在高端显卡方面，NVIDIA会继续它的大核心战略，以足够多的晶体管来保证性能，更能在一张显卡上整合两个GPU来压制对手的双GPU产品。

　　消息来源：[fudzilla]

　　最新的消息显示，GT212流处理器数由GT200的240个增加到384个，TMU（纹理贴图单元）也有增加，达到96个。显然这样的变化是相当大的，有点像当初GT200 240个SP从G92 128个SP的飞跃。我们都知道，GT200是第二代渲染架构，相比于G92的第一代渲染架构，它的TPC里的SMs提升到了三个，一共有10个TPC。那么我们猜测，GT212是不是延用第二代的架构呢？

　　如果GT212还是采用GT200的架构，它的TPC会有16个，这样的话每个TPC内的TMU单元只有6个了，而GT200架构里每个TPC里的TMU数为8个。最大的可能是，GT212会在架构上作些改进，也就是第三代渲染架构，每个TPC里包含四个SMs和8个TMU，一共有12个TPC，总共12*4*8=384个SP。

　　总的来说GT212的SP数目增加了60%，但TMU数目只增加了20%。

　　更为重要的是，GT212在显存位宽上从GT200的512bit缩减到了256bit，这似乎是在向AMD的RV770学习，同样，GT212也会采用GDDR5显存来弥补显存位宽下降对带宽的影响。GTX280的显存频率为1107MHz，那么GT212的显存带宽要达到GT200的水平，其GDDR5的数据频率势必要求在4.5GHz以上，通常新一代产品在规格上都会有所提升，也就是说GDDR5的数据频率保守估计也应该在5GHz左右。由于NVIDIA和AMD的中端产品也都会使用GDDR5显存，我们对GDDR5的产能表示担忧。

　　在制程上GT212很理所当然的会过渡到40nm，由于流处理器的大量增加，晶体管总数达到18亿个，GT200的晶体管数为14亿，不过由于工艺上的进步，核心面积会控制在300mm^2以内，功耗也会大幅下降。

　　GT212的发布时间为今年第二季度，作为NVIDIA下一代的旗舰产品，无疑是让我们非常期待的。

　　在今年，NVIDIA将会改用N10x代号，如上图所示，高端级别为N10E，性能级别为N10P，主流级别则为N10M。今年上半年主要还是推出55nm的产品：高端级别包括了G92b核心，以GTX1命名，以及G94b核心，以GT1命名；在性能级别有G96b核心，以GE1命名；主流级别则包括了65nm的G98，以GE1命名，以及55nm的G98b，以GS1命名。

　　到下半年，NVIDIA才会推出40nm的移动GPU，并全面过渡到40nm工艺，新的工艺同样带来重新命名的产品：高端级别包括了GT212核心，以GTX命名，以及GT215核心，以GT、GS、GE命名；性能级别有GT216核心，以GS、NS、GE、GLM命名；主流级别则有GT218核心，以GS、GE命名。

消息来源：[VR-Zone]

　　据VR-Zone的消息称，明年第二季度第一款转入40nm制程的将会是高端的GT212，接着第三季度将会推出GT214和GT216到主流市场中去，而GT218将会主攻入门级市场。届时，GT212将会替代55nm的GT200，这样看来，即将到来的GTX295和GTX285的寿命将非常短暂。

　　在主流入门级市场的GT214、GT216和GT218将替代G94、G96和G98的位置。据称GT216将会诞生出4款桌面产品，而GT218将至少有6款不同规格的产品。

　　在主板集成芯片方面，IGT209将替代当前的GeForce 9400/9300系列。最后，GT300将携同DX11于明年第四季度闪亮登场。

消息来源：[VR-Zone]

40nm技术会为我们带来什么样的惊喜？

　　TGDaily最近爆料，AMD公司散布在德国德累斯顿(Dresden)、Markham以及“阳光谷”（Sunnyvale）的许多工程师齐聚在台北的台积电(TSMC)，紧锣密鼓地进行着第一款Fusion芯片的设计，研发代号“Shrike”。

