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此前有报道称,美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证,并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。
据TrendForce报道,已经从多家供应链厂商了解到,三星的HBM3E很快会获得认证,将在2024年第三季度开始发货。由于三星会将至少20%到30%的产能转移到HBM产品,进一步收缩供应,很可能会推动DDR5内存价格上涨。
有消息称,三星的部分供应链合作伙伴最近收到了尽快下单和准备产能的信息,预示着三星的HBM产品在下半年会顺利出货,也意味着三星内部会加快DRAM芯片的产能配置,将生产线的重心转移。随着人工智能(AI)市场的快速增长,HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度,已经变得越来越重要。
三星原本预计2024年第二季度就能通过英伟达的认证,但是最后推迟了,不但落后于SK海力士和美光,而且导致HBM产量低于预期。有市场人士担心HBM3E的供应不足,从而影响英伟达H200在2024年第二季度的出货。