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此前有报道称,SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品,打算在2024年第三季度量产,将领先于竞争对手三星。相比于现在的1β (b) nm工艺产品,1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下,每片晶圆可生产更多数量的芯片,并实现更高的功率效率。
据TrendForce报道,面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏,三星将选择在其平泽P4工厂建设第六代10nm级别的DRAM生产线,目标是在2025年6月开始量产。尽管暂时落后于SK海力士,但是三星决心赶上进度,为接下来的大规模生产做好准备。
三星的平泽P4工厂是一个综合性半导体生产中心,分为四个建设阶段。原计划一期工程于2022年开始动工建设,并于今年开始运营。不过在完成了P4大楼和必要的基础设施(比如水和电)之后,三星就没有继续建设生产线了。这是由于之前半导体市场低迷,三星只能选择通过缩小规模的策略来减少损失。
随着半导体市场在去年下半年开始复苏,三星开始转向扩张和投资,计划在P4设施中安装NAND闪存生产设备,并对1cnm DRAM生产线进行投资。三星希望在2025年下半年,能使用这条生产线制造新一代HBM4芯片。毕竟HBM产品的生产消耗要大于普通DRAM,需要更高的产能应对。