三星投资1cnm DRAM生产线，目标2025年6月量产

此前有报道称，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品，打算在2024年第三季度量产，将领先于竞争对手三星。相比于现在的1β (b) nm工艺产品，1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

据TrendForce报道，面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏，三星将选择在其平泽P4工厂建设第六代10nm级别的DRAM生产线，目标是在2025年6月开始量产。尽管暂时落后于SK海力士，但是三星决心赶上进度，为接下来的大规模生产做好准备。

三星的平泽P4工厂是一个综合性半导体生产中心，分为四个建设阶段。原计划一期工程于2022年开始动工建设，并于今年开始运营。不过在完成了P4大楼和必要的基础设施（比如水和电）之后，三星就没有继续建设生产线了。这是由于之前半导体市场低迷，三星只能选择通过缩小规模的策略来减少损失。

随着半导体市场在去年下半年开始复苏，三星开始转向扩张和投资，计划在P4设施中安装NAND闪存生产设备，并对1cnm DRAM生产线进行投资。三星希望在2025年下半年，能使用这条生产线制造新一代HBM4芯片。毕竟HBM产品的生产消耗要大于普通DRAM，需要更高的产能应对。