SK海力士计划2026年引进下一代High-NA EUV，用于先进DRAM芯片生产

最近有报道称，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，时间上可能早于台积电（TSMC），主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。

据TrendForce报道，三星在存储器领域的主要竞争对手SK海力士，计划2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系统，并增加内部High-NA EUV开发人员的数量。与三星打算将High-NA EUV首先用于晶圆代工业务不同，SK海力士有望用在最先进的DRAM产品上。SK海力士暂时没有透露具体的计划内容，比如安装设备的工厂或者追加投资方向等。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生产了8台TWINSCAN EXE:5000，这是第一代High-NA EUV产品，其中英特尔占据了最多的数量，近期将迎来第二台High-NA EUV光刻机，而三星则是ASML首批产品的最后一个订单客户。

由于High-NA EUV光刻机定价较高，有传言称达到了3.8亿美元，使得半导体制造商在投资上普遍都比较谨慎。