　　Fusion是将AMD的CPU技术和ATI的图形处理技术合二为一的概念，未来的Fusion会将CPU和GPU整合到一块芯片上，而第一款Fusion将会分别采用双核的Phenom处理器和40nm的RV800图形芯片。虽然之前有传闻，第一款Fusion采用的是Kuma+RV710组合，但现在看来AMD打算更进一步，RV800图形芯片将会是一款低端产品，支持DirectX 10.1。

　　另外，2010年初该芯片将作为过渡产品转移到32nm制程，紧接着Fusion的第二代产品“Bulldozer”将会出现，开发代号为“Falcon”。

　　如果传言属实的话，这款Fusion芯片也将会是第一款40nm的CPU。

　　消息表示，RV870的设计思路很简单，这颗代号为Lil Dragon的芯片将使用RV770的核心设计为基本基础，在使用40纳米制程技术将核心进一步小型化，预计能够为Lil Dragon带来两倍于RV770的每瓦性能。而至于总体的性能表现，设计目标是比RV770的性能要更加提升20%，这样看来，显卡核心的主要目的是降低功耗。

　　RV870核心的具体规格如下：使用960个流处理器，192个x5组，48个材质单元，24个ROP，估计它的TDP将会在150W左右。消息来源NordicHardware表示,估计显卡将仍然保持使用DirectX 10.1，将不支持新的API。

　　看来TSMC之前宣布在芯片制程上投资的100亿美元已经出现效果了，TSMC在同时开发45纳米以及40纳米技术，而且他们的下一步目标是32纳米以及30纳米。三星科技目前已经向30纳米制程技术投入了大量的资金，不过有所不同的是三星的目标只是集中在DRAM开发上而已。

　　而在Intel方面，秋季IDF上公司将再次展出45纳米的Nehalem，而32纳米的处理器要在春季IDF上才会被正式公布，而正式的生产需要到2009年的第二季度才正式展开。TSMC的32纳米进程和Intel类似，他们将会在09年的第四季度开始生产32纳米的GPU。

　　所以，只要Intel和TSMC都按照他们的计划来发展的话，GPU将会在IT史上首次在制程技术上赶上CPU。当然，所谓芯片生产技术的领先看的并不仅仅是制程，不过制程技术却是其中的一个主要标志。

[来源：TGDaily]

40nm技术会为我们带来什么样的惊喜？

核心编号为G96-309-B1的9500 GT将会是55mm制程产品

　　据台湾媒体工商时报报道，由于受良品率过低的困扰，NVIDIA一直在筹划将芯片制程全线提高到55nm。现在终于确定NVIDIA计划在年内会推出4-5款55nm的新芯片。除了GT200和G92b(9800 GTX+)外，最先到来的55nm芯片是中端的G96(9500 GT)，将在7月底发布，而八月后会有55nm的G94b、G96b和G98b。

　　新的55nm芯片将由台积电(TSMC)或者联华电子(UMC)生产，将使生产成本减少20%。另外工商时报还透露，NVIDIA和AMD都希望在年内转移到40nm制程。（但受TSMC生产线延迟上马的影响不知能不能实现）

[来源：digitimes]

　　原先以为台积电的40nm制造工艺会在今年第二季度上马，但有报道称将推迟到明年的2-3月份。台积电的主要客户有AMD、NVIDIA、VIA、Sun、Broadcom和conexant等，为此，NVIDIA和ATI均受影响。

　　NVIDIA本来预计在今年9月将下一代产品推进到“产品定案”阶段(Tape Out)，不过由于NV仍处在65nm阶段，对他们的影响应该不大。反观AMD，由于ATI显卡已处于55nm阶段，相信影响较大。

　　据报道，台积电的40nm制程工艺分为40nm lp和40nm G两种，并不会限定于生产CPU和GPU，还包括掌上电脑和无线设备等消费电子产品的芯片，电子时报引述台积电的话说，从45nm转向40nm的话，有望降低耗电量15％。

[来源：Inquirer]

　　尽管台积电的40nm制程工艺可以在第二季度上马，但是AMD和NVIDIA委托台积电代工的GPU仍然需要一段时间才会采用该工艺。目前AMD的Radeon 3000系列GPU仍然在使用55nm制程工艺，而NVIDIA的最新的GeForce 9600 GT还在使用65nm制程。

　　新闻来源：[digitimes]