据称，这款50nm的2GB移动DRAM将会在明年上半年投入量产。

　　Elpida官方公告

　　50nm制程的DDR3 SDRAM的开发利用业界最先进的193nm（ARF）的沉浸光刻和铜互连技术，芯片尺寸小于40平方毫米。此外，新的SDRAM是一种环保型的DRAM，DDR3的标准电压为1.5V，新的DDR3电压可以低到1.35V甚至1.2V，有助于低功耗运行在高密度存储器系统，如服务器和数据中心。

　　新的50nm制程DDR3内存特点：

　　数据传输率：800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps　　操作电压：1.2V、1.35V、1.5V 　　低功耗：相比于70nm的DRAM最多减少50%

　　新的DDR3内存将首先应用在高端台式电脑，其他地方有可能在笔记本电脑和服务器设备。大规模生产50nm制程DDR3 SDRAM会从明年Q1开始。

　　同时尔必达还在积极开发50nm工艺的高端数字消费电子产品和移动内存。

　　50nm制程的DDR3内存颗粒能够在更低的电压下达到更高的传输速度，功耗也降低不少，其基本电压为1.2V，速度为2.5Gbps。该50nm制程的DDR3颗粒采用了其铜互连技术，以及业界最先进的193nm（ArF）浸入式光刻技术制作。芯片面积小于40mm2，工作电压可设定为1.2V、1.35V或1.5V，频率最高可达到2500MHz。

　　Elpida将会在2009年第一季度大规模生产50nm制程的DDR3内存颗粒。

[消息来源：PcWatchImpress]

　　据称，这款DDR3内存芯片使用铜互连制程代替传统的铝，使得制造出来的芯片可以达到更高的速度，比铝制程芯片要快25%，而且在功耗上更要低上22%，这款新出品的内存可支持667Mbps-2.5Gbps的速率，在DDR3标准电压的1.5V下能达到2.5Gbps的传输速率，而在1.2V低电压下可达到1.8Gbps的传输速率。

　　对于服务器来说，1.2V的低电压降提供更低的能耗，而2.5Gbps的传输速率将为发烧玩家提供性能上的飞跃。不过要等到这款内存芯片转化为内存成品，相信还要花一段时间。

　　和以前双256Mb DDR2 x16-bit颗粒相比，单颗512Mb DDR2 x32-bit能够有效减少25%的PCB占用面积，同时减少20%的电力消耗，由于结构简化，所以只需要4层PCB设计即可使用。该产品的大规模生产将在今年的九月份开始，相信将会大量运用在信息家电等内部空间狭小的产品内。

官方发布页面

　　在DRAM行业内排名第三的德国厂商奇梦达和第四大厂商尔必达日前就合作开发DRAM交换了合作备忘录，将在近期正式签订合作协议。具体的合作内容包括，两公司共同开发40纳米工艺的DRAM产品，双方所持的知识产权，包括设计以及工艺技术在内将能自由交换授权（Free Cross License）。而在以后的合作里，还包括了成立合资工厂等远期目标。除此以外尔必达的COO大塚周一还表示，两公司还会探讨日后经营合并的问题。估计这一合作将会对DRAM市场的未来走势产生不小的影响。

结合各自的优势，开发40纳米的4F^2 DRAM

[来源：技术在线]　　

　　这种颗粒将推出两种型号，EDE2104ABSE和EDE2108ABSE。产品的样品将在10月送出，今年年末将开始产品的大规模生产。相信这种先进的颗粒可以满足市场对高质量DDR2 4G和8G内存条的需求。

　　Elpida公司表示，XDR结构使用了公司的70纳米技术，可以让这种编号为EDX5116ADSE-5E-E的DRAM颗粒达到比DDR2-800还要快六倍的速度。XDR DRAM颗粒是XDR内存的内部结构之一，需要XDR内存控制器（XMC），XDR输入输出控制器（XIO）和XDR频率产生器（XCG）的配合。