SK海力士量产12层堆叠HBM3E：36GB容量，运用MR-MUF工艺，年内开始供货

SK海力士宣布，全球率先量产12层堆叠HBM3E，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。SK海力士表示，新产品是面向AI的存储器，提供了所需要的速度、容量、稳定性等，所有方面都已达到全球最高水平。这是继今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E后，仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。

SK海力士强调:“自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM）至第五代HBM（HBM3E），公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。”

据官方的介绍，12层堆叠的HBM3E采用了12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为了实现此目标，SK海力士将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。此外，SK海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题，将先进MR-MUF工艺应用到新产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

SK海力士确认，将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E产品。