也就是说性能及容量都在成倍增长，2016年NVIDIA的Pascal及AMD新一代GPU架构都会使用HBM2显存了。

三星这两年获得更高的NAND及DRAM份额主要是靠技术推动，他们去年就率先量产了V-NAND技术的3D闪存，三星之外的其他公司要到今年才开始生产。SK Hynix表示他们去年成功开发了24层堆栈的3D闪存，今年也准备大规模量产3D闪存了，首次量产的则是36层堆栈的3D闪存，今年底还会准备48层堆栈的3D闪存量产工作。

三星量产的V-NAND闪存是32层堆栈的，不过今年下半年也准备量产48层堆栈的，Intel/美光系公布的3D NAND闪存也是32层堆栈的，更多堆栈的也在研究之中了。东芝、闪迪也在日本四日市新建Fab 2工厂，预计2016年才会大规模量产3D闪存。

除了3D闪存，SK Hynix也会继续加强传统的平面闪存，很快会推出16nm TLC闪存，并在Q2季度将TLC闪存产能提升到10%的比例，今年底达到40%的比例。此外，Q3季度他们还会推出16nm TLC闪存的SSD，并会把TLC SSD的比例提升到20-30%。

内存方面，三星的20nm工艺已经大规模量产了，SK Hynix还需要不断提升产品。位于韩国京畿道省利川市的M14 DRAM晶圆厂已进入最终阶段，半导体设备已经备货了，预计从年底开始运营。一旦开始正式生产，其产能将达到每月1.5万片晶圆。

不过SK Hynix在技术上还有点落后，他们预计要到明年6月份才能提供后10nm工艺的DRAM样品，而三星已经准备量产后10nm工艺DRAM内存了。

SK Hynix表示他们最近已经跟客户庆祝了世界首款使用LPDDR4内存诞生，因此他们的8Gb LPDDR4内存可以说已经正式商业化。

SK Hynix的8Gb LPDDR4内存颗粒规格也不例外，跟三星的一样都是8Gb容量，1.1V电压，DDR4-3200速率，带宽是LPDDR3-1600的两倍，功耗降低30%。

SK Hynix最终也没有公布客户的名字和首款LPDDR4手机的型号，LPDDR4内存需要SoC的支持，基本上跑不出目前的骁龙810处理器手机。小米之前发布了小米Note高配版，使用的正是4GB LPDDR4内存，但这个手机至少要到三月份，即便选择了SK Hynix的内存，也不符合这里的情况。

比较可能的应该是LG的G Flex 2手机，虽然它的内存容量只有2GB，不过却是LPDDR4规格的。SK Hynix在公告中也只提到了是8Gb LPDDR4颗粒，并没有说首款LPDDR4手机就是4GB内存总容量的，而LG G Flex 2手机这几日就要开卖了，完全符合SK Hynix所说的情况。

根据IHS公司的研究，2015年旗舰智能手机大都会使用4GB LPDDR4内存，明年则会以36%的市场份额超过目前3GB内存的手机。

NVIDIA显卡此前的显存频率停留在1502MHz，GTX 780 Ti之后提升到了1753MHz，也就是7GHz（数据频率）的水平，目前大多数高端NVIDIA显卡都是7GHz频率的，显存颗粒分别用过三星和SK Hynix的。AMD显卡在HD 7970时代显存频率是1375MHz，HD 7970 GHz提升到了1500MHz，不过R9 290X显卡时因为位宽提升到了512bit，所以频率并太高，只有1250MHz。AMD显卡中显存频率最高的目前还是R7 260X，达到了1625MHz，不过位宽是128bit的，跟高端显卡不同。

7GHz的GDDR5显存在384bit位宽下已经能提供336GB/s的带宽，但这肯定不是终点，SK Hynix今年Q4季度已经开始出货8GHz频率（真实频率2000MHz，还有一种说法可以叫4000MHz）的GDDR5显存，编号为H5GQ4H24AJR-R4C，128Mb*32bit，单颗容量4Gb，FBGA封装。相比7GHz显存的1.5V电压，8GHz的GDDR5显存电压略微提升到了1.55V。

更值得注意是SK Hynix的HBM显存，这种显存被视为GDDR5之后的新一代标准，AMD就在跟SK Hynix联合开发，而之前也传闻AMD的Carriz APU以及“海盗岛”GPU都会使用HBM，虽然现在看起来这些猜测都不靠谱，不过HBM内存技术上确实很优异，只是目前还处于研发阶段，市场化程度还不够。

SK Hynox量产的HBM显存为4Hi堆栈，电压1.2V，容量也只有1Gb，相比主流GDDR5颗粒来说容量还有点低，虽然速度只有1Gbps，不过带宽能达到128GB/s，所以性能优势很明显。

至于AMD、NVIDIA谁能抢先用上8GHz GDDR5显存和HBM内存，考虑到NVIDIA显卡在高频显存上的优势，他们先用上8GHz GDDR5颗粒的可能比较大，而AMD和SK Hynix联合开发HBM显存，所以AMD先用上HBM显存的可能比较大，只不过相关产品不一定快到明年就能问世。

路透社报道，东芝及闪迪评估之后认为这次泄密造成的损失高达千亿日元，所以提出赔偿金额为1091.5亿日元，折合10.8亿美元。

不过，生意场上的竞争、合作甚至法律诉讼实乃常事，就在双方大战的同时，东芝与SK Hynix还在共同研发新一代存储技术MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器），就算双方在法庭上势同水火，但是东芝公司重申双方合作不受影响。

SK Hynix 128GB DDR4内存模组基于8Gb DDR4颗粒，采用20纳米工艺，还有TSV（Through Silicon Via）技术。其工作电压为1.2V，比目前的DDR3工作电压稍低一些，而工作频率轻松达到了2133Mbps，I/O处理速度高达17GB/s。

2013年全球半导体市场总营收3150亿美元中，前25大厂商增长了6.9%，其他厂商增长只有0.9%。在这些厂商中，内存芯片厂商营收增长了23.5%，远高于其他行业。盖特纳分析师表示，存储芯片、特别是内存（DRAM）推动了厂商的营收增长。

这是他们值得夸耀的成绩吗？也许是，也许不是，内存产业营收高速增长并不完全是需求所致，而是因为供应短缺以及所之而来的价格上涨，这两年买内存的PC用户应该深有体会。厂商靠这种方式获得高速增长短时间内有利，但是长期下去伤害的是整个行业。

全球前10大半导体厂商排名

再来看下具体的排名，Intel依然是全球半导体行业的老大，2013年营收485.9亿美元，但是增长下降了1%。三星电子位列第二，营收306.36亿美元，营收增长7%。近来大红大紫的高通位居第三，营收172.11亿美元，增长30.6%。

不过高通并不是增长最快的，SK Hynix及美光分别增长了40.8%、72.3%，他们也分别是全球第二、第一大DRAM芯片商。虽然他们还有NAND闪存等其他存储芯片，但是同为NAND供应商的东芝增长只有6.3%，这两位的超高速增长的功臣显然不是NAND业务。

必须要提的是，去年9月份SK Hynix的无锡工厂遭受大火，而这座工厂的DRAM产能占据全球的10%左右，而美光同期减少PC DRAM供应量，导致当月底DRAM供应价格上涨了42%。虽然火灾损失巨大，但是SK Hynix全年营收依然增长了40%以上，DRAM涨价带来的影响可见一斑。

目前该案件正在调查中，SK Hynix及东芝公司相关人员拒绝置评。

这不是东芝公司与SK Hynix公司有关NAND专利的第一次官司了，2004年东芝就以侵犯NAND及DRAM专利权为由对SK Hynix公司发起了诉讼，2年后Hynix公司与东芝及闪迪公司签署了专利交叉许可协议，虽然双方没有透露具体的协议内容，不过SK Hynix据信是赔付了现金的。

高科技公司里的专利侵权及技术泄密案永远也不会停止，自己开发新技术总是不如用巧妙方法获得更省事，不是吗？只要有公司这样认为，这样的案件还会继续发生。

Digitimes援引业界消息称，无锡工厂去年9月份遭遇大火，但在11月份已经恢复生产，产能回到原来的水平。但即便如此，2014年PC市场的DRAM内存供应依然吃紧。产能恢复的无锡工厂遭遇了良率问题，消息指出已经有一些PC厂商因为质量问题而拒绝了部分出货。

SK Hynix是全球最主要的PC内存芯片供应商之一，而无锡工厂几乎占据了SK Hynix每月26万晶圆产能的一半，约占全球产能的10%，地位非常重要。他们出现供应紧张将反应在内存合约价格上，价格会继续上涨，指望内存降价的希望会更加渺茫了